基准电压产生电路、模拟电路及存储芯片的制作方法

本申请涉及电子电路，具体而言，涉及一种基准电压产生电路、模拟电路及存储芯片。

背景技术：

1、相关技术中，基准电路若要产生一个与温度变化无关的基准电压，一般都会使用多个不同尺寸的双极结型晶体管实现。常用的做法是利用两个工作在不同电流密度下的双极结型晶体管的发射极-基极电压差来实现正温度系数电压，再结合1个bjt的发射极-基极电压实现负温度系数电压；然后再利用一个运算放大器进行电压钳位，从而输出与温度变化无关的、电压大小稳定的基准电压。该输出基准电压的基准电路需要采用较多的双极结型晶体管和运算放大器，存在占用面积大的缺点，且引入运算放大器会造成额外的功耗和匹配问题。

2、针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种基准电压产生电路、模拟电路及存储芯片，减小电路面积，并免去引入运算放大器额外产生的功耗和匹配性问题。

2、第一方面，本申请提供了一种基准电压产生电路，用于产生基准电压，所述基准电压产生电路包括：具有正温度系数的电流镜电路、第一电阻、双极结型晶体管和基准电压输出端；

3、所述电流镜电路的镜像电流输出端与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述双极结型晶体管的发射极连接，所述双极结型晶体管的基极和集电极接地，所述基准电压输出端与所述第一电阻的一端连接。

4、本申请的基准电压产生电路基于具有正温度系数的电流镜电路和第一电阻产生具有正温度系数的第一电阻电压vr1与具有负温度系数的双极结型晶体管的基极-发射极电压vbe，组成与温度变化无关的基准电压，与现有技术相比，该基准电压产生电路仅需采用一个双极结型晶体管作为电压补偿器件，减少了双极结型晶体管的用量，有效减少了电路的面积，同时免去了运算放大器，有效避免了引入运算放大器额外产生的功耗和匹配性问题，并进一步减少了电路的面积。

5、所述的基准电压产生电路，其中，所述电流镜电路包括：第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第五mos管、第六mos管、第七mos管和第二电阻；

6、所述第一mos管的第一端、所述第二mos管的第一端、所述第三mos管的第一端及所述第四mos管的第一端均连接供电电压，所述第一mos管的第二端与所述第二电阻的一端及所述第六mos管的第三端连接，所述第二电阻的另一端与第五mos管的第一端和第三端连接，所述第二mos管的第二端与所述第六mos管的第一端及所述第七mos管的第三端连接，所述第三mos管的第二端与所述第一mos管的第三端、所述第二mos管的第三端、所述第三mos管的第三端、所述第四mos管的第三端及所述第七mos管的第一端连接，所述第五mos管的第二端、所述第六mos管的第二端及所述第七mos管的第二端接地，所述第四mos管的第二端为所述镜像电流输出端。

7、在该示例中，电流镜电路的输入电流的大小由第二电阻决定，第二电阻为普通电阻，故具有正温度系数，即第二电阻的电阻率在温度升高时增大，进而使得镜像电流输出端输出的电流具有正温度系数，而形成正温度系数电流；该电流镜电路结构简单，在其内设置第二电阻即能产生正温度系数可控的正温度系数电流。

8、所述的基准电压产生电路，其中，所述第一mos管、所述第二mos管、所述第三mos管和所述第四mos管为pmos管，所述第五mos管、所述第六mos管和所述第七mos管为nmos管。

9、所述的基准电压产生电路，其中，所述基准电压输出端的输出电压为～1.2v。

10、所述的基准电压产生电路，其中，所述双极结型晶体管为pnp结型晶体管。

11、第二方面，本申请还提供了一种模拟电路，包括如第一方面提供的基准电压产生电路。

12、本申请的模拟电路采用了第一方面提供的基准电压产生电路，该基准电压产生电路基于具有正温度系数的电流镜电路和第一电阻产生具有正温度系数的第一电阻电压vr1与具有负温度系数的双极结型晶体管的基极-发射极电压vbe，组成与温度变化无关的基准电压，与现有技术相比，该基准电压产生电路仅需采用一个双极结型晶体管作为电压补偿器件，减少了双极结型晶体管的用量，有效减少了电路的面积，同时免去了运算放大器，有效避免了引入运算放大器额外产生的功耗和匹配性问题，并进一步减少了电路的面积，即有效减少了基准电压产生电路在本申请的模拟电路中的占用面积。

