基准电压产生电路以及半导体集成电路的制作方法

本发明涉及基准电压产生电路以及半导体集成电路。

背景技术：

1、在专利文献1中记载一种基准电压产生电路，具有：电流密度不同的双极型的两个晶体管；对两个晶体管各自的基极/发射极间电压的差的电压进行放大的放大电路；以及被施加放大电路的输出的电阻。电压加法电路使上述的电阻中产生的电压与上述的两个晶体管中的一个晶体管的基极/发射极间电压相加。调整用电阻与上述的电阻串联连接，能够进行电阻值的调整。基准电压调整部调整从上述的调整用电阻的一端或中间点取出的基准电压。

2、在专利文献2中，记载了包含不同的电流密度的正向偏置pn接合要素的带隙基准电压产生器。带隙基准电压产生器具有：向不同的电流密度的正向偏置的第一pn接合要素以及第二pn接合要素、与第一pn接合要素连接的电压分割器以及选择电压分割比的开关要素。电压误差放大器输入分割后的电压和第二pn接合要素的电压，生成热校正后的输出电压。

3、在专利文献3中，记载了高精度且低消耗电力的带隙电压基准电路。带隙电压基准电路具有大电力带隙电路、低电力带隙电路以及校正电路。校正电路对由大电力带隙电路输出的带隙电压与由低电力带隙电路输出的带隙电压进行比较，将校正信号输出到低电力带隙电路。

4、专利文献1：日本特开2005-182113号公报；

5、专利文献2：美国专利申请公开第2014/0070777号说明书；

6、专利文献3：美国专利第6844711号说明书。

7、基准电压产生电路生成基准电压。基准电压产生电路在基准电压中产生误差。要想调整该误差，需要准确地测定基准电压。然而，很难准确地测定基准电压且高精度地调整基准电压。

技术实现思路

1、本发明的目的在于，能够高精度地调整所生成的基准电压。

2、基准电压产生电路具有：电阻电路，具有可变电阻，该可变电阻电连接在第一节点与第二节点之间以及上述第一节点与第三节点之间，电阻值根据第一控制信号而变化；差动放大电路，在上述第二节点电连接有差动输入对中的一个，在上述第三节点电连接有上述差动输入对中的另一个，在输出节点生成基准电压；电流源电路，电连接在上述第二节点与第四节点之间以及上述第三节点与上述第四节点之间；以及调整电路，与上述输出节点电连接，通过对至少两个目标电压和上述基准电压进行比较，从而生成上述第一控制信号。

3、能够高精度地调整所生成的基准电压。

技术特征：

1.一种基准电压产生电路，其中，具有：

2.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其中，

3.根据权利要求2所述的基准电压产生电路，其中，

4.根据权利要求2或3所述的基准电压产生电路，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基准电压产生电路，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基准电压产生电路，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基准电压产生电路，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基准电压产生电路，其中，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的基准电压产生电路，其中，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的基准电压产生电路，其中，

11.根据权利要求1至10中任一项所述的基准电压产生电路，其中，

12.根据权利要求1至11中任一项所述的基准电压产生电路，其中，

13.根据权利要求11所述的基准电压产生电路，其中，

14.根据权利要求11或13所述的基准电压产生电路，其中，

15.一种半导体集成电路，其中，具有：

16.根据权利要求15所述的半导体集成电路，其中，

17.根据权利要求16所述的半导体集成电路，其中，

18.根据权利要求15至17中任一项所述的半导体集成电路，其中，

19.根据权利要求15至18中任一项所述的半导体集成电路，其中，

20.根据权利要求19所述的半导体集成电路，其中，

技术总结本发明涉及基准电压产生电路以及半导体集成电路，基准电压产生电路具有：电阻电路(117)，具有可变电阻，该可变电阻电连接在第一节点与第二节点之间以及上述第一节点与第三节点之间，电阻值根据第一控制信号而变化；差动放大电路(116)，在上述第二节点电连接有差动输入对中的一个，在上述第三节点电连接有上述差动输入对中的另一个，在输出节点生成基准电压；电流源电路(113～115)，电连接在上述第二节点与第四节点之间以及上述第三节点与上述第四节点之间；以及调整电路(301)，与上述输出节点电连接，通过对至少两个目标电压和上述基准电压进行比较，从而生成上述第一控制信号。技术研发人员：饭田裕太,小宫健吾受保护的技术使用者：株式会社索思未来技术研发日：技术公布日：2024/9/2