堆叠半导体装置的制作方法

本公开大体上涉及半导体装置组合件，且更具体地说涉及堆叠半导体装置。

背景技术：

1、微电子装置通常具有裸片(即，芯片)，所述裸片包含具有高密度的极小组件的集成电路系统。通常，裸片包含电耦合到集成电路系统的接合衬垫的阵列。接合衬垫是外部电接触件，供电电压、信号等通过所述接合衬垫发射到集成电路系统及从集成电路系统发射。在形成裸片之后，“封装”裸片以将接合衬垫耦合到可较容易地耦合到各种电力供应线、信号线和接地线的电端子的较大阵列。用于封装裸片的常规工艺包含将裸片上的接合衬垫电耦合到引线、球衬垫或其它类型的电端子的阵列，且囊封裸片以使其免受环境因素(例如，湿气、微粒、静电和物理冲击)的影响。

技术实现思路

1、在一个方面中，本公开提供一种半导体装置组合件，所述半导体装置组合件包括：衬底；半导体裸片的第一堆叠，其耦合到所述衬底使得半导体裸片的所述第一堆叠具有第一覆盖区；半导体裸片的第二堆叠，其耦合到所述衬底使得半导体裸片的所述第二堆叠具有与所述第一覆盖区部分地重叠的第二覆盖区，其中半导体裸片的所述第一堆叠和半导体裸片的所述第二堆叠布置成交替图案，使得半导体裸片的所述第一堆叠中的第一半导体裸片中的每一者竖直安装到半导体裸片的所述第二堆叠中的第二半导体裸片中的相应第二半导体裸片并与所述相应第二半导体裸片直接接合，且其中半导体裸片的所述第一堆叠和半导体裸片的所述第二堆叠交错，使得所述第一半导体裸片中的每一者的第一暴露部分暴露超出所述第二覆盖区，且所述第二半导体裸片中的每一者的第二暴露部分暴露超出所述第一覆盖区；第一导电结构，其在所述第一暴露部分处在相邻对的所述第一半导体裸片之间延伸，所述第一导电结构电耦合半导体裸片的所述第一堆叠；以及第二导电结构，其在所述第二暴露部分处在相邻对的所述第二半导体裸片之间延伸，所述第二导电结构电耦合半导体裸片的所述第二堆叠。

2、在另一方面中，本公开提供一种制造半导体装置组合件的方法，所述方法包括：将第一半导体裸片安装到衬底，使得所述第一半导体裸片具有第一覆盖区；形成电耦合所述第一半导体裸片和所述衬底的第一导电结构；将第二半导体裸片安装到所述第一半导体裸片，使得所述第二半导体裸片具有与所述第一覆盖区部分地重叠的第二覆盖区，其中所述第一半导体裸片的第一暴露部分暴露超出所述第二覆盖区，且所述第二半导体裸片的第二暴露部分暴露超出所述第一覆盖区；形成电耦合所述第二半导体裸片和所述衬底的第二导电结构，所述第二导电结构在所述第二暴露部分和所述衬底之间延伸；将第三半导体裸片安装到所述第二半导体裸片，使得所述第三半导体裸片具有所述第一覆盖区，其中所述第三半导体裸片的第三暴露部分暴露超出所述第二覆盖区；形成电耦合所述第三半导体裸片和所述第一半导体裸片的第三导电结构，所述第三导电结构在所述第一暴露部分和所述第三暴露部分之间延伸；将第四半导体裸片安装到所述第三半导体裸片，使得所述第四半导体裸片具有所述第二覆盖区，其中所述第四半导体裸片的第四暴露部分暴露超出所述第一覆盖区；以及形成电耦合所述第四半导体裸片和所述第二半导体裸片的第四导电结构，所述第四导电结构在所述第二暴露部分和所述第四暴露部分之间延伸。

3、在另一方面中，本公开提供一种半导体装置组合件，所述半导体装置组合件包括：衬底；第一半导体裸片，其耦合到所述衬底，使得所述第一半导体裸片具有第一覆盖区；第二半导体裸片，其堆叠于所述第一半导体裸片上，使得所述第二半导体裸片具有不同于所述第一覆盖区的第二覆盖区，其中所述第一半导体裸片的第一暴露部分暴露超出所述第二覆盖区，且所述第二半导体裸片的第二暴露部分暴露超出所述第一覆盖区；第三半导体裸片，其堆叠于所述第二半导体裸片上，使得所述第三半导体裸片具有所述第一覆盖区；第四半导体裸片，其堆叠于所述第三半导体裸片上，使得所述第四半导体裸片具有所述第二覆盖区，其中所述第三半导体裸片的第三暴露部分暴露超出所述第二覆盖区，且所述第四半导体裸片的第四暴露部分暴露超出所述第一覆盖区；第一导电结构，其电耦合所述第一半导体裸片和所述衬底，所述第一导电结构在所述第一半导体裸片和所述衬底之间延伸；第二导电结构，其电耦合所述第二半导体裸片和所述衬底，所述第二导电结构在所述第二暴露部分和所述衬底之间延伸；第三导电结构，其电耦合所述第三半导体裸片和所述第一半导体裸片，所述第三导电结构在所述第三暴露部分和所述第一暴露部分之间延伸；以及第四导电结构，其电耦合所述第四半导体裸片和所述第二半导体裸片，所述第四导电结构在所述第四暴露部分和所述第二暴露部分之间延伸。

技术特征：

1.一种半导体装置组合件，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中：

6.根据权利要求5所述的半导体装置组合件，其中：

7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中：

8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中：

9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一导电结构或所述第二导电结构包括微凸块。

10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

11.一种制造半导体装置组合件的方法，其包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

13.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

14.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一导电结构在所述第一暴露部分和所述衬底之间延伸。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一导电结构、所述第二导电结构、所述第三导电结构或所述第四导电结构包括微凸块。

17.一种半导体装置组合件，其包括：

18.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

19.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

20.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其中；

技术总结本申请涉及堆叠半导体装置。提供一种半导体装置，所述半导体装置可包含衬底，以及耦合到所述衬底的半导体裸片的第一和第二堆叠。半导体裸片的所述第一堆叠和半导体裸片的所述第二堆叠交错，使得半导体裸片的所述第一堆叠具有第一覆盖区，且半导体裸片的所述第二堆叠具有与所述第一覆盖区部分地重叠的第二覆盖区。半导体裸片的所述第一堆叠和半导体裸片的所述第二堆叠交替，使得半导体裸片的所述第一堆叠的每一半导体裸片竖直安装到半导体裸片的所述第二堆叠的相应半导体裸片。导电结构在半导体裸片的所述第一和第二堆叠的分别暴露超出所述第二覆盖区和所述第一覆盖区的部分之间延伸，以电耦合所述半导体裸片。技术研发人员：郑延昇受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12