13、所述的模拟电路，其中，所述模拟电路还包括运算放大器、第三电阻和第八mos管；

14、所述运算放大器的负相输入端与所述基准电压输出端连接，所述运算放大器的正相输入端与所述第三电阻的一端及所述第八mos管的第二端连接，所述运算放大器的输出端与第八mos管的第三端连接，所述第八mos管的第一端与供电电压连接，所述第三电阻的另一端接地。

15、在该示例中，运算放大器能根据基准电压产生电路基准电压输出端输出的与温度变化无关的输出电压在其输出端产生需求大小的、与温度变化无关的放大电压，以在模拟电路中调控相应器件产生各类电信号。

16、所述的模拟电路，其中，所述模拟电路还包括第九mos管，所述第九mos管的第一端与供电电压连接，所述第九mos管的第三端与所述运算放大器的输出端连接，所述第九mos管的第二端用于输出偏置电流。

17、所述的模拟电路，其中，所述模拟电路还包括第十mos管，所述第十mos管的第一端与供电电压连接，所述第十mos管的第三端与所述运算放大器的输出端连接，所述第十mos管的第二端用于输出参考电压。

18、第三方面，本申请还提供了一种存储芯片，包括如第一方面提供的基准电压产生电路或如第二方面提供的模拟电路。

19、由上可知，本申请提供了一种基准电压产生电路、模拟电路及存储芯片，其中，基准电压产生电路基于具有正温度系数的电流镜电路和第一电阻产生具有正温度系数的第一电阻电压vr1与具有负温度系数的双极结型晶体管的基极-发射极电压vbe，组成与温度变化无关的基准电压，与现有技术相比，该基准电压产生电路仅需采用一个双极结型晶体管作为电压补偿器件，减少了双极结型晶体管的用量，有效减少了电路的面积，同时免去了运算放大器，有效避免了引入运算放大器额外产生的功耗和匹配性问题，并进一步减少了电路的面积。

技术特征：

1.一种基准电压产生电路，用于产生基准电压，其特征在于，所述基准电压产生电路包括：具有正温度系数的电流镜电路、第一电阻、双极结型晶体管和基准电压输出端；

2.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述电流镜电路包括：第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第五mos管、第六mos管、第七mos管和第二电阻；

3.根据权利要求2所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述第一mos管、所述第二mos管、所述第三mos管和所述第四mos管为pmos管，所述第五mos管、所述第六mos管和所述第七mos管为nmos管。

4.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述基准电压输出端的输出电压为～1.2v。

5.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述双极结型晶体管为pnp结型晶体管。

6.一种模拟电路，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的基准电压产生电路。

7.根据权利要求6所述的模拟电路，其特征在于，所述模拟电路还包括运算放大器、第三电阻和第八mos管；

8.根据权利要求7所述的模拟电路，其特征在于，所述模拟电路还包括第九mos管，所述第九mos管的第一端与供电电压连接，所述第九mos管的第三端与所述运算放大器的输出端连接，所述第九mos管的第二端用于输出偏置电流。

9.根据权利要求7所述的模拟电路，其特征在于，所述模拟电路还包括第十mos管，所述第十mos管的第一端与供电电压连接，所述第十mos管的第三端与所述运算放大器的输出端连接，所述第十mos管的第二端用于输出参考电压。

10.一种存储芯片，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的基准电压产生电路或如权利要求6-9任一项所述的模拟电路。

技术总结本发明涉及电子电路技术领域，具体公开了一种基准电压产生电路、模拟电路及存储芯片，其中，基准电压产生电路包括：具有正温度系数的电流镜电路、第一电阻、双极结型晶体管和基准电压输出端；电流镜电路的镜像电流输出端与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与双极结型晶体管的发射极连接，双极结型晶体管的基极和集电极接地，基准电压输出端与第一电阻的一端连接；该基准电压产生电路仅需采用一个双极结型晶体管作为电压补偿器件，减少了双极结型晶体管的用量，有效减少了电路的面积，同时免去了运算放大器，有效避免了引入运算放大器额外产生的功耗和匹配性问题，并进一步减少了电路的面积。技术研发人员：刘刚受保护的技术使用者：上海芯存天下电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2