光半导体装置以及光半导体装置的制造方法与流程

本公开涉及光半导体装置以及光半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、已知有在半导体激光器集成有半导体光放大器(soa：semiconductor opticalamplifier)的光半导体装置(例如，参照非专利文献1、非专利文献2)。非专利文献1所记载的光半导体装置具备半导体光放大器，该半导体光放大器具有被分割为三部分的电极。非专利文献2所记载的光半导体装置具有分布反馈型(dfb：distributed feedback)激光器。dfb激光器的形成有衍射光栅的区域与电流注入区域一致。

2、现有技术文献

3、非专利文献

4、非专利文献1：k.carney et al.,"method to improve the noise figure andsaturation power in multi-contact semiconductor optical amplifiers:simulationand experiment",opt.express,vol.21,pp.7180-7195,mar.2013.

5、非专利文献2：l.hou,m.haji,j.akbar and j.marsh,"narrow linewidthlaterally coupled 1.55um algainas/inp distributed feedback lasers integratedwith a curved tapered semiconductor optical amplifier",opt.lett.,vol.37,no.21,pp.4525-4527,nov.2012.

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、在以往的半导体光放大器中，由于电极的分割数以及长度在设计时决定，因此在光半导体元件完成后不能根据目的而对以相同电位驱动的电极数进行变更。

3、本公开的目的在于提供一种能够决定在光半导体元件的安装时以相同电位驱动的电极数的光半导体装置以及光半导体装置的制造方法。

4、用于解决问题的手段

5、本公开的光半导体装置具有：光放大器部，对激光进行放大；多个配线焊盘，用于使电流流过所述光放大器部；以及接合线，所述光放大器部具有沿着光轴方向被分割的多个电极，所述多个电极的数量比所述多个配线焊盘的数量多，所述接合线将所述多个电极分别与所述多个配线焊盘中的一个配线焊盘连接。

6、发明效果

7、根据本公开，能够决定在光半导体元件的安装时以相同电位驱动的电极数。

技术特征：

1.一种光半导体装置，其中，

2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的光半导体装置，其中，

6.根据权利要求4所述的光半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的光半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的光半导体装置，其中，

9.根据权利要求4所述的光半导体装置，其中，

10.根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，

11.根据权利要求9或10所述的光半导体装置，其中，

12.一种光半导体装置的制造方法，其中，

13.根据权利要求12所述的光半导体装置的制造方法，其中，

技术总结本发明提供一种光半导体装置以及光半导体装置的制造方法，能够决定在光半导体元件的安装时以相同电位驱动的电极数。光半导体装置具有：光放大器部，对激光进行放大；多个配线焊盘，用于使电流流过所述光放大器部；以及接合线，所述光放大器部具有沿着光轴方向被分割的多个电极，所述多个电极的数量比所述多个配线焊盘的数量多，所述接合线将所述多个电极分别与所述多个配线焊盘中的一个配线焊盘连接。技术研发人员：井上大辅,青山康之祐受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社技术研发日：技术公布日：2024/10/10