放大电路的制作方法

本发明涉及一种放大电路。

背景技术：

1、作为高频放大电路，已知有将源极接地的场效应型晶体管(fet：field effecttransistor)与栅极接地的fet共源共栅连接而成的放大电路(例如非专利文献1)。

2、现有技术文献

3、非专利文献

4、非专利文献1：proceeding of 2019 15th conference on ph.d research inmicroelectronics and electronics(prime),pp.165-168,ferdinando costanzo etal.“a ka-band doherty power amplifier using an innovative stacked-fet cell(采用新型叠层fet单元的ka波段多赫蒂功率放大器)”

5、在共源共栅连接成的放大电路的fet中使用场板的情况下，需要以提高放大电路的特性的方式设置场板。

技术实现思路

1、本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提高特性。

2、本公开的一个实施方式是放大电路，其具备半导体层、第一fet以及第二fet，第一fet具备：第一源电极，设于所述半导体层上，高频连接于第一基准电位；第一栅电极，设于所述半导体层上，供高频信号输入；第一漏电极，设于所述半导体层上；以及第一场板，至少一部分设于所述第一栅电极与所述第一漏电极之间的所述半导体层的上方，第二fet具备：第二源电极，设于所述半导体层上，电连接于所述第一漏电极；第二栅电极，设于所述半导体层上，高频连接于第二基准电位；第二漏电极，设于所述半导体层上，供高频信号输出；以及第二场板，至少一部分设于所述第二栅电极与所述第二漏电极之间的所述半导体层的上方，所述第一栅电极的与所述半导体层对置的面的多个端部中靠近所述第一漏电极的端部与所述第一场板的多个端部中靠近所述第一漏电极的端部的第一距离，比所述第二栅电极的与所述半导体层对置的面的多个端部中靠近所述第二漏电极的端部与所述第二场板的多个端部中靠近所述第二漏电极的端部的第二距离短。

3、发明效果

4、根据本公开，能提高特性。

技术特征：

1.一种放大电路，具备：

2.根据权利要求1所述的放大电路，其中，

3.根据权利要求1或2所述的放大电路，其中，

4.根据权利要求1或2所述的放大电路，其中，

5.根据权利要求4所述的放大电路，其中，

6.根据权利要求4所述的放大电路，其中，

7.根据权利要求1或2所述的放大电路，其中，

8.根据权利要求7所述的放大电路，其中，

9.根据权利要求1或2所述的放大电路，其中，

10.根据权利要求1或2所述的放大电路，其中，

技术总结放大电路具备半导体层、第一FET以及第二FET，第一FET具备：第一源电极，高频连接于第一基准电位；第一栅电极，供高频信号输入；第一漏电极；以及第一场板，至少一部分设于第一栅电极与第一漏电极之间的半导体层的上方，第二FET具备：第二源电极，电连接于第一漏电极；第二栅电极，高频连接于第二基准电位；第二漏电极，供高频信号输出；以及第二场板，至少一部分设于第二栅电极与第二漏电极之间的半导体层的上方，第一栅电极的与半导体层对置的面中靠近第一漏电极的端部与第一场板的靠近第一漏电极的端部的第一距离，比第二栅电极的与半导体层对置的面中靠近第二漏电极的端部与第二场板的靠近第二漏电极的端部的第二距离短。技术研发人员：菊池宪受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社技术研发日：技术公布日：2024/10/17