保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置的制作方法

本发明涉及保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置。

背景技术：

1、近年来，正在进行应用了被称为所谓倒装(face down)方式的安装方法的半导体装置的制造，所述倒装方式为在使电路面朝向基板侧的状态下将半导体芯片安装在基板上的方法。

2、在倒装方式中，为了将形成于半导体芯片的电路面的凸块等电极与基板接合，有时在半导体芯片的背面形成保护膜来避免成为半导体芯片的与电路面相反侧的背面露出的状态。

3、保护膜在半导体芯片的制造过程及半导体芯片的安装后发挥保护半导体芯片不受到外部冲击等的作用。另外，保护膜可用于基于激光打印的半导体芯片的识别、装饰等。此外，保护膜还能够作为防止电路的误动作的遮光层而发挥功能。

4、保护膜例如可使用保护膜形成用膜形成。作为保护膜形成用膜，从机械强度、耐热性等的观点考虑，使用了由具有热固性或能量射线固化性的树脂组合物构成的固化性的膜。通过将固化性的保护膜形成用膜在粘贴于半导体晶片、半导体芯片等保护对象物后进行固化，形成了由其固化物构成的保护膜。

5、例如，在专利文献1中公开了具有固化后的铅笔硬度为5h以上的固化性保护膜形成层的芯片保护用膜。

6、现有技术文献

7、专利文献

8、专利文献1：日本特开2009-147277号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、然而，近年来，从提高安全性的观点考虑，对电子部件的阻燃性的要求水平提高。作为用于提高塑料产品的阻燃性的阻燃剂，以往以来使用了卤素类阻燃剂，但卤素类阻燃剂存在焚烧时排放有毒物质的嫌疑，正在推进控制其使用的动向。

3、然而，根据本发明人等的研究查明，如果使用卤素类阻燃剂的替代阻燃剂来实现保护膜形成用膜的阻燃化，则难以兼顾由保护膜形成用膜形成的保护膜的阻燃性和粘接性。

4、本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能够形成兼顾阻燃性和粘接性的保护膜的保护膜形成用膜、使用了该保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置。

5、解决问题的方法

6、本发明人等发现，着眼于保护膜形成用膜表面的磷原子的存在比率及铜箔剥离强度能够解决上述问题，从而完成了本发明。

7、即，本发明涉及下述[1]~[13]。

8、[1] 一种保护膜形成用膜，其具有固化性，

9、通过利用x射线光电子分光分析法对上述保护膜形成用膜的至少一个表面进行分析而检测出的磷原子数相对于碳原子、氮原子、氧原子、磷原子及硅原子的总数的比率为0.4原子%以上，

10、上述保护膜形成用膜的固化物的铜箔剥离强度为3.0n/10mm以上。

11、[2] 根据上述[1]所述的保护膜形成用膜，其中，

12、上述磷原子数的比率为0.4原子%以上的表面的磷原子数的比率为5.0原子%以下。

13、[3] 根据上述[1]或[2]所述的保护膜形成用膜，其中，

14、上述保护膜形成用膜的一个表面的上述磷原子数的比率[x]与上述保护膜形成用膜的另一个表面的上述磷原子数的比率[y]之比[x/y]为0.7~1.4。

15、[4] 根据上述[1]~[3]中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，

16、上述保护膜形成用膜具有热固性。

17、[5] 根据上述[1]~[4]中任一项所述的保护膜形成用膜，其是使用含有(a)热塑性树脂和(b)热固性树脂的树脂组合物形成的。

18、[6] 根据上述[5]所述的保护膜形成用膜，其中，

19、上述(a)热塑性树脂为丙烯酸树脂。

20、[7] 根据上述[5]或[6]所述的保护膜形成用膜，其中，

21、上述(b)热固性树脂为环氧树脂。

22、[8] 根据上述[1]~[7]中任一项所述的保护膜形成用膜，其厚度为1~100μm。

23、[9] 根据上述[1]~[8]中任一项所述的保护膜形成用膜，其粘贴于半导体晶片的背面，用于带保护膜的半导体芯片的制造。

24、[10] 一种保护膜形成用复合片，其具有上述[1]~[9]中任一项所述的保护膜形成用膜被2片剥离膜挟持的构成。

25、[11] 一种保护膜形成用复合片，其依次具有：

26、基材、

27、粘合剂层、以及

28、上述[1]~[9]中任一项所述的保护膜形成用膜。

29、[12] 一种带保护膜的半导体芯片，其具有保护膜，所述保护膜为上述[1]~[9]中任一项所述的保护膜形成用膜的固化物。

30、[13] 一种半导体装置，其具有上述[12]所述的带保护膜的半导体芯片。

31、发明的效果

32、根据本发明，可以提供能够形成兼顾阻燃性和粘接性的保护膜的保护膜形成用膜、使用了该保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置。

技术特征：

1.一种保护膜形成用膜，其具有固化性，

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，

3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

4.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

5.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其是使用含有(a)热塑性树脂和(b)热固性树脂的树脂组合物形成的。

6.根据权利要求5所述的保护膜形成用膜，其中，

7.根据权利要求5所述的保护膜形成用膜，其中，

8.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其厚度为1~100μm。

9.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其粘贴于半导体晶片的背面，用于带保护膜的半导体芯片的制造。

10.一种保护膜形成用复合片，其具有权利要求1或2所述的保护膜形成用膜被2片剥离膜挟持的构成。

11.一种保护膜形成用复合片，其依次具有：

12.一种带保护膜的半导体芯片，其具有保护膜，所述保护膜为权利要求1或2所述的保护膜形成用膜的固化物。

13.一种半导体装置，其具有权利要求12所述的带保护膜的半导体芯片。

技术总结本发明涉及保护膜形成用膜、使用了该保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置，上述保护膜形成用膜具有固化性，通过利用X射线光电子分光分析法对上述保护膜形成用膜的至少一个表面进行分析而检测出的磷原子数相对于碳原子、氮原子、氧原子、磷原子及硅原子的总数的比率为0.4原子%以上，上述保护膜形成用膜的固化物的铜箔剥离强度为3.0N/10mm以上。技术研发人员：上村和惠,渡边康贵受保护的技术使用者：琳得科株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/17