防喷溅液体供应装置及单晶片处理设备的制作方法

本申请涉及一种湿处理设备，特别是涉及一种防喷溅液体供应装置及应用所述防喷溅液体供应装置的单晶片处理设备。

背景技术：

1、在半导体工艺中，晶片会经历如蚀刻、清洗等多道工艺处理程序。随着工艺复杂度增加，现已发展出一种单晶片旋转湿处理机台。单晶片旋转湿处理机台可对旋转台上的晶片施加不同化学性质的工艺液体，以对晶片上的金属层或材料薄膜层进行蚀刻与清洗。

2、然而，随着如三维集成电路(3d-ic)采用晶片堆迭式封装，晶片的表面往往存在有芯片与晶片键合(chip on wafer)结构而非平坦表面，故在应用单晶片旋转湿处理机台施加工艺液体蚀刻与清洗所述非平坦晶片表面时，所采用液体的喷溅或于处理所述非平坦晶片表面时的反应产物的喷溅会引起微粒漂浮而回沾到晶片表面或芯片与晶片界面处，从而造成更为严重的晶片污染问题。

3、有鉴于此，有必要提出一种防喷溅液体供应装置及单晶片处理设备，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、为解决上述现有技术的问题，本申请的目的在于提供一种防喷溅液体供应装置及应用所述防喷溅液体供应装置的单晶片处理设备，以减少或避免当施加工艺液体处理晶片表面时，因为液体喷溅所造成的晶片污染问题。

2、为达成上述目的，本申请提供一种防喷溅液体供应装置，包括：旋转立柱、悬臂、喷嘴、第一遮罩、第二遮罩和排放管路。悬臂的一端连接至所述旋转立柱。喷嘴固定在悬臂的另一端，并且当旋转立柱旋转时藉由悬臂带动喷嘴在晶片上方进行往复移动并喷洒工艺液体。第一遮罩与第二遮罩同轴地固定在所述喷嘴上，第二遮罩包覆第一遮罩，第一遮罩与第二遮罩分别具有面向晶片的第一开口与第二开口，而第二开口较第一开口更靠近所述晶片。排放管路连结于第二遮罩，配置为于第一遮罩与第二遮罩之间形成负压空间，并通过负压空间吸取来自晶片的工艺液体的喷溅及/或工艺液体与晶片的反应产物的喷溅。

3、在一些实施例中，所述防喷溅液体供应装置更包括多个芯片，所述多个芯片分别键合于所述晶片的所述表面。

4、在一些实施例中，工艺液体为蚀刻液或去离子水。

5、在一些实施例中，第一遮罩与第二遮罩之间具有约为3毫米的间距，第一遮罩距晶片的表面的距离约为5-8毫米，而第二遮罩距晶片的表面的距离约为2-5毫米。

6、在一些实施例中，第一遮罩与第二遮罩的形状可为相同或不相同。

7、本申请还提供一种单晶片处理设备，包括：旋转台、防喷溅液体供应装置和液体回收装置。旋转台配置为放置晶片。防喷溅液体供应装置为前述的防喷溅液体供应装置，设置在旋转台上方，且配置为对晶片施加工艺液体。液体回收装置，环绕地设置在旋转台的周围，且配置收集从旋转台甩出的工艺液体。

8、相较于先前技术，本申请藉由在单晶片处理设备内的防喷溅液体供应装置内的喷嘴上同轴地固定第一遮罩与第二遮罩，使第二遮罩包覆第一遮罩，以及使排放管路连结于所述第二遮罩，及使排放管路配置为于所述第一遮罩与第二遮罩之间形成负压空间，进而通过负压空间吸取来自晶片的工艺液体的喷溅及/或工艺液体与晶片的反应产物的喷溅，使其免于变成微粒漂浮而回沾到晶片表面或芯片与晶片界面，从而减少或甚至避免造成晶片污染问题。

技术特征：

1.一种防喷溅液体供应装置，其特征在于，所述防喷溅液体供应装置包括：

2.如权利要求1所述的防喷溅液体供应装置，其特征在于，所述防喷溅液体供应装置更包括多个芯片，所述多個芯片分别键合于所述晶片的所述表面。

3.如权利要求1所述的防喷溅液体供应装置，其特征在于，所述工艺液体为蚀刻液或去离子水。

4.如权利要求1所述的防喷溅液体供应装置，其特征在于，所述第一遮罩与所述第二遮罩之间具有约为3毫米的间距，所述第一遮罩距所述晶片的所述表面的距离约为5-8毫米，而所述第二遮罩距所述晶片的所述表面的距离约为2-5毫米。

5.如权利要求1所述的防喷溅液体供应装置，其特征在于，所述第一遮罩与所述第二遮罩的形状可为相同或不相同。

6.一种单晶片处理设备，其特征在于，所述单晶片处理设备包括：

7.如权利要求6所述的单晶片处理设备，其特征在于，所述单晶片处理设备更包括多个芯片，所述多个芯片分别键合于所述晶片的所述表面上。

8.如权利要求6所述的单晶片处理设备，其特征在于，所述所述工艺液体为蚀刻液或去离子水。

9.如权利要求6所述的单晶片处理设备，其特征在于，所述所述第一遮罩与所述第二遮罩之间具有约为3毫米的间距，所述第一遮罩距所述晶片的所述表面的距离约为5-8毫米，而所述第二遮罩距所述晶片的所述表面的距离约为2-5毫米。

10.如权利要求6所述的单晶片处理设备，其特征在于，所述所述第一遮罩与所述第二遮罩的形状可为相同或不相同。

技术总结本申请公开了一种防喷溅液体供应装置及单晶片处理设备。防喷溅液体供应装置，包括旋转立柱、悬臂、喷嘴、第一遮罩、第二遮罩和排放管路。悬臂的一端连接至所述旋转立柱。喷嘴固定在悬臂的另一端，并且当旋转立柱旋转时藉由悬臂带动喷嘴在晶片上方进行往复移动并喷洒工艺液体。第一遮罩与第二遮罩同轴地固定在所述喷嘴上，第二遮罩包覆第一遮罩。排放管路连结于第二遮罩，配置为于第一遮罩与第二遮罩之间形成负压空间，并通过负压空间吸取来自晶片的工艺液体的喷溅及/或工艺液体与晶片的反应产物的喷溅。技术研发人员：黄立佐,张修凯,吴进原,许明哲受保护的技术使用者：弘塑科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12