一种采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路的制作方法

本技术涉及可控直流线性稳压电源，尤其是一种采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路。

背景技术：

1、目前，可控直流线性稳压电源输出电压的设定方式主要有两种电路形式，第一种电路形式是电路中含有基准电压源，通过连接在输出端和输出地之间的分压电阻中的分压输出反馈电压与所述基准电压源的电压比较产生反馈，从而达到稳定输出电压的目的，其输出电压由所述基准电压源的电压与分压电阻的分压比所决定，此电路在正常输出时分压电阻中流过的电流远大于分压电阻中的分压输出反馈点所接电路的输入电流；第二种电路形式是电路中的设定端含有输出电流固定的恒流源，恒流源输出电流流过设定阻抗到地的电压降决定了其输出电压。采用所述第一种电路形式时，因目前所述分压电阻的分压比未找到简单的控制方法，因此，控制输出电压都是通过控制基准电压源的电压来实现对输出电压的控制。另外，采用所述第二种电路形式的直流线性稳压电路，可以通过外围电路转换成所述第一种电路形式的直流线性稳压电路。然而以上两种方式要实现直流线性稳压电源的高精度可控性，需要精密可控电阻或数字电位器来实现，而精密可控电阻并无现成的产品，目前未见精密可控电阻的相关方案在文献中发表，实现起来比较复杂；而采用数字电位器，由于可控直流线性稳压电源输出电压与数字电位器设定是非线性关系，只能采用精度高、位数高的产品，这类产品厂家极少且价格很高。

技术实现思路

1、本实用新型通过pwm信号对输出电压进行调控，实现直流线性稳压电路的输出电压的可控性，结构简单，电路结构稳定，制作成本低，且很容易实现很高的精度。

2、为解决上述现有技术问题，本实用新型提供一种采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，包括：

3、直流线性稳压模块；

4、精密可编程基准单元电路；

5、分压电路；

6、pwm信号控制电路；

7、所述直流线性稳压模块的输入端连接直流电压，所述直流线性稳压模块的输出端与所述分压电路连接，所述直流线性稳压模块的设定端与所述精密可编程基准单元电路连接；

8、所述精密可编程基准单元电路的参考端与所述分压电路的分压取样反馈节点连接；

9、所述pwm信号控制电路与所述分压电路的分压取样反馈节点连接。

10、进一步的，所述直流线性稳压模块包括电压稳压芯片，所述电压稳压芯片的输入端连接直流电压，所述电压稳压芯片的输出端与分压电路连接，所述电压稳压芯片的输出电压由所述电压稳压芯片的设定端的输出电流流过所述设定端与地之间的阻抗形成的电压降所决定，所述电压稳压芯片的设定端与所述精密可编程基准单元电路连接。

11、进一步的，所述精密可编程基准单元电路包括内部基准源、运算放大器及半导体开关器件，所述内部基准源的输出端与所述运算放大器的反向输入端连接，所述运算放大器的同向输入端与所述分压电路的分压取样反馈节点连接，所述运算放大器的输出端与所述半导体开关器件的控制端连接，所述半导体开关器件的阴极与电压稳压芯片的设定端连接，所述半导体开关器件的阳极接地。

12、进一步的，所述内部基准源包括精密可编程基准，所述精密可编程基准的cathode端通过电阻连接直流电源，所述精密可编程基准的cathode端通过电阻与所述运算放大电路的反向输入端连接，所述精密可编程基准的ref端与cathode端连接，所述精密可编程基准的anode端接地。

13、进一步的，所述半导体开关器件包括三极管，所述三极管的基极通过电阻与所述运算放大器的输出端连接，所述三极管的集电极与所述电压稳压芯片的设定端连接，所述三极管的发射极接地。

14、进一步的，所述半导体开关器件包括场效应管，所述场效应管的栅极与运算放大器的输出端连接，所述场效应管的漏极与电压稳压芯片的设定端连接，所述场效应管的源极接地。

15、进一步的，所述分压电路包括两串联电阻，所述两串联电阻的一端与电压稳压芯片的输出端连接，所述两串联电阻的另一端接地，两串联电阻互连的节点为所述分压取样反馈节点。

16、进一步的，所述pwm信号控制电路包括电流注入电阻、电压跟随器、可控pwm信号发生电路及电压基准源，所述电流注入电阻的一端与所述分压取样反馈节点连接，所述电流注入电阻的另一端与所述电压跟随器的输出端连接，所述电压跟随器的输入端与所述可控pwm信号发生电路的输出端连接，所述电压基准源与所述可控pwm信号发生电路的输入端连接，所述可控pwm信号发生电路的控制端连接pwm控制信号。

17、进一步的，所述可控pwm信号发生电路包括电阻和场效应管，所述电阻的一端与所述场效应管的漏极连接，所述电阻的另一端与所述电压基准源连接，所述场效应管的漏极与所述电压跟随器的输入端连接，所述场效应管的栅极连接pwm控制信号，所述场效应管的源极接地。

