发光元件、显示装置和制造发光元件的方法与流程

公开的各种实施例涉及发光元件、显示装置和制造该发光元件的方法。

背景技术：

1、最近，随着对信息显示的兴趣的增加，对显示装置的研究和开发在不断进行。

技术实现思路

1、公开的各种实施例可以涉及具有降低的结构缺陷率的发光元件、制造该发光元件的方法和显示装置。

2、公开的各种实施例可以涉及具有改善的发射效率和可靠性的发光元件、制造该发光元件的方法和显示装置。

3、公开的实施例可以提供一种包括半导体堆叠结构和绝缘层的发光元件，半导体堆叠结构包括n型半导体层、p型半导体层和设置在n型半导体层与p型半导体层之间的活性层，绝缘层设置在半导体堆叠结构的侧部上。半导体堆叠结构还可以包括设置为与绝缘层相邻的氟化区域。

4、在实施例中，半导体堆叠结构的氟化区域可以包括gafxn(1-x)，其中，0<x<1。

5、在实施例中，氟化区域可以相对于距半导体堆叠结构的外表面的深度具有不均匀的氟(f)浓度梯度。

6、在实施例中，氟化区域在距半导体堆叠结构的外表面约0.001μm至约0.01μm的范围内的深度处可以具有氟(f)的峰值浓度。

7、在实施例中，峰值浓度可以在约1.2x1018个/cm3至约1.6x1018个/cm3的范围内。

8、在实施例中，氟化区域可以覆盖半导体堆叠结构的整个侧部。

9、在实施例中，氟化区域可以覆盖p型半导体层的侧部和活性层的侧部，并且氟化区域可以不覆盖n型半导体层的侧部。

10、在实施例中，绝缘层可以包括硅氧化物或金属氧化物。氟化区域可以直接与绝缘层相邻。

11、在实施例中，金属氧化物可以包括从由钽(ta)、铪(hf)、锆(zr)、镧(la)、钛(ti)和铝(al)组成的组中选择的至少一种金属。

12、在实施例中，氟(f)与镓(ga)之间的结合能可以大于包括在硅氧化物或金属氧化物中的氧(o)与镓(ga)之间的结合能。

13、在实施例中，绝缘层可以包括设置在半导体堆叠结构的侧部上的第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。第一绝缘层可以设置在氟化区域与第二绝缘层之间。第一绝缘层和第二绝缘层中的每个可以包括硅氧化物或金属氧化物。第一绝缘层还可以包括氟(f)。第二绝缘层可以不包括氟(f)。

14、公开的实施例可以提供一种显示装置，所述显示装置包括基体层和设置在基体层上的发光元件。发光元件可以包括半导体堆叠结构和设置在半导体堆叠结构的侧表面上的绝缘层，半导体堆叠结构可以包括n型半导体层、p型半导体层和设置在n型半导体层与p型半导体层之间的活性层。半导体堆叠结构还可以包括设置为与绝缘层相邻的氟化区域。

15、在实施例中，显示装置还可以包括设置在基体层上的第一电极和第二电极。发光元件可以包括第一端和第二端。发光元件可以在第一端处电连接到第一电极，并且可以在第二端处电连接到第二电极。

16、在实施例中，显示装置还可以包括设置在基体层上的第一对准电极和第二对准电极。发光元件可以在第一对准电极与第二对准电极之间对准。

17、在实施例中，半导体堆叠结构的氟化区域可以包括gafxn(1-x)，其中，0<x<1。

18、在实施例中，氟化区域可以相对于距半导体堆叠结构的外表面的深度具有不均匀的氟(f)浓度梯度。氟化区域可以在距半导体堆叠结构的外表面约0.001μm至约0.01μm的范围内的深度处具有氟(f)的峰值浓度。峰值浓度可以在约1.2x1018个/cm3至约1.6x1018个/cm3的范围内。

19、公开的实施例可以提供一种制造发光元件的方法，该方法包括在生长基底上形成半导体堆叠结构、使半导体堆叠层图案化、在图案化的半导体堆叠结构的侧表面上形成氟化区域以及在图案化的半导体堆叠结构的侧表面上形成绝缘层。

20、在实施例中，形成氟化区域的步骤可以包括使用离子注入技术和/或表面处理技术向图案化的半导体堆叠结构提供氟(f)。

21、在实施例中，形成绝缘层的步骤可以包括在形成氟化区域的步骤之后形成多个绝缘层。

22、在实施例中，形成绝缘层的步骤可以包括在图案化的半导体堆叠结构的侧部上形成第一绝缘层以及在第一绝缘层上形成第二绝缘层。可以在形成氟化区域的步骤之前执行形成第一绝缘层的步骤。可以在形成氟化区域的步骤之后执行形成第二绝缘层的步骤。

技术特征：

1.一种发光元件，所述发光元件包括：

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述氟化区域覆盖所述半导体堆叠结构的整个所述侧部。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

6.根据权利要求2所述的发光元件，其中，

7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，氟与镓之间的结合能大于包括在所述硅氧化物或所述金属氧化物中的氧与镓之间的结合能。

8.根据权利要求6所述的发光元件，其中，

9.一种显示装置，所述显示装置包括：

10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：

11.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：

12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

13.一种制造发光元件的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述氟化区域的步骤包括使用离子注入技术和/或表面处理技术向所述图案化的半导体堆叠结构提供氟。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，

技术总结提供了一种发光元件、显示装置和制造发光元件的方法，所述发光元件可以包括半导体堆叠结构和绝缘层，半导体堆叠结构包括N型半导体层、P型半导体层和设置在N型半导体层与P型半导体层之间的活性层，绝缘层设置在半导体堆叠结构的侧部上。半导体堆叠结构可以包括设置为与绝缘层相邻的氟化区域。技术研发人员：蔡知松,金大贤,朴常镐,柳在雄,柳喆锺,李相勳,李周熙,张振赫,全翔镐,崔善洪受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/17