半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体装置。

背景技术：

1、具有将开关元件串联连接而形成的上下桥臂的逆变器电路已广为人知。例如，在专利文献1中公开了下述技术，即，通过在具有上下桥臂的逆变器电路中，对于与长周期信号对应地通断的开关元件使用接通电压低的低接通损耗igbt(insulated gate bipolartransistor)，对于与短周期信号对应地通断的开关元件使用通断速度快的低通断损耗igbt，从而在上下桥臂分别实现电力损耗降低。如在专利文献1中说明的那样，低接通损耗用igbt和低通断损耗用igbt能够通过在igbt的制造过程中进行寿命控制而分开制造。

2、专利文献1：日本特开平06-086569号公报

技术实现思路

1、在专利文献1中，没有考虑到上桥臂的输入端子与输出端子之间的配线阻抗和下桥臂的输入端子与输出端子之间的配线阻抗之差。因此，即使长周期信号侧的开关元件使用了低接通损耗igbt，也有可能由于与之连接的输入端子和输出端子之间的配线阻抗而使电流路径的接通电压上升，得不到充分的损耗降低效果，产生上下桥臂之间的损耗差，发热分布变得不均匀。

2、本发明是为了解决如上所述的课题而提出的，其目的在于，提供一种能够缩小逆变器电路的上下桥臂之间的损耗差的半导体装置。

3、本发明涉及的半导体装置具有：逆变器电路，其是将第1开关元件与第2开关元件串联连接而形成的；第1输入端子，其是与所述第1开关元件的一个主电极连接的外部连接端子；第2输入端子，其是与所述第2开关元件的一个主电极连接的外部连接端子；输出端子，其是连接至所述第1开关元件与所述第2开关元件的连接节点的外部连接端子；第1主电流路径，其是从所述第1输入端子经由所述第1开关元件而到达所述输出端子的电流路径；第2主电流路径，其是从所述输出端子经由所述第2开关元件而到达所述第2输入端子的电流路径；第1栅极电阻，其与所述第1开关元件的栅极电极连接；以及

4、第2栅极电阻，其与所述第2开关元件的栅极电极连接，所述第2开关元件的接通电压低于所述第1开关元件的接通电压，所述第2开关元件的通断速度低于所述第1开关元件的通断速度，所述第2主电流路径的配线阻抗高于所述第1主电流路径的配线阻抗，所述第2栅极电阻的电阻值低于所述第1栅极电阻的电阻值。

5、发明的效果

6、根据本发明涉及的半导体装置，能够缩小逆变器电路的上下桥臂之间的损耗差。

7、本发明的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图而变得更加明确。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具有：

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

技术总结半导体装置(10)具有将第1开关元件即第1IGBT(31)与第2开关元件即第2IGBT(32)串联连接而形成的逆变器电路。第2IGBT(32)的接通电压低于第1IGBT(31)的接通电压。第2IGBT(32)的通断速度低于第1IGBT(31)的通断速度。从输出端子(13)经由第2IGBT(32)而到达第2输入端子(12)的第2主电流路径的配线阻抗高于从第1输入端子(11)经由第1IGBT(31)而到达输出端子(13)的第1主电流路径的配线阻抗。与第2IGBT(32)的栅极电极连接的第1外部栅极电阻(61)的电阻值低于与第1IGBT(31)的栅极电极连接的第2外部栅极电阻(62)的电阻值。技术研发人员：木须光一郎受保护的技术使用者：三菱电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/9