发光器件及其制备方法、显示装置与流程

本技术涉及显示，具体涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术：

1、传统背接触式发光器件的制造工艺为：预先将阴极、阳极通过光刻以及物理沉积或化学沉积的方式制造，以形成图案化的电极如插指电极，然后在插指电极上沉积发光材料，从而完成发光器件的制备。

2、为了达到促进载流子注入的效果，在现有的背接触式发光器件的制造工艺中，通常采用对电极表面进行高温氧化形成金属氧化物电极的方式来实现对电极的功函数的调控，或者采用电化学沉积工艺沉积价格昂贵的有机半导体材料来形成电子功能层和空穴功能层，以实现对电极的功函数的调控，进而达到促进载流子注入的目的，从而实现发光器件的发光。然而，采用上述方法制备发光器件时，发光器件的制造成本较高。

技术实现思路

1、本技术提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，以降低发光器件的制造成本。

2、本技术提供一种发光器件，其包括：

3、基底；

4、第一电极，设置在所述基底的一侧，所述第一电极包括第一导电层和第一偶极配体层，所述基底、所述第一导电层以及所述第一偶极配体层依次层叠设置，所述第一偶极配体层包括第一偶极配体；

5、第二电极，设置在所述基底的一侧，所述第二电极包括第二导电层和第二偶极配体层，所述基底、所述第二导电层以及所述第二偶极配体层依次层叠设置，所述第二导电层和所述第一导电层同层设置，所述第二偶极配体层包括第二偶极配体，所述第二偶极配体的偶极矩方向和所述第一偶极配体的偶极矩方向相反；以及

6、发光层，设置在所述第一电极和/或所述第二电极上。

7、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一偶极配体包括第一骨架基团和第一端基，所述第一端基连接于所述第一骨架基团远离所述基底的一侧；所述第二偶极配体包括第二骨架基团和第二端基，所述第二端基连接于所述第二骨架基团远离所述基底的一侧；

8、其中，所述第二端基和所述第一端基中的一者为供电子基，所述第二端基和所述第一端基中的另一者为吸电子基。

9、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一电极为阴极，所述第一端基为供电子基，所述第一端基选自羟基、氨酰基、胺醛基、苯基、氨基、烷基、烷氧基、甲硫基以及甲氨基中的一种或多种；和/或

10、所述第二电极为阳极，所述第二端基为吸电子基，所述第二端基选自硝基、氰基、羧基、烷酰基、氟、氯以及溴中的一种或多种。

11、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一偶极配体还包括第一锚基，所述第一锚基连接于所述第一骨架基团并键合于所述第一导电层，所述第一端基连接于所述第一骨架基团远离所述第一锚基的一侧；

12、所述第二偶极配体还包括第二锚基，所述第二锚基连接于所述第二骨架基团并键合于所述第二导电层，所述第二端基连接于所述第二骨架基团远离所述第二锚基的一侧。

13、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一骨架基团和所述第二骨架基团各自独立地选自碳原子数小于或等于10的烷基和苯环数量小于或等于3的芳香基；和/或

14、所述第一锚基和所述第二锚基均为硫醇基。

15、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一偶极配体自所述第一骨架基团朝向所述第一端基的方向延伸，所述第一偶极配体的延伸方向与所述基底所在平面之间的夹角大于或等于60°，且小于或等于90°；

16、所述第二偶极配体自所述第二骨架基团朝向所述第二端基的方向延伸，所述第二偶极配体的延伸方向与所述基底所在平面之间的夹角大于或等于60°，且小于或等于90°。

17、可选的，在本技术的一些实施例中，所述发光器件还包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的至少一者；

18、所述电子传输层的材料选自掺杂或未掺杂的金属或非金属氧化物、掺杂或未掺杂的半导体颗粒以及氮化物中的一种或多种；所述掺杂或未掺杂的金属或非金属氧化物选自tio2、zno、zro、sno2、wo3、ta2o3、hfo3、al2o3、zrsio4、batio3以及bazro3中的一种或多种；所述掺杂或未掺杂的半导体颗粒选自cds、znse以及zns中的一种或多种；和/或

19、所述电子注入层的材料选自氧化锌、znmgo、tio2、fe2o3、sno2、ta2o3、alzno、znsno以及insno中的至少一种；和/或

20、所述空穴传输层的材料选自4,4'-n,n'-二咔唑基-联苯(cbp)、n,n'-二苯基-n,n'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-螺(螺-tpd)、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基联苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)(聚-tpd)、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、n,n,n',n'-四芳基联苯胺、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺、螺npb、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、c60、掺杂或非掺杂的nio、掺杂或非掺杂的moo3、掺杂或非掺杂的wo3、掺杂或非掺杂的v2o5、掺杂或非掺杂的p型氮化镓、掺杂或非掺杂的cro3、掺杂或非掺杂的cuo中的至少一种；和/或

