一种硅片抛光设备、方法及装置与流程

本发明涉及半导体加工，特别涉及一种硅片抛光设备、方法及装置。

背景技术：

1、抛光设备是对硅片进行抛光研磨的设备，例如对硅片的边缘进行抛光研磨，使得硅片的边缘参数满足要求的研磨设备。目前，对硅片边缘进行抛光的抛光设备，在对硅片的边缘参数要求发生变化或者抛光垫表面产生磨损的情况下，需要人工调节抛光头的位置，但人工调节无法根据硅片边缘参数的实际要求实时调整，导致产线整体效率较低。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种硅片抛光设备、方法及装置，用以解决现有技术中在对硅片的边缘参数要求发生变化或者抛光垫表面产生磨损的情况下，需要人工调节抛光头的位置，导致产线整体效率较低的问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

3、第一方面，本发明的实施例提供一种抛光设备，包括：

4、用于承载硅片的承载台、多个抛光机构以及用于承载所述抛光机构的支撑结构；

5、所述抛光机构包括：连接杆、设置于所述连接杆第一端的抛光头以及设置于所述连接杆第二端的配重块；

6、所述支撑结构绕所述承载台的外周设置；所述支撑结构包括多个支架，每个所述支架穿过至少一个所述连接杆的第一端；

7、其中，在第一状态下，所述抛光头上的抛光垫与所述硅片的边缘间隔预设距离且所述连接杆垂直于所述硅片；在第二状态下，所述支架旋转带动所述抛光机构沿所述承载台的切向旋转，所述连接杆绕所述支架旋转且所述抛光垫与所述硅片贴合。

