一种基于RBDT的小型化爆炸箔起爆器的制作方法

本申请属于爆炸箔起爆器，更具体地，涉及一种基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器。

背景技术：

1、爆炸箔起爆器主要由高压开关、脉冲储能电容器、桥箔、负载等部件组成。高压开关是爆炸箔起爆器的关键元器件，对其性能有较高的要求。首先，能够耐受1-3kv高电压；其次，能使具有下述特性的电流脉冲在触发瞬间顺利通过：电流脉冲的上升时间为30-300ns，峰值电流达到2-4ka，功率为2-10mw。因此，高压开关的运行条件是很苛刻的，它要求开关的电阻和电感小，导通能力高，稳定性好，不会因为干扰而导致误触发。随着爆炸箔起爆器的发展，对爆炸箔起爆器的体积有着集成小型化的要求。

2、反向阻断双端固态闸流管(reverse blocking diode thyristor，rbdt)是一种pnpn结构的两端半导体闭合开关，在rbdt器件的触发过程中，需要在阳极和阴极之间施加一个有着较高电压变化率(dv/dt)的触发脉冲。rbdt器件的特殊的触发方式使其导通过程发生在器件的整个区域上，这种触发方式使rbdt器件可以承受有着更高电流上升率(di/dt)的脉冲电流。除此之外，作为两端子器件，rbdt有利于与爆炸箔起爆器中的其他元器件进行集成，从而达到小型化的目的。

3、然而，现有基于rbdt的爆炸箔起爆器多采用pcb集成技术，这种技术导致整个模块体积较大，大约在720cm3，无法满足小型化的需求。

技术实现思路

1、针对现有技术的缺陷，本申请的目的在于提供一种基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器，旨在解决现有基于rbdt的爆炸箔起爆器集成方式无法满足小型化需求的问题。

2、为实现上述目的，本申请提供了一种基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器，包括：第一模块和第二模块；

3、第一模块包括：原边储能电容、半导体控制开关、变压器、副边储能电容和dsrd；其中，dsrd和半导体控制开关均为裸芯片，原边储能电容和半导体控制开关等长等宽且依次堆叠式电连接；副边储能电容和dsrd等宽，且合并长度不超过原边储能电容；

4、第二模块包括：第二二极管、主回路电容、rbdt、第一二极管和爆炸箔芯片；其中，rbdt、第一二极管、第二二极管均为裸芯片，第二二极管、主回路电容、rbdt和第一二极管等长等宽且依次堆叠式电连接；

5、变压器的原边绕组的同名端电连接半导体控制开关的阴极，异名端电连接原边储能电容的负极；

6、变压器的副边绕组同名端电连接dsrd的阳极，异名端电连接副边储能电容的负极；

7、爆炸箔芯片的一端电连接第二二极管的阴极，另一端电连接rbdt的阳极；

8、dsrd阳极、主回路电容的负极和rbdt阴极等电位；

9、副边储能电容正极、dsrd阴极和第一二极管阳极等电位。

10、优选地，原边储能电容、副边储能电容、主回路电容、变压器均为立方体结构。

11、优选地，原边储能电容、副边储能电容和主回路电容采用高压陶瓷电容。

12、优选地，变压器为纳米晶材料平面变压器。

13、优选地，堆叠式电连接为堆叠式焊接。

14、优选地，第一模块和第二模块等宽等高。

15、优选地，副边储能电容的高度等于rbdt和第一二极管高度之和。

16、优选地，储能电容、半导体控制开关、变压器高度之和等于第二二极管、主回路电容高度之和。

17、优选地，通过导电板实现等电位。

18、优选地，爆炸箔起爆器的体积不超过5cm3。

19、总体而言，通过本申请所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：

20、本申请提供了一种基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器，选用的dsrd、半导体控制开关、rbdt、第一二极管、第二二极管均为裸芯片，并将各模块设计为等长等宽堆叠式电连接，大幅度减小各模块的体积，实现整个爆炸箔起爆器的小型化。

技术特征：

1.一种基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，包括：第一模块和第二模块；

2.如权利要求1所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，原边储能电容、副边储能电容、主回路电容、变压器均为立方体结构。

3.如权利要求2所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，原边储能电容、副边储能电容和主回路电容采用高压陶瓷电容。

4.如权利要求2所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，变压器为纳米晶材料平面变压器。

5.如权利要求1所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，堆叠式电连接为堆叠式焊接。

6.如权利要求1所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，第一模块和第二模块等宽等高。

7.如权利要求6所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，副边储能电容的高度等于rbdt和第一二极管高度之和。

8.如权利要求6所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，储能电容、半导体控制开关、变压器高度之和等于第二二极管、主回路电容高度之和。

9.如权利要求1所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，通过导电板实现等电位。

10.如权利要求1至9任一项所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，爆炸箔起爆器的体积不超过5cm3。

技术总结本申请属于爆炸箔起爆器技术领域，具体公开了一种基于RBDT的小型化爆炸箔起爆器。通过本申请，选用的DSRD、半导体控制开关、RBDT、第一二极管、第二二极管均为裸芯片，并将各模块设计为等长等宽堆叠式电连接，大幅度减小各模块的体积，实现整个爆炸箔起爆器的小型化，整个爆炸箔起爆器的体积不超过5cm<supgt;3</supgt;。技术研发人员：卿正恒,项卫光受保护的技术使用者：武汉脉冲芯电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/9