21、所述空穴注入层的材料选自聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)、聚(9,9-二辛基-芴-共-n-(4-丁基苯基)-二苯基胺)(tfb)、多芳基胺、聚(n-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、n,n,n',n'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(tpd)、4-双[n-(1-萘基)-n-苯基-氨基]联苯(α-npd)、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺(m-mtdata)、4,4',4”-三(n-咔唑基)-三苯基胺(tcta)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷(tapc)、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷(f4-tcnq)的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺(tdata)、p-掺杂酞菁(例如，f4-tcnq-掺杂的锌酞菁(znpc))、f4-tcnq掺杂的n,n′-二苯基-n,n′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺(α-npd)以及六氮杂苯并菲-己腈(hat-cn)中的至少一种；和/或

22、所述发光层的材料选自有机发光材料和量子点发光材料中的一种或多种，所述有机发光材料选自4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpx荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料、发红色光的dbp荧光材料、延迟荧光材料、tta材料、热活化延迟材料、含有b-n共价键合的聚合物、杂化局域电荷转移激发态材料、激基复合物发光材料中的一种或多种；所述量子点发光材料选自单一结构量子点材料、核壳结构量子点材料及钙钛矿型量子点材料中的一种或多种；所述单一结构量子点材料的材料、所述核壳结构量子点材料的核材料及所述核壳结构量子点材料的壳层材料分别选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述钙钛矿型量子点材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种，所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，选自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；和/或

23、所述第一导电层的材料和所述第二导电层的材料各自独立地选自导电金属或导电金属氧化物，所述导电金属选自银、金、铂、铜以及铝中的一种或多种，所述导电金属氧化物选自氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)、氧化铟铬(ico)、氧化锡(sno2)、氧化铟(in2o3)以及氧化镁铝(azo)以及氟掺杂氧化锡(fto)中的一种或多种；和/或

24、所述第一电极为阴极，所述第一偶极配体选自4-甲氧基苯硫酚、4-甲硫基苯硫酚、4-氨基苯硫酚或正辛硫醇，所述第二电极为阳极，所述第二偶极配体选自对氟苯硫酚、对氯苯硫酚、对溴苯硫酚或2,3,4,5,6五氟苯硫酚。

25、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层形成插指结构；和/或

26、所述第一导电层的厚度和所述第二导电层的厚度均为30nm-100nm；和/或

27、所述第一偶极配体层和所述第二偶极配体层均为单分子层，所述第一偶极配体层的厚度和所述第二偶极配体层的厚度均为5nm-10nm。

28、本技术还提供一种发光器件的制备方法，其包括以下步骤：

29、提供基底；

30、在所述基底上形成同层设置的第一导电层和第二导电层，得到第一中间器件；

31、提供第一溶液，并将所述第一中间器件置于所述第一溶液中，所述第一溶液包括第一偶极配体，以在所述第一导电层上形成第一偶极配体层，所述第一导电层和所述第一偶极配体层构成第一电极，得到第二中间器件；

32、提供第二溶液，并将所述第二中间器件置于所述第二溶液中，所述第二溶液包括第二偶极配体，以在所述第二导电层上形成第二偶极配体层，所述第二偶极配体的偶极矩方向和所述第一偶极配体的偶极矩方向相反，所述第二导电层和所述第二偶极配体层构成第二电极；以及

33、在所述第一偶极配体层和所述第二偶极配体层上设置发光层。

34、可选的，在本技术的一些实施例中，所述将所述第一中间器件置于所述第一溶液中的步骤中，所述第一导电层和所述第二导电层上均吸附有所述第一偶极配体层；

35、在将所述第一中间器件置于所述第一溶液中的步骤之后，所述制备方法还包括：去除位于所述第二导电层上的所述第一偶极配体层。

36、可选的，在本技术的一些实施例中，所述去除位于所述第二导电层上的所述第一偶极配体层的步骤，包括：对所述第二导电层施加电压，以使所述第一偶极配体层脱附。

37、本技术还提供一种显示装置，其包括前述任一项的发光器件，或包括根据前述任一项所述的发光器件的制备方法制备得到的发光器件。

38、本技术提供的发光器件中采用的偶极单分子层材料价格便宜，且用量较少，可降低发光器件的生产成本。