8、进一步地，所述抛光设备还包括：轨道和驱动机构；

9、所述轨道绕所述承载台的外周设置；

10、所述支撑结构与所述轨道活动连接；

11、所述驱动机构与所述支撑结构连接，用于驱动所述支撑结构在所述轨道上转动。

12、进一步地，沿所述支撑结构的第一方向，在所述支撑结构的多个不同位置处设置有所述支架，所述第一方向为垂直于所述硅片的方向；

13、在所述第一方向上不同位置处的所述支架上的所述抛光机构在所述硅片外周间隔设置，对所述硅片的边缘的不同位置进行抛光研磨。

14、进一步地，所述支架的外轮廓为至少部分圆弧或者直线；

15、在所述支架的外轮廓为至少部分圆弧的情况下，所述支架的圆心与所述承载台的中心重叠；

16、在所述支架的外轮廓为直线的情况下，多个所述支架的内切圆的圆心与所述承载台的中心重叠。

17、进一步地，所述连接杆为可伸缩连接杆，且所述连接杆的伸缩处设置于第一位置与所述连接杆的第二端之间；

18、其中，所述第一位置为所述连接杆与所述支架的连接处。

19、进一步地，所述抛光机构还包括：用于对所述连接杆的伸缩处进行固定的卡夹；

20、所述抛光设备还包括：控制器；

21、所述控制器用于控制所述连接杆的伸缩量。

22、第二方面，本发明的实施例提供一种硅片抛光方法，应用于如上所述的抛光设备，包括：

23、构建预测模型，所述预测模型的输入包括硅片边缘参数，所述预测模型的输出为所述支撑结构的转速和/或所述连接杆的长度；

24、获取历史数据，通过所述历史数据对所述预测模型进行训练学习，得到目标模型；所述历史数据，包括：所述硅片边缘参数、所述支撑结构的转速以及所述连接杆的长度；

25、根据待抛光硅片的目标边缘参数以及所述目标模型确定所述支撑结构的目标转速和/或所述连接杆的目标长度；

26、根据所述支撑结构的目标转速和/或所述连接杆的目标长度，对所述支撑结构的转速和/或所述连接杆的长度进行调整。

27、进一步地，所述硅片边缘参数，包括：

28、所述硅片第一端面的第一倒角数据以及所述硅片第二端面的第二倒角数据。

29、进一步地，所述预测模型的输出还包括所述连接杆的目标长度；

30、所述预测模型的输入还包括：所述抛光垫的寿命、所述配重块的第一质量、所述抛光头的第二质量、所述连接杆的单位长度的第三质量、所述支撑结构的转速以及第三距离；

31、其中，所述第三距离为所述连接杆第一端的端点与第一位置的距离，所述第一位置为所述连接杆与所述支架的连接处。

32、第三方面，本发明的实施例提供一种硅片抛光装置，应用于如上所述的抛光设备，包括：

33、构建模块，用于构建预测模型，所述预测模型的输入包括硅片边缘参数，所述预测模型的输出为所述支撑结构的转速和/或所述连接杆的长度；

34、获取模块，用于获取历史数据，通过所述历史数据对所述预测模型进行训练学习，得到目标模型；所述历史数据，包括：所述硅片边缘参数、所述支撑结构的转速以及所述连接杆的长度；

35、确定模块，根据待抛光硅片的目标边缘参数以及所述目标模型确定所述支撑结构的目标转速和/或所述连接杆的目标长度；

36、调整模块，用于根据所述支撑结构的目标转速和/或所述连接杆的目标长度，对所述支撑结构的转速和/或所述连接杆的长度进行调整。

37、本发明的有益效果是：

38、本发明实施例提供一种硅片抛光设备、方法及装置，通过设置有连接杆、抛光头以及配重块的抛光机构，以及包括多个支架的支撑结构；并通过所述支架穿过所述连接杆的第一端，使得在所述支撑结构旋转的过程中，在离心力的作用下所述抛光机构能够绕所述支架旋转，能够根据支架的转速调整抛光头上的抛光垫与硅片边缘的距离，从而无需人工操作即可满足对多种不同边缘参数要求的硅片进行抛光研磨，提高了产线的整体效率，同时在抛光垫表面产生磨损后依然可以使用，提高了抛光垫的使用寿命。

技术特征：

1.一种抛光设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于，所述抛光设备还包括：轨道和驱动机构；

3.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于，沿所述支撑结构的第一方向，在所述支撑结构的多个不同位置处设置有所述支架，所述第一方向为垂直于所述硅片的方向；

4.根据权利要求1或3所述的抛光设备，其特征在于，所述支架的外轮廓为至少部分圆弧或者直线；

5.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于，所述连接杆为可伸缩连接杆，且所述连接杆的伸缩处设置于第一位置与所述连接杆的第二端之间；

6.根据权利要求5所述的抛光设备，其特征在于，所述抛光机构还包括：用于对所述连接杆的伸缩处进行固定的卡夹；

7.一种硅片抛光方法，应用于如权利要求1至6任一项所述的抛光设备，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的硅片抛光方法，其特征在于，所述硅片边缘参数，包括：

9.根据权利要求7所述的硅片抛光方法，其特征在于，所述预测模型的输出还包括所述连接杆的目标长度；

10.一种硅片抛光装置，应用于如权利要求1至6任一项所述的抛光设备，其特征在于，包括：

技术总结本发明提供了一种硅片抛光设备、方法及装置，涉及半导体加工技术领域。该设备包括：用于承载硅片的承载台、多个抛光机构以及用于承载所述抛光机构的支撑结构；所述抛光机构包括：连接杆、设置于所述连接杆第一端的抛光头以及设置于所述连接杆第二端的配重块；所述支撑结构绕所述承载台的外周设置；所述支撑结构包括多个支架，每个所述支架穿过至少一个所述连接杆的第一端。本发明实施例的抛光设备，能够通过支架的转速调整抛光头上的抛光垫与硅片边缘的距离，从而无需人工操作即可满足对多种不同边缘参数要求的硅片进行抛光研磨，提高了产线的整体效率，同时在抛光垫表面产生磨损后依然可以使用，提高了抛光垫的使用寿命。技术研发人员：靳凌翔受保护的技术使用者：西安奕斯伟材料科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/27