一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备的制作方法

本发明涉及晶圆处理，具体是一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备。

背景技术：

1、在半导体制造业中，晶圆的处理是关键且复杂的环节，其直接影响到芯片的最终性能和良率。随着半导体技术的不断进步，对晶圆处理设备的要求也越来越高，特别是在精度、稳定性和自动化程度方面。

2、而晶圆顶升装置作为半导体处理设备中的重要组成部分，其设计和技术水平直接关系到晶圆在传输、定位和处理过程中的稳定性和安全性。然而，当前技术主要聚焦于提升顶升装置本身的固有稳定性，尽管已取得一定成效，但在实际生产环境中，因设备磨损、意外情况而造成的顶针卡顿等问题仍时有发生，这些问题极易导致晶圆位置偏移，影响生产精度。

3、另外，现有技术方案往往忽略了对此类潜在问题的实时监测与即时调整机制。缺乏自动监测机构来预警潜在故障，以及配套的调整机构来迅速应对并恢复生产状态，使得生产线在面对突发状况时显得力不从心，进而影响整体生产的连续性与效率。

4、因此，有必要研发一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，以解决上述问题。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本发明提供如下技术方案：一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，包括：

2、处理仓，其底部具有开口，开口处固定有基座；

3、至少三个呈圆周均匀分布的同步升降组件，用于共同顶升晶圆；

4、升降缸，其固定于所述基座的下方，且具有一升降端，所述升降端连接有同步杆，并通过所述同步杆为各个所述同步升降组件同步提供动力源；

5、其中，所述同步升降组件包括：

6、顶座，其固定嵌入至所述基座中；

7、外筒，其固定套设于所述顶座的底部，且具有多个呈圆周分布的平衡孔；

8、升降槽，其密封滑动设置于所述外筒中，且连接至所述同步杆上；

9、升降杆，其顶部滑动伸出所述顶座并连接有顶针，所述升降杆的底部滑动伸出所述升降槽；

10、压座，其一体成型于所述升降杆上，且与所述升降槽密封滑动相连，且所述压座与所述升降槽之间设置有环板，所述环板中设置有第一应变片。

11、进一步，作为优选，所述压座的侧部开设有多个呈圆周分布的限位槽，所述升降槽中嵌入有多个对应于所述限位槽的卡块，所述卡块还伸入所述限位槽中，从而限制其相对于所述升降槽的周向转动，以及限制其相对于所述升降槽的向上移动。

12、进一步，作为优选，所述升降杆中设置有控温管，用于调节所述顶针的温度；

13、所述处理仓中还水平嵌入有至少三个呈圆周均匀分布的调平组件，用于对晶圆进行调平处理；

14、在初始状态下，当三个所述第一应变片监测到压力存在不同时，且利用控温管进行同步控温处理；

15、在初始状态下，当三个所述第一应变片监测到压力相同，且在运动状态下，当其中至少一个所述第一应变片监测到压力上升超过第一压力点并随后下降至第二压力点，最后保持平稳时，则利用调平组件对晶圆进行调平处理。

16、进一步，作为优选，所述顶座的底部向下延伸形成凸起，所述凸起与所述外筒之间构成限位环空，用于为所述升降槽提供滑动限位；

17、所述升降槽的侧部设置有多个“z”型孔，以便将升降槽与平衡孔贯通。

18、进一步，作为优选，所述顶座的外部密封套设有波纹管，所述波纹管的另一端与顶针密封相连。

19、进一步，作为优选，所述调平组件包括：

20、调平缸，其尾部具有一控气孔，所述控气孔与外部控气设备相连；

21、活塞，其密封滑动设置于所述调平缸中；

22、活塞杆，其一端与所述活塞相连，另一端伸出所述调平缸；

23、复位弹簧，其连接于所述调平缸与活塞之间；

24、其中，所述活塞杆伸出所述调平缸的一端开设有阶梯槽，以形成卡肩，所述卡肩中嵌入有第二应变片。

25、进一步，作为优选，所述调平缸中嵌入有电磁环；所述活塞杆中嵌入有磁吸环。

26、进一步，作为优选，当各个所述第二应变片均检测到压力时，所述顶针进行下降运动，此时各个所述调平组件中的磁吸环移动至对应于所述电磁环的位置，以实现对晶圆的调平处理。

27、进一步，作为优选，所述基座上固定有吸附座，所述吸附座上开设有让位孔，用于为波纹管提供让位，所述吸附座的上表面位于调平组件的下方。

28、与现有技术相比，本发明提供了一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，具备以下有益效果：

29、本发明中，同步升降组件中配置有限位环空、限位槽、卡块等部件，从而实现对于顶针的稳定升降，另外，由于压座的特殊设置，使得同步升降组件中还配置有环板以及第一应变片，进而使得同步升降组件还能够监测晶圆是否处于中心位置，实现对于晶圆的原位监测，基于此，配合控温管以及调平组件还可对晶圆进行动态调整，便于晶圆以正确的位置进行下一步的处理。

技术特征：

1.一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，其特征在于：所述压座（78）的侧部开设有多个呈圆周分布的限位槽（79），所述升降槽（76）中嵌入有多个对应于所述限位槽（79）的卡块（710），所述卡块（710）还伸入所述限位槽（79）中，从而限制其相对于所述升降槽（76）的周向转动，以及限制其相对于所述升降槽（76）的向上移动。

3.根据权利要求1所述的一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，其特征在于：所述顶座（71）的底部向下延伸形成凸起，所述凸起与所述外筒（73）之间构成限位环空（74），用于为所述升降槽（76）提供滑动限位；

4.根据权利要求1所述的一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，其特征在于：所述顶座（71）的外部密封套设有波纹管（713），所述波纹管（713）的另一端与顶针（712）密封相连。

5.根据权利要求1所述的一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，其特征在于：所述调平组件（8）包括：

6.根据权利要求5所述的一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，其特征在于：所述调平缸（81）中嵌入有电磁环（86）；所述活塞杆（83）中嵌入有磁吸环（87）。

7.根据权利要求6所述的一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，其特征在于：当各个所述第二应变片（85）均检测到压力时，所述顶针（712）进行下降运动，此时各个所述调平组件（8）中的磁吸环（87）移动至对应于所述电磁环（86）的位置，以实现对晶圆（4）的调平处理。

8.根据权利要求4所述的一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，其特征在于：所述基座（2）上固定有吸附座（3），所述吸附座（3）上开设有让位孔（31），用于为波纹管（713）提供让位，所述吸附座（3）的上表面位于调平组件（8）的下方。

技术总结本发明公开了一种带有晶圆动态参数调整的半导体处理设备，涉及晶圆处理技术领域，包括：处理仓，其底部固定有基座；至少三个呈圆周均匀分布的同步升降组件；升降缸，其固定于所述基座的下方，其通过同步杆为各个同步升降组件同步提供动力源；其中，所述同步升降组件包括：顶座，其固定嵌入至所述基座中；外筒，其固定套设于所述顶座的底部；升降槽，其密封滑动设置于所述外筒中，且连接至所述同步杆上；升降杆，其顶部滑动伸出所述顶座并连接有顶针；压座，其一体成型于所述升降杆上，且与所述升降槽密封滑动相连，且所述压座与所述升降槽之间设置有环板，所述环板中设置有第一应变片，用于监测晶圆是否处于中心位置，实现对于晶圆的原位监测。技术研发人员：刘丹,谢红光受保护的技术使用者：无锡邑文微电子科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2