半导体装置及电子设备的制作方法

本公开涉及半导体装置和电子设备。

背景技术：

1、近年来，为了小型化及其他的目的，成像装置具有包括彼此结合的两个半导体基板的三维结构，并且包括成像元件、存储元件(存储元件)、多个晶体管等的电路设置在这些半导体基板上。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1：jp 2014-220376 a

技术实现思路

1、技术问题

2、然而，在具有三维结构的半导体装置(成像装置)中，难以形成具有小单元尺寸、小电路规模等并且有利特性的存储元件(存储元件)。

3、因此，本公开提出了能够容易地形成具有三维结构的半导体装置的半导体装置和电子设备，该半导体装置具有小电池尺寸、小电路规模等并且具有有利特性的存储元件。

4、问题的解决方案

5、根据本公开，提供了一种半导体装置，其包括第一半导体基板和第二半导体基板的层压。在半导体装置中，第一半导体基板包括：成像元件，响应于来自第一半导体基板的光入射表面的光而产生电荷；以及第一存储元件，相对于成像元件设置在与光入射表面相对的一侧上，并且第一存储元件具有堆叠结构，其中，磁化固定层、非磁性层、以及存储层从光入射表面侧以前述顺序堆叠。

6、此外，根据本公开，提供了一种安装有半导体装置的电子设备。该半导体装置包括第一半导体基板和第二半导体基板的层压。在半导体装置中，第一半导体基板包括：成像元件，响应于来自第一半导体基板的光入射表面的光而产生电荷；以及第一存储元件，相对于成像元件设置在与光入射表面相对的一侧上，并且第一存储元件具有堆叠结构，其中，磁化固定层、非磁性层、以及存储层从光入射表面侧以前述顺序堆叠。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括第一半导体基板和第二半导体基板的层压，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体基板包括逻辑电路。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体基板和所述第二半导体基板通过设置到所述第一半导体基板和所述第二半导体基板的接合电极而彼此接合。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述接合电极由铜形成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述选择晶体管为n型mos晶体管。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，多个所述第一存储元件中的至少一些是易失性存储元件。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，多个所述第一存储元件中的至少一些是非易失性存储元件。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，多个所述第一存储元件包括易失性存储元件和非易失性存储元件。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述非易失性存储元件包括破坏所述非磁性层的otp存储元件。

14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述存储区包括逻辑电路。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体基板不包括存储元件。

16.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第二半导体基板包括多个第二存储元件。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，

18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，每个所述第一存储元件和每个所述第二存储元件串联连接。

19.根据权利要求18所述的半导体装置，还包括：

20.一种安装有半导体装置的电子设备，所述半导体装置包括第一半导体基板和第二半导体基板的层压，其中，

技术总结提供一种半导体装置(10)，该半导体装置(10)包括第一半导体基板(100)和第二半导体基板(200)的层压，其中：第一半导体基板设置有：成像元件(300)，根据来自第一半导体基板的光入射表面的光产生电荷；以及第一存储元件(400)，相对于成像元件设置在与光入射表面相对的一侧上；并且第一存储元件具有磁化固定层(402)、非磁性层(404)以及存储层(406)从光入射表面侧依次层压的层压结构。技术研发人员：神田泰夫受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司技术研发日：技术公布日：2024/10/17