芯片接合片、切割芯片接合薄膜、半导体装置以及电子设备的制作方法

本发明涉及例如在制造具有半导体集成电路等的半导体装置时使用的芯片接合片、以及具备该芯片接合片的切割芯片接合薄膜。另外，涉及具备该芯片接合片的半导体装置。另外，涉及具备该半导体装置的电子设备。

背景技术：

1、以往，已知有在半导体装置的制造中使用的切割芯片接合薄膜。这种切割芯片接合薄膜例如具备：切割带、以及层叠于该切割带并且与晶圆粘接的芯片接合片。切割带具有：基材层、以及与芯片接合片接触的粘合剂层。这种切割芯片接合薄膜在半导体装置的制造中例如如下使用。

2、制造半导体装置的方法通常具备：由高集成的电子电路在晶圆的单面侧形成电路面的前工序、以及从形成有电路面的晶圆切出芯片并进行组装的后工序。

3、后工序例如具有：脆弱部位形成工序，利用激光等在半导体晶圆上形成用于将形成有电路面的晶圆(半导体晶圆)割断为小的芯片(die)的脆弱部位；背面研磨工序，对形成有脆弱部位的晶圆的与电路面处于相反侧的面进行研磨切削；安装工序，将晶圆的与电路面处于相反侧的面粘贴于芯片接合片，借助芯片接合片将半导体晶圆固定于切割带；切割工序，通过将切割带沿面方向进行拉伸，从而以上述脆弱部位为边界，将半导体晶圆单片化为芯片(die)，并扩宽相邻的芯片(die)间的间隙；拾取工序，使芯片接合片与粘合剂层之间剥离，将粘贴有芯片接合片的状态的芯片(die)取出；芯片接合工序，借助芯片接合片使粘贴有芯片接合片的状态的芯片(die)粘接于被粘物；和固化工序，对粘接于被粘物的芯片接合片进行固化处理。半导体装置中的半导体集成电路例如经过这些工序而制造。

4、在上述那样的半导体装置的制造方法中，在拾取工序中，使粘贴有芯片接合片的状态的芯片(die)从切割带的粘合剂层剥离，接着，在芯片接合工序中，将附着有芯片接合片的状态的芯片(die)一边加热一边压接于被粘物。这些工序例如使用1个拾取夹头来连续地反复实施。因此，反复进行拾取工序和芯片接合工序时，因加热而上升的拾取夹头的热会传递至芯片接合片。芯片接合片的温度上升时，由于芯片接合片的物性发生变化等理由，有时拾取工序中的上述剥离不会良好地发生。

5、对此，为了良好地实施拾取工序中的上述剥离，即、为了使拾取性能良好，已知有将与粘合剂层接触的一侧的芯片接合片的表面粗糙度设计为特定值的芯片接合片(例如专利文献1)。

6、详细而言，专利文献1中记载的芯片接合片的与粘合剂层接触的面的算术平均粗糙度ra1为0.05～2.50μm，相对于与粘合剂层接触的面处于相反侧的面的算术平均粗糙度ra2，上述ra1之比为1.05～28.00。

7、根据专利文献1记载的芯片接合片，即使拾取夹头的温度上升，也能够抑制拾取性能的降低。

8、现有技术文献

9、专利文献

10、专利文献1：日本特开2022-150243号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、然而，即使使用如上述那样设计了表面粗糙度的芯片接合片，在后续的芯片接合工序中，也不一定能够借助芯片接合片将芯片(die)良好地粘接于被粘物。即，对于仅将表面粗糙度设计为特定值的芯片接合片而言，无法兼顾拾取性能和粘接性能(芯片接合性能)。因此，期望兼具良好的拾取性能和良好的芯片接合性能的芯片接合片。

3、然而，对于兼具良好的拾取性能和良好的芯片接合性能的芯片接合片、以及具备该芯片接合片的切割芯片接合薄膜，可以说尚未充分进行研究。

4、因此，本发明的课题在于，提供兼具良好的拾取性能和良好的芯片接合性能的芯片接合片、以及切割芯片接合薄膜。另外，本发明的课题在于，提供具备上述芯片接合片的半导体装置、以及具备该半导体装置的电子设备。

5、用于解决问题的方案

6、为了解决上述课题，本发明的芯片接合片的特征在于，

7、其为至少包含热塑性树脂和无机填料的芯片接合片，

8、前述热塑性树脂含有第1热塑性树脂和平均分子量小于该第1热塑性树脂的第2热塑性树脂，

9、所述芯片接合片在固化前的50℃下的弹性模量为2.0mpa以上且10.0mpa以下，并且130℃下的弹性模量为0.1mpa以上且1.5mpa以下。

10、本发明的切割芯片接合薄膜具备上述的芯片接合片和贴合于该芯片接合片的切割带。

11、本发明的半导体装置具备上述芯片接合片。

12、本发明的电子设备具备上述的半导体装置。

技术特征：

1.一种芯片接合片，其为至少包含热塑性树脂和无机填料的芯片接合片，

2.根据权利要求1所述的芯片接合片，其中，所述第1热塑性树脂的平均分子量为50万以上且150万以下，所述第2热塑性树脂的平均分子量为1万以上且10万以下，

3.根据权利要求1或2所述的芯片接合片，其在-15℃下的断裂伸长率为0.2％以上且2.0％以下。

4.根据权利要求1或2所述的芯片接合片，其在-15℃下的断裂强度为1.0kg/mm2以上且7.5kg/mm2以下。

5.根据权利要求1或2所述的芯片接合片，其中，所述无机填料含有二氧化硅颗粒。

6.一种切割芯片接合薄膜，其具备：权利要求1或2所述的芯片接合片、和贴合于该芯片接合片的切割带。

7.根据权利要求6所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合片与所述切割带之间的50℃下的剥离力为0.03n/20mm以上且0.20n/20mm以下。

8.一种半导体装置，其具备权利要求1或2所述的芯片接合片。

9.一种电子设备，其具备权利要求8所述的半导体装置。

技术总结本发明涉及芯片接合片、切割芯片接合薄膜、半导体装置以及电子设备。提供一种芯片接合片，其为至少包含热塑性树脂和无机填料的芯片接合片，前述热塑性树脂含有第1热塑性树脂和平均分子量小于该第1热塑性树脂的第2热塑性树脂，所述芯片接合片在固化前的50℃下的弹性模量为2MPa以上且10MPa以下，并且130℃下的弹性模量为0.1MPa以上且1.5MPa以下。技术研发人员：大西谦司,畠山义治受保护的技术使用者：日东电工株式会社技术研发日：技术公布日：2024/10/10