一种声表面波晶圆级结构及其制作方法、电子设备与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种声表面波晶圆级结构及其制作方法、电子设备。

背景技术：

1、saw（surface acoustic wave，声表面波）谐振器是声表面波谐振器的简称，是一种利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件，广泛应用于各种各样的领域中，例如射频领域。其中声表面波是一种能量集中在表面附近的弹性波。其中滤波器的设计往往是使用谐振器作为基本单元，可以构成相应的拓扑并放大指定频率成分信号。

2、通常，对于制作出来的声表面波谐振器都会进行声表面波滤波器晶圆级封装，从而获得声表面波滤波器。相关技术中，声表面波滤波器晶圆级封装的制作方法会先在声表面波谐振器的上表面贴附第一层干膜，并通过对第一层干膜的刻蚀形成支撑坝。然后再在支撑坝上贴附第二层干膜形成声表面波滤波器的空腔。

3、但是，基于干膜的特性由第一层干膜制作的支撑坝的强度比较低，无法有效的对第二层干膜进行支撑，会造成第二层干膜有塌膜不良的情况，进而影响声表面波晶圆级结构的封装效果。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请提供了一种声表面波晶圆级结构及其制作方法、电子设备，以实现提高声表面波晶圆级结构可靠性的目的。具体方案如下：

2、本申请第一方面提供一种声表面波晶圆级结构，所述声表面波晶圆级结构包括：

3、相对设置的衬底以及封装盖板，所述封装盖板具有多个凸起柱，所述衬底和所述封装盖板通过所述多个凸起柱进行封装连接；

4、位于所述衬底和所述封装盖板之间，且位于所述衬底上的压电薄膜层，以及位于所述压电薄膜层背离所述衬底一侧的叉指电极。

5、在一种可能的实现中，所述封装盖板为si盖板。

6、在一种可能的实现中，所述声表面波晶圆级结构还包括：

7、位于所述压电薄膜层和所述衬底之间的至少一层介质层。

8、在一种可能的实现中，所述声表面波晶圆级结构还包括：

9、至少位于所述凸起柱和所述衬底之间的键合层；

10、所述键合层包括：相邻所述衬底设置的第一键合层，以及相邻所述凸起柱设置的第二键合层。

11、在一种可能的实现中，所述第一键合层和所述第二键合层的材料为金属材料。

12、在一种可能的实现中，所述第一键合层和所述第二键合层的材料为金材料。

13、在一种可能的实现中，所述第一键合层与所述叉指电极接触连接。

14、在一种可能的实现中，所述衬底具有通孔，所述通孔贯穿所述衬底；

15、所述声表面波晶圆级结构还包括：外接引线结构，所述外接引线结构通过所述通孔与所述第一键合层连接。

16、本申请第二方面提供一种声表面波晶圆级结构的制作方法，所述声表面波晶圆级结构的制作方法包括：

17、提供一衬底，所述衬底上设置有压电薄膜层以及位于所述压电薄膜层和所述衬底之间的至少一层介质层；

18、在所述压电薄膜层背离所述衬底的一侧形成叉指电极；

19、提供一封装盖板；

20、对所述封装盖板进行处理形成多个凸起柱；

21、对所述衬底和所述封装盖板通过所述多个凸起柱进行封装连接。

22、本申请第三方面提供一种电子设备，所述电子设备包括上述任一项所述的声表面波晶圆级结构。

23、借由上述技术方案，本申请提供的一种声表面波晶圆级结构及其制作方法、电子设备中引入封装盖板作为wlp（wafer level package，晶圆级封装）的键合部分，通过对封装盖板做处理形成多个凸起柱，以此来形成跟衬底之间键合的目的。基于封装盖板和干膜的特性可知，封装盖板的凸起柱相比较由干膜形成的支撑坝而言，凸起柱的强度比支撑坝更强，在版图布局的过程中，凸起柱只需要在芯片四周以及有焊盘连接需求的地方存在，相比较双层干膜封装技术中的支撑坝，则无需考虑支撑问题。也就是说本技术方案在可靠性以及支撑性等方面相比较双层干膜封装技术有巨大的提升。

技术特征：

1.一种声表面波晶圆级结构，其特征在于，所述声表面波晶圆级结构包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波晶圆级结构，其特征在于，所述封装盖板为si盖板。

3.根据权利要求1所述的声表面波晶圆级结构，其特征在于，所述声表面波晶圆级结构还包括：

4.根据权利要求1所述的声表面波晶圆级结构，其特征在于，所述声表面波晶圆级结构还包括：

5.根据权利要求4所述的声表面波晶圆级结构，其特征在于，所述第一键合层和所述第二键合层的材料为金属材料。

6.根据权利要求5所述的声表面波晶圆级结构，其特征在于，所述第一键合层和所述第二键合层的材料为金材料。

7.根据权利要求5所述的声表面波晶圆级结构，其特征在于，所述第一键合层与所述叉指电极接触连接。

8.根据权利要求5任一项所述的声表面波晶圆级结构，其特征在于，所述衬底具有通孔，所述通孔贯穿所述衬底；

9.一种声表面波晶圆级结构的制作方法，其特征在于，所述声表面波晶圆级结构的制作方法包括：

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1-8任一项所述的声表面波晶圆级结构。

技术总结本申请公开了一种声表面波晶圆级结构及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，该声表面波晶圆级结构中引入封装盖板作为WLP的键合部分，通过对封装盖板做处理形成多个凸起柱，以此来形成跟衬底之间键合的目的。基于封装盖板和干膜的特性可知，封装盖板的凸起柱相比较由干膜形成的支撑坝而言，凸起柱的强度比支撑坝更强，在版图布局的过程中，凸起柱只需要在芯片四周以及有焊盘连接需求的地方存在，相比较双层干膜封装技术中的支撑坝，则无需考虑支撑问题。也就是说本技术方案在可靠性以及支撑性等方面相比较双层干膜封装技术有巨大的提升。技术研发人员：王小茹,冯端,邹洁受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10