反射型掩模坯料的制造方法、反射型掩模坯料以及聚焦离子束加工装置与流程

本发明涉及在半导体制造领域中使用的反射型掩模坯料的制造方法、反射型掩模坯料以及聚焦离子束加工装置。

背景技术：

1、近年来，在光刻技术中，使用了极紫外(extreme ultra violet：以下称为euv)光的曝光技术被认为是有前途的。euv光是指软x射线区域或真空紫外线区域的波段的光，其波长为0.2～100nm左右。这样的短波段的光无法透过光学构件，因此，在目前为止利用的光透射型掩模中，euv光无法到达光致抗蚀剂。因此，作为使用了该euv光的曝光用掩模，使用光不穿过掩模内的反射型掩模。

2、该反射型掩模在基板的整面上形成有被赋予了反射曝光光的功能的反射多层膜(例如，mo/si多层膜)，在该反射多层膜上与电路图案对应地形成有吸收曝光光的吸收层。入射到该反射型掩模的euv光在吸收层中被吸收，在没有吸收层的部分由反射多层膜反射而成像于曝光材料的表面，由此，将吸收层的图案转印到曝光材料。

3、这样的反射型掩模由作为原件的反射型掩模坯料制作，该反射型掩模坯料具有在上述基板上整面地形成的反射多层膜和进一步形成在反射多层膜的整面上的吸收层。该反射型掩模坯料在反射多层膜的表面中的比供曝光光入射的掩模区域靠外侧的区域(周边区域)形成有剖面形状为凹槽状的基准标记(例如参照专利文献1)。如后所述，该基准标记对决定反射多层膜的缺陷位置的坐标时的基准位置进行规定。

4、在反射型掩模坯料中，由于光在反射多层膜的表面的微小的凹凸或者在反射多层膜的内部产生应变的部位处发生散射，因此成为产生不进行正反射的分量这样的缺陷。由于光在该缺陷所存在的位置发生散射，因此，能够通过将该光由配置在上方的光学系统汇集并成像于摄像元件来检测该缺陷。近年来，在使用了euv光的光刻技术中，无缺陷的反射型掩模的产量提高和缺陷检测基础设施的建立成为较大的课题。现实中，制作毫无缺陷的掩模坯料是非常困难的。于是，开发了一种缓和缺陷的技术：通过进行电路图案的控制，使得与电路图案对应的吸收层以隐藏缺陷的方式位于缺陷之上，由此，等价于原本就没有该缺陷的情况。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特开2017-58666号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、在上述那样的缓和缺陷的技术中，反射型掩模坯料中的缺陷位置的检测精度的提高成为重要的课题。在反射多层膜上加工基准标记的情况下，考虑激光加工法、干式蚀刻法以及使用了聚焦离子束的fib(focused ion beam)法。在激光加工法中，会引起金属的热蒸发等烧蚀，因此，容易在基准标记的边缘部产生凹凸等粗糙的构造，导致基准标记的误差较大。另外，在干式蚀刻法中，掩模区域的反射多层膜的表面暴露于等离子体而扰乱反射率，因此，无法用于基准标记的加工。

3、在使用fib法对基准标记进行了加工的情况下，由于向试料表面照射聚焦的离子束，因此，能够进行微细的加工，另一方面，存在基准标记的检测性变低这样的课题。对于基准标记的平面形状，为了容易检测出边缘部而应用了十字形状，但作为用于进行可靠的检测的标记尺寸，需要几百μm到几mm这种程度，因此，需要非常长的加工时间。因此，现状是不得不将基准标记的深度设定得浅(几十nm的程度)。在该程度的深度下，由于聚焦离子束的射束直径、射束的扩散角度而导致加工槽的侧壁的立起角度(基板面方向与侧壁的倾斜面所成的角度)仅为几度到10度这种程度，存在基准标记的边缘检测精度下降这样的问题。

4、本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够缩短基准标记的加工时间并且能够提高基准标记的边缘检测精度的反射型掩模坯料的制造方法、反射型掩模坯料以及聚焦离子束加工装置。

5、用于解决课题的方案

6、为了解决上述课题并实现目的，本发明的方案涉及一种反射型掩模坯料的制造方法，所述反射型掩模坯料具有基板和层叠于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形状的基准标记，其中，所述反射型掩模坯料的制造方法的特征在于，包括：轮廓加工工序，沿着所述基准标记的预定形成区域的轮廓利用小电流聚焦离子束对所述反射膜进行加工；以及整个区域加工工序，利用大电流聚焦离子束对所述预定形成区域的整个区域的所述反射膜进行加工。

7、作为上述方案，优选的是，在所述轮廓加工工序之后，进行所述整个区域加工工序。

8、作为上述方案，优选的是，在所述整个区域加工工序之后，进行所述轮廓加工工序。

9、作为上述方案，优选的是，在所述轮廓加工工序中，沿着所述预定形成区域的轮廓照射所述小电流聚焦离子束，直至沿着通过所述整个区域加工工序而形成的槽底部区域的周缘形成朝向所述基板凹陷的轮廓槽部为止。

10、作为上述方案，优选的是，对所述反射膜从向所述预定形成区域的内侧方向倾斜的方向照射所述小电流聚焦离子束。

11、本发明的另一方案涉及一种反射型掩模坯料，其具有基板和层叠于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形状的基准标记，其特征在于，沿着所述基准标记的槽底部区域的周缘形成有朝向所述基板凹陷的轮廓槽部。

12、本发明的又一方案涉及一种聚焦离子束加工装置，其具有基板、层叠于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜、以及层叠于所述反射膜的表面且吸收所述曝光光的吸收层，在所述反射膜形成剖面凹槽形状的基准标记，其特征在于，能够选择用于沿着所述基准标记的预定形成区域的轮廓进行加工的小电流聚焦离子束的照射和用于进行所述预定形成区域的整个区域的加工的大电流聚焦离子束的照射。

13、作为上述方案，优选的是，具备倾斜角度调整部，所述倾斜角度调整部使所述基板相对于所述小电流聚焦离子束的倾斜角度相对地变更，而对所述反射膜从向所述预定形成区域的内侧方向倾斜的方向照射所述小电流聚焦离子束。

14、发明效果

15、根据本发明，可实现能够缩短基准标记的加工时间并且提高基准标记的边缘检测精度的反射型掩模坯料的制造方法、反射型掩模坯料以及聚焦离子束加工装置。

技术特征：

1.一种反射型掩模坯料的制造方法，所述反射型掩模坯料具有基板和层叠于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形状的基准标记，其中，

2.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料的制造方法，其中，

4.根据权利要求3所述的反射型掩模坯料的制造方法，其中，

5.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料的制造方法，其中，

6.一种反射型掩模坯料，其具有基板和层叠于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形状的基准标记，其特征在于，

7.一种聚焦离子束加工装置，其具有基板、层叠于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜、以及层叠于所述反射膜的表面且吸收所述曝光光的吸收层，在所述反射膜形成剖面凹槽形状的基准标记，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的聚焦离子束加工装置，其中，

技术总结提供反射型掩模坯料的制造方法，所述反射型掩模坯料具有基板和层叠于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形状的基准标记，其中，所述反射型掩模坯料的制造方法包括：轮廓加工工序，沿着所述基准标记的预定形成区域的轮廓利用小电流聚焦离子束对所述反射膜进行加工；以及整个区域加工工序，利用大电流聚焦离子束对所述预定形成区域的整个区域的所述反射膜进行加工。技术研发人员：水村通伸受保护的技术使用者：株式会社V技术技术研发日：技术公布日：2024/10/10