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电子装置以及其制造方法与流程

  • 国知局
  • 2024-10-15 09:24:37

本公开是关于电子装置,且特别是关于电子装置的连接结构以及其制造方法。

背景技术:

1、扇出型封装,例如扇出型面板级封装(fan-out panel level package,foplp)或扇出型晶圆级封装(fan-out wafer level package,fowlp)技术可于给定的区域中提升电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度,近年来广泛地应用电子装置的生产制造。

2、然而,扇出型封装结构有许多异质材料接口整合的结构(例如,重布线结构(redistribution layer,rdl)与导电垫之间的接口、凸块下金属层(under bumpmetallurgy,ubm)区域等),异质材料的接口常因存在较大应力而容易发生脱层或剥离等问题。

3、承前述,开发可以改善电子装置的封装结构的可靠度(例如,改善接口之间的连接结构强度)仍为目前业界致力研究的课题之一。

技术实现思路

1、根据本公开一些实施例,提供一种电子装置,包含芯片、重布线结构、接触垫、缓冲层以及第一连接垫。重布线结构与芯片电性连接,且重布线结构包含金属垫,金属垫与芯片相对设置。接触垫设置于金属垫上。缓冲层设置于重布线结构上且包含开口,开口暴露出接触垫的至少一部分。第一连接垫设置于接触垫上且延伸于开口中。并且,于芯片的法线方向上,金属垫、接触垫以及第一连接垫为重叠的。本公开亦提供一种电子装置的制造方法。

2、根据本公开另一些实施例,提供一种电子装置的制造方法,包含以下步骤:提供基板;形成重布线结构于基板上,重布线结构包含金属垫;形成芯片于该重布线结构上,金属垫与芯片相对设置;移除基板且将重布线结构及形成于其上的芯片翻转;形成接触垫于金属垫上;形成缓冲层于重布线结构上,且形成开口于缓冲层中,开口暴露出接触垫的至少一部分;以及形成第一连接垫于接触垫上且延伸于开口中,并且,于芯片的法线方向上,金属垫、接触垫以及第一连接垫为重叠的。

3、为让本公开的特征或优点能更明显易懂,下文特举出一些实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。

技术特征:

1.一种电子装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中该重布线结构包括一介电层,该金属垫设置于该介电层的一开口中,且该金属垫的顶表面与该介电层的顶表面共平面。

3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括:

4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括:

5.如权利要求4所述的电子装置,其特征在于,更包括:

6.如权利要求5所述的电子装置,其特征在于,更包括:

7.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中该接触垫具有一弯曲的表面。

8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括:

9.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,其中该中间层具有一弯曲的表面。

10.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,其中该接触垫的宽度大于或等于该中间层的宽度。

11.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中该接触垫的表面具有多个凹陷。

12.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中该接触垫的顶表面与该缓冲层的顶表面不共平面。

13.如权利要求12所述的电子装置,其特征在于,其中该接触垫的顶表面低于该缓冲层的顶表面。

14.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中该第一连接垫覆盖该接触垫的至少一部分侧表面。

15.一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括:

16.如权利要求15所述的电子装置的制造方法,其特征在于,其中形成该重布线结构于该基板上的步骤包括:

17.如权利要求15所述的电子装置的制造方法,其特征在于,更包括:

18.如权利要求15所述的电子装置的制造方法,其特征在于,更包括:

19.如权利要求15所述的电子装置的制造方法,其特征在于,其中形成该第一连接垫于该接触垫上且延伸于该开口中的步骤中,该第一连接垫与该接触垫反应形成一中间层,该中间层的至少一部分设置于该接触垫与该第一连接垫之间。

20.如权利要求15所述的电子装置的制造方法,其特征在于,其中形成该接触垫于该金属垫上的步骤包括:

技术总结本公开提供一种电子装置,包含芯片、重布线结构、接触垫、缓冲层以及第一连接垫。重布线结构与芯片电性连接,且重布线结构包含金属垫,金属垫与芯片相对设置。接触垫设置于金属垫上。缓冲层设置于重布线结构上且包含开口,开口暴露出接触垫的至少一部分。第一连接垫设置于接触垫上且延伸于开口中。并且,于芯片的法线方向上,金属垫、接触垫以及第一连接垫为重叠的。本公开亦提供一种电子装置的制造方法。技术研发人员:高克毅,刘彦甫,廖文祥,林德勋,王茹立,杨东谚,施铭贤,蔡承泽受保护的技术使用者:群创光电股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/10/10

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