一种对硅片进行吸杂的方法及硅片与流程

本发明涉及硅片制造，具体涉及一种对硅片进行吸杂的方法及硅片。

背景技术：

1、硅为太阳能电池的原材料。在硅片制造工艺中，由于硅料中存在一定的金属杂质，而杂质原子的扩散、‌吸附以及穿入晶体中并在晶体中移动，‌或者在量子驱动效应过程中，容易导致硅片形成深能级缺陷，影响了对硅片的少子寿命，而少子寿命直接关系到太阳能电池的光电转换效率。因此，在硅片制备过程中，有效控制和减少金属杂质的含量对提升太阳能电池的效率至关重要。

技术实现思路

1、本发明旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明提供了一种对硅片进行吸杂的方法及硅片，具有降低硅片的金属杂质含量的优点。

2、为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

3、一种对硅片进行吸杂的方法，包括：

4、对初始硅片的表面进行腐蚀处理，得到具有表面微结构的第一硅片；所述第一硅片的比表面积为10m2/g~500m2/g；

5、在所述第一硅片的表面覆盖磷源，所述磷源为含磷化合物；

6、将表面覆盖磷源的所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间，以使得所述磷源与所述第一硅片反应，并在所述第一硅片的表面形成磷吸杂层；

7、清除加热处理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸杂层，得到吸杂硅片。

8、可选地，所述对初始硅片的表面进行腐蚀处理，得到具有表面微结构的第一硅片，包括：

9、将微结构腐蚀添加剂加入碱性溶液中混合均匀，得到表面微结构腐蚀液；所述微结构腐蚀添加剂包括多羟基有机化合物、多羧基有机化合物、多酚羟基有机化合物、多氨基类有机化合物中的至少一者，所述微结构腐蚀添加剂与所述碱性溶液的体积比为1：1000~1：100；

10、将所述表面微结构腐蚀液加热至预设温度，将初始硅片浸入所述表面微结构腐蚀液中，对所述初始硅片进行微结构腐蚀，直至反应时长达到预设时长，得到具有表面微结构的第一硅片。

11、可选地，所述在所述第一硅片的表面覆盖磷源，将表面覆盖磷源的所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间，包括：

12、在清洗和干燥后的所述第一硅片的表面涂敷磷源，并对所述第一硅片的表面进行干燥处理；所述磷源包括含磷化合物的水性溶液；

13、将表面涂敷磷源的所述第一硅片放置在隧道式退火炉的陶瓷滚轴传输带上，通过所述陶瓷滚轴传输带将所述第一硅片传输至所述隧道式退火炉内，传输速度为1m/min~6m/min；

14、向所述隧道式退火炉内通入保护气氛；所述保护气氛包括氧气、氩气、以及氮气中至少一者；

15、将所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间。

16、可选地，所述设定温度为600℃~900℃，所述设定时间为1min~3min。

17、可选地，所述第一硅片双面的磷源的总涂敷量为0.02mg/cm2~1mg/cm2。

18、可选地，磷源包括三氯氧磷，所述在所述第一硅片的表面覆盖磷源，将表面覆盖磷源的所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间，包括：

19、将清洗和干燥后的所述第一硅片放入管式炉中；

20、在设定温度下通过载气向所述管式炉中通入三氯氧磷，所述载气为氧气或氮气；

21、将所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间。

22、可选地，所述设定温度为600℃~900℃，所述设定时间为10min~60min。

23、可选地，所述设定温度包括第一阶段温度和第二阶段温度，所述第一阶段温度大于第二阶段温度，所述第一阶段温度为700℃~900℃，所述第二阶段温度为600℃~800℃。

24、可选地，所述清除加热处理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸杂层，得到吸杂硅片，包括：

25、通过氢氟酸溶液对加热处理后的所述第一硅片表面的所述磷吸杂层进行漂洗，得到吸杂硅片；所述氢氟酸溶液的浓度为1%~10%。

26、此外，本发明还提供了一种硅片，所述硅片由上述任一项所述的方法制得。本发明所提供的硅片与前述方法的有益效果推理过程相似，在此不再赘述。

27、本发明的这些特点和优点将会在下面的具体实施方式以及附图中进行详细的揭露。本发明最佳的实施方式或手段将结合附图来详尽表现，但并非是对本发明技术方案的限制。另外，在每个下文和附图中出现的这些特征、要素和组件是具有多个，并且为了表示方便而标记了不同的符号或数字，但均表示相同或相似构造或功能的部件。

技术特征：

1.一种对硅片进行吸杂的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对初始硅片的表面进行腐蚀处理，得到具有表面微结构的第一硅片，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一硅片的表面覆盖磷源，将表面覆盖磷源的所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述设定温度为600℃~900℃，所述设定时间为1min~3min。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一硅片双面的磷源的总涂敷量为0.02mg/cm2~1mg/cm2。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，磷源包括三氯氧磷，所述在所述第一硅片的表面覆盖磷源，将表面覆盖磷源的所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述设定温度为600℃~900℃，所述设定时间为10min~60min。

8.根据权利要求5或7所述的方法，其特征在于，所述设定温度包括第一阶段温度和第二阶段温度，所述第一阶段温度大于第二阶段温度，所述第一阶段温度为700℃~900℃，所述第二阶段温度为600℃~800℃。

9.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述清除加热处理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸杂层，得到吸杂硅片，包括：

10.一种硅片，其特征在于，所述硅片由权利要求1至9中任一项所述的方法制得。

技术总结本发明公开了一种对硅片进行吸杂的方法及硅片，涉及硅片制造领域，所述方法包括：对初始硅片的表面进行腐蚀处理，得到具有表面微结构的第一硅片；所述第一硅片的比表面积为10m<supgt;2</supgt;/g~500m<supgt;2</supgt;/g；在所述第一硅片的表面覆盖磷源，所述磷源为含磷化合物；将表面覆盖磷源的所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间，以使得所述磷源与所述第一硅片反应，并在所述第一硅片的表面形成磷吸杂层；清除加热处理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸杂层，得到吸杂硅片。本发明具有降低硅片的金属杂质含量的优点。技术研发人员：李晓强,陈鹏,张新鹏受保护的技术使用者：杭州晶宝新能源科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/29