红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件与流程

本公开涉及红外探测，尤其涉及一种红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件。

背景技术：

1、目前，红外成像技术因其探测距离远、探测灵敏度高以及能在夜间工作等优异的性能而备受关注，并通常会与其他技术结合使用来拓展用途。例如：由于不同的物体或同一物体会产生出不同的偏振状态，通过将偏振技术与红外成像技术结合使用，能够实现在复杂的背景中轻松的识别出目标对象。

2、在红外偏振成像技术中，偏振片如光栅负责识别目标对象的偏振信息，其一同与胶体量子点构成红外偏振器件中不可或缺的组成部分。但是，现有的红外偏振成像技术通常采用光刻工艺在胶体量子点表面制备偏振片，这种方式应用于胶体量子点表面会不可避免地对量子点的化学性质造成损害，从而导致红外偏振器件的偏振探测性能下降。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件。

2、本公开提供了一种红外偏振器件的制备方法，包括：

3、提供基底；所述基底的一侧形成有第一电极；

4、在所述第一电极背离所述基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构；所述第一量子点探测结构为物理成型；

5、在所述第一量子点探测结构背离所述第一电极的一侧沉积形成光栅阵列结构；

6、其中，所述光栅阵列结构复用为第二电极。

7、可选地，还包括：

8、在所述光栅阵列结构背离所述第一量子点探测结构的一侧依次形成n型掺杂层、本征型量子点层以及p型掺杂层，得到第二量子点探测结构；

9、在所述第二量子点探测结构背离所述光栅阵列结构的一侧沉积形成第三电极。

10、可选地，所述在所述第一电极背离所述基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构，包括：

11、采用旋涂或喷涂的工艺在所述第一电极背离所述基底的一侧依次形成n型掺杂层和本征型量子点层；

12、采用纳米压印工艺对所述本征型量子点层进行压印处理，形成具有预设凹凸图案的所述本征型量子点层；

13、采用旋涂或喷涂的工艺在所述本征型量子点层背离所述n型掺杂层的一侧形成p型掺杂层。

14、本公开还提供了一种红外偏振器件，包括：

15、基底；

16、第一电极，设置于所述基底的一侧；

17、第一量子点探测结构，设置于所述第一电极背离所述基底的一侧；所述第一量子点探测结构具有预设凹凸图案，且为物理成型；

18、光栅阵列结构，设置于所述第一量子点探测结构背离所述第一电极的一侧；

19、其中，所述光栅阵列结构复用为第二电极。

20、可选地，该红外偏振器件还包括：

21、第二量子点探测结构，设置于所述光栅阵列结构背离所述第一量子点探测结构的一侧；

22、第三电极，设置于所述第二量子点探测结构背离所述光栅阵列结构的一侧。

23、可选地，所述第二量子点探测结构与所述第一量子点探测结构均包括：

24、沿所述第一电极指向所述第三电极的方向依次层叠设置的n型掺杂层、本征型量子点层以及p型掺杂层。

25、可选地，所述n型掺杂层的厚度为：10nm~50nm；

26、所述本征型量子点层的厚度为：400nm~500nm；

27、所述p型掺杂层的厚度为：10nm~50nm。

28、可选地，所述光栅阵列结构包括阵列排布的光栅单元，且沿垂直于所述基底所在平面的方向，每个所述光栅单元包括在第一高度和第二高度处交替设置的光栅线条；

29、相邻预设数量的所述光栅单元形成一光栅组；同一所述光栅组中各所述光栅单元的光栅线条延伸方向不同；不同光栅线条延伸方向的所述光栅单元用于透射不同偏振方向的红外光。

30、可选地，同一所述光栅组的各所述光栅单元的光栅线条延伸方向依次间隔相同角度。

31、可选地，所述基底包括信号读出电路；所述信号读出电路包括阵列排布的像素区域；

32、所述光栅单元在所述基底上的垂直投影与所述像素区域一一对应。

33、本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：

34、本公开实施例提供的红外偏振器件的制备方法，包括：提供基底；基底的一侧形成有第一电极；在第一电极背离基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构；第一量子点探测结构为物理成型；在第一量子点探测结构背离第一电极的一侧沉积形成光栅阵列结构；其中，光栅阵列结构复用为第二电极。如此，通过在具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构上沉积形成光栅阵列结构，不会对第一量子点探测结构的化学性质造成损害，利于提升红外偏振器件的偏振探测性能。

技术特征：

1.一种红外偏振器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的红外偏振器件的制备方法，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的红外偏振器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极背离所述基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构，包括：

4.一种红外偏振器件，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的红外偏振器件，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的红外偏振器件，其特征在于，所述第二量子点探测结构与所述第一量子点探测结构均包括：

7.根据权利要求6所述的红外偏振器件，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的红外偏振器件，其特征在于，所述光栅阵列结构包括阵列排布的光栅单元，且沿垂直于所述基底所在平面的方向，每个所述光栅单元包括在第一高度和第二高度处交替设置的光栅线条；

9.根据权利要求8所述的红外偏振器件，其特征在于，同一所述光栅组的各所述光栅单元的光栅线条延伸方向依次间隔相同角度。

10.根据权利要求8所述的红外偏振器件，其特征在于，所述基底包括信号读出电路；所述信号读出电路包括阵列排布的像素区域；

技术总结本公开涉及一种红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件，该制备方法包括：提供基底；基底的一侧形成有第一电极；在第一电极背离基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构；第一量子点探测结构为物理成型；在第一量子点探测结构背离第一电极的一侧沉积形成光栅阵列结构；其中，光栅阵列结构复用为第二电极。如此，通过在具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构上沉积形成光栅阵列结构，不会对第一量子点探测结构的化学性质造成损害，利于提升红外偏振器件的偏振探测性能。技术研发人员：刘雁飞,陈雯雯受保护的技术使用者：中芯热成科技（北京）有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/9/29