18、进一步的，所述可控pwm信号发生电路包括电阻和场效应管，所述电阻的一端与所述场效应管的源极连接，所述电阻的另一端接地，所述场效应管的源极与所述电压跟随器的输入端连接，所述场效应管的栅极连接pwm控制信号，所述场效应管的漏极与所述电压基准源连接。

19、本实用新型的有益效果体现在，本实用新型通过直流线性稳压模块、精密可编程基准单元电路、分压电路及pwm信号控制电路之间的相互配合，通过pwm信号对输出电压进行调控，实现直流线性稳压电路的输出电压的可控性，结构简单，电路结构稳定，制作成本低，且容易实现。

技术特征：

1.一种采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于：所述直流线性稳压模块包括电压稳压芯片，所述电压稳压芯片的输入端连接直流电压，所述电压稳压芯片的输出端与分压电路连接，所述电压稳压芯片的输出电压由所述电压稳压芯片的设定端的输出电流流过所述设定端与地之间的阻抗形成的电压降所决定，所述电压稳压芯片的设定端与所述精密可编程基准单元电路连接。

3.根据权利要求2所述的采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于：所述精密可编程基准单元电路包括内部基准源、运算放大器及半导体开关器件，所述内部基准源的输出端与所述运算放大器的反向输入端连接，所述运算放大器的同向输入端与所述分压电路的分压取样反馈节点连接，所述运算放大器的输出端与所述半导体开关器件的控制端连接，所述半导体开关器件的阴极与电压稳压芯片的设定端连接，所述半导体开关器件的阳极接地。

4.根据权利要求3所述的采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于：所述内部基准源包括精密可编程基准，所述精密可编程基准的cathode端通过电阻连接直流电源，所述精密可编程基准的cathode端通过电阻与所述运算放大器的反向输入端连接，所述精密可编程基准的ref端与cathode端连接，所述精密可编程基准的anode端接地。

5.根据权利要求3所述的采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于：所述半导体开关器件包括三极管，所述三极管的基极通过电阻与所述运算放大器的输出端连接，所述三极管的集电极与所述电压稳压芯片的设定端连接，所述三极管的发射极接地。

6.根据权利要求3所述的采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于：所述半导体开关器件包括场效应管，所述场效应管的栅极与运算放大器的输出端连接，所述场效应管的漏极与电压稳压芯片的设定端连接，所述场效应管的源极接地。

7.根据权利要求2所述的采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于：所述分压电路包括两串联电阻，所述两串联电阻的一端与电压稳压芯片的输出端连接，所述两串联电阻的另一端接地，两串联电阻互连的节点为所述分压取样反馈节点。

8.根据权利要求7所述的采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于：所述pwm信号控制电路包括电流注入电阻、电压跟随器、可控pwm信号发生电路及电压基准源，所述电流注入电阻的一端与所述分压取样反馈节点连接，所述电流注入电阻的另一端与所述电压跟随器的输出端连接，所述电压跟随器的输入端与所述可控pwm信号发生电路的输出端连接，所述电压基准源与所述可控pwm信号发生电路的输入端连接，所述可控pwm信号发生电路的控制端连接pwm控制信号。

9.根据权利要求8所述的采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于：所述可控pwm信号发生电路包括电阻和场效应管，所述电阻的一端与所述场效应管的漏极连接，所述电阻的另一端与所述电压基准源连接，所述场效应管的漏极与所述电压跟随器的输入端连接，所述场效应管的栅极连接pwm控制信号，所述场效应管的源极接地。

10.根据权利要求8所述的采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，其特征在于：所述可控pwm信号发生电路包括电阻和场效应管，所述电阻的一端与所述场效应管的源极连接，所述电阻的另一端接地，所述场效应管的源极与所述电压跟随器的输入端连接，所述场效应管的栅极连接pwm控制信号，所述场效应管的漏极与所述电压基准源连接。

技术总结本技术涉及一种采用精密可编程基准单元的可控直流线性稳压电路，所述电路包括直流线性稳压模块、精密可编程基准单元电路、分压电路及PWM信号控制电路，直流线性稳压模块的输入端连接直流电压，直流线性稳压模块的输出端与分压电路连接，直流线性稳压模块的设定端与精密可编程基准单元电路连接，精密可编程基准单元电路的参考端与分压电路的分压取样反馈节点连接，PWM信号控制电路与分压电路的分压取样反馈节点连接。本技术通过直流线性稳压模块、精密可编程基准单元电路、分压电路及PWM信号控制电路之间的相互配合，PWM信号对输出电压进行调控，实现直流线性稳压电路的输出电压的可控性，结构简单，电路结构稳定，制作成本低，且容易实现。技术研发人员：薛军,贾月超受保护的技术使用者：深圳市艾尔曼医疗电子仪器有限公司技术研发日：20231213技术公布日：2024/8/5