半导体元件、半导体元件阵列以及晶片的制作方法

本发明涉及半导体元件、半导体元件阵列以及晶片。

背景技术：

1、以往，已知通过在晶片上层叠半导体层、导体层等来形成多个光半导体元件部，再从晶片裁切该多个光半导体元件部来制造多个光半导体元件的技术(例如，专利文献1)。

2、在专利文献1中，晶片上相邻的电极之间通过布线(导通线)而电连接。由此，在光半导体元件的制造工序中在通过电镀而形成设置于该光半导体元件的每一个的电极时，抑制由于各部的电位差而产生电极的厚度的偏差(个体差)。在半导体层的上表面与布线之间设置有如电介质层那样的绝缘层。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2014-139996号公报

技术实现思路

1、-发明所要解决的课题-

2、然而，当被设置为绝缘层在晶片上跨越多个光半导体元件部的边界时，该绝缘层成为障碍，例如，有可能产生光半导体元件部难以从晶片裁切，或者包括活性层的光半导体元件的被切断的端面容易变得粗糙等不良现象。此外，与此相同的不良现象在不是光半导体元件的半导体元件中也可能发生。

3、因而，本发明的课题之一是，例如能够更容易、更可靠或者更高精度地从晶片裁切多个半导体元件部，得到新的被改善的半导体元件、半导体元件阵列以及晶片。

4、-用于解决课题的手段-

5、本发明的半导体元件例如具备：主体，包括基板、在该基板上沿着第一方向层叠的多个半导体层、所述第一方向的端面以及构成在所述第一方向的相反方向观察的情况下的周缘的边缘；绝缘层，覆盖所述端面；电极，相对于所述端面设置在与所述基板相反的一侧；以及至少一个布线，与所述电极电连接，并且在该电极与所述边缘之间延伸，在所述端面沿着所述边缘设置有所述绝缘层的非形成区域，所述绝缘层在与所述非形成区域偏离开的位置具有夹设于所述端面与所述布线之间的夹设部位。

6、所述半导体元件也可以构成为具备作为所述半导体层的活性层和对该活性层供给电流的所述电极的光半导体元件。

7、所述半导体元件也可以具备多个布线来作为所述布线，所述布线包括设置在所述非形成区域上的第一布线和设置在所述夹设部位上的第二布线。

8、所述半导体元件也可以具备极性相互不同的第一电极和第二电极来作为所述电极，所述第一布线与所述第一电极电连接，所述第二布线与所述第二电极电连接。

9、在所述半导体元件中，所述第二电极也可以与所述基板电连接。

10、所述半导体元件也可以，作为所述边缘，具备：第一边缘，位于与所述第一方向交叉的第二方向的前方以及后方；和第二边缘，位于与所述第一方向以及所述第二方向交叉的第三方向的前方以及后方，作为所述布线，具备在所述电极与所述第一边缘之间延伸的布线，并且不具备在所述电极与所述第二边缘之间延伸的布线。

11、所述半导体元件也可以具备不与所述电极电连接而在所述第一边缘与所述第二边缘之间延伸的第三布线。

12、本发明的半导体元件也可以例如具备：主体，包括基板、在该基板上沿着第一方向层叠的多个半导体层、所述第一方向的端面以及构成在所述第一方向的相反方向观察的情况下的周缘的边缘；绝缘层，覆盖所述端面；电极，设置在所述端面之上；以及至少一个布线，与所述电极电连接，并且在该电极与所述边缘之间延伸，在所述端面设置有沿着所述边缘的所述绝缘层的非形成区域，作为所述边缘，具备：第一边缘，位于与所述第一方向交叉的第二方向的前方以及后方；和第二边缘，位于与所述第一方向以及所述第二方向交叉的第三方向的前方以及后方，作为所述布线，具备在所述电极与所述第一边缘之间延伸的布线，并且不具备在所述电极与所述第二边缘之间延伸的布线。

13、本发明的半导体元件阵列也可以例如具备：主体，包括基板、在该基板上沿着第一方向层叠的多个半导体层、所述第一方向的端面以及第一边缘，该第一边缘在所述第一方向的相反方向观察的情况下位于与所述第一方向交叉的第二方向的前方以及后方；绝缘层，覆盖所述端面；多个电极，设置在所述端面上；以及至少一个布线，与所述电极电连接，并且在该电极与所述第一边缘之间延伸，所述半导体元件阵列构成有在与所述第一方向以及所述第二方向交叉的第三方向上排列的多个半导体元件部，在所述端面上，在沿着所述第一方向的相反方向观察的情况下，沿着所述第一边缘设置有绝缘层的非形成区域，并且所述绝缘层在与所述非形成区域偏离开的位置具有夹设于所述端面与所述布线之间的夹设部位。

14、在所述半导体元件阵列中，所述多个半导体元件部也可以具有大致相同的结构。

15、所述半导体元件阵列也可以具备：两个第一布线，它们是作为所述布线的两个第一布线，在所述第二方向上相互相邻的各个电极与所述第二方向的前方以及后方中的一个所述第一边缘之间延伸，在所述第三方向上隔开间隔地排列；以及第四布线，具有位于所述第二方向的前方以及后方中的另一个第一边缘并且在第三方向相互隔开间隔地排列的两个端部，经由从该另一个第一边缘离开的位置在所述两个端部之间延伸，并与所述两个第一布线在所述第二方向上排列。

16、在所述半导体元件阵列中，所述半导体元件部也可以分别构成为具有作为所述半导体层的活性层和对该活性层供给电流的所述电极的光半导体元件部。

17、本发明的晶片例如也可以具备基板、在所述基板上沿第一方向层叠的多个半导体层、所述第一方向的端面、以及在与所述第一方向交叉的第二方向以及与所述第一方向及所述第二方向交叉的第三方向上排列成矩阵状的多个半导体元件部，从该晶片裁切出的半导体元件部构成为上述半导体元件或上述半导体元件阵列，作为所述电极的多个电极经由所述布线电连接。

18、在所述晶片中，所述半导体元件部也可以分别构成为具有作为所述半导体层的活性层和对该活性层供给电流的所述电极的光半导体元件部。

19、-发明效果-

20、根据本发明，能够得到新的被改良过的半导体元件、半导体元件阵列以及晶片。

技术特征：

1.一种半导体元件，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体元件，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其中，

8.一种半导体元件，具备：

9.一种半导体元件阵列，具备：

10.根据权利要求9所述的半导体元件阵列，其中，

11.根据权利要求9或10所述的半导体元件阵列，其中，

12.根据权利要求9～11中任一项所述的半导体元件阵列，其中，

13.一种晶片，具备在与所述第一方向交叉的第二方向以及与所述第一方向及所述第二方向交叉的第三方向上排列成矩阵状的多个半导体元件部，从该晶片裁切出的半导体元件部构成为权利要求1～8中任一项所述的半导体元件或权利要求9～12中任一项所述的半导体元件阵列，

14.根据权利要求13所述的晶片，其中，

技术总结半导体元件例如具备：主体，包括基板、在该基板上沿着第一方向层叠的多个半导体层、第一方向的端面以及构成在第一方向的相反方向观察的情况下的周缘的边缘；绝缘层，覆盖端面；电极，相对于端面设置在与基板相反的一侧；以及至少一个布线，与电极电连接，并且在该电极与所述边缘之间延伸，在端面沿着边缘设置有绝缘层的非形成区域，绝缘层在与非形成区域偏离开的位置具有夹设于端面与布线之间的夹设部位。技术研发人员：八尾健一郎,吉田匡广受保护的技术使用者：古河电气工业株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/17