存储器设备和制造该存储器设备的方法与流程

本公开的各种实施例涉及存储器设备和制造该存储器设备的方法，并且更具体地涉及包括用于传递高电压的传输晶体管的存储器设备和制造该存储器设备的方法。

背景技术：

1、存储器设备可以包括在其中存储数据的存储器单元阵列、外围电路以及控制外围电路的控制电路，外围电路执行编程操作、读取操作或擦除操作。

2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块，该多个存储器块中的每个存储器块可以包括多个存储器单元。具有三维(3d)结构的存储器设备可以包括堆叠在衬底上的存储器单元。例如，具有3d结构的存储器设备可以包括垂直于衬底的插塞。插塞可以包括在位线和源极线之间形成的存储器单元和选择晶体管。位线和源极线之间的存储器单元和选择晶体管可以形成串。

3、在对存储器块的编程操作期间，可以将编程电压施加到与该存储器块耦合的字线当中的被选择的字线。编程电压可以由包括在外围电路中的电压生成器来生成，并且可以通过包括在外围电路中的行解码器而传递到被选择的字线。

4、编程电压可以具有比用于操作外围电路的正常电压的电平高的电平。因此，需要形成包括在行解码器中的传输晶体管，使得可以传递诸如编程电压的高电压。

技术实现思路

1、本公开的各种实施例涉及能够减少相邻传输晶体管之间的干扰的存储器设备和制造该存储器设备的方法。

2、根据本公开的实施例是一种存储器设备。该存储器设备可以包括：在衬底中形成的阱；在阱和衬底之间形成的绝缘衬垫层，绝缘衬垫层包围阱；包括在由绝缘衬垫层包围的阱中的第一、第二和第三结区域，第一、第二和第三结区域彼此间隔开；在第一结区域和第二结区域之间设置在阱上的栅极图案；以及阻挡层，阻挡层包括在阱中并且设置在第二结区域和第三结区域之间。

3、根据本公开的实施例是一种存储器设备。该存储器设备可以包括：设置在衬底的第一区域中的第一阱；设置在衬底的第二区域中的第二阱；从第一阱的下表面和第二阱的下表面之间的空间在向上方向上突出的突出图案；在衬底与第一和第二阱之间形成并且沿着突出图案的上表面延伸的绝缘衬垫层；包括在第一和第二阱中的每个阱中的第一、第二和第三结区域，第一、第二和第三结区域彼此间隔开；第一阻挡层，第一阻挡层包括在第一和第二阱中的每个阱中，并且设置在第二结区域和第三结区域之间；第二阻挡层，第二阻挡层接触突出图案上的绝缘衬垫层，第二阻挡层将第一阱和第二阱彼此分开；以及在第一结区域和第二结区域之间设置在第一和第二阱中的每个阱上的栅极图案。

4、根据本公开的实施例是一种制造存储器设备的方法。该方法可以包括：在衬底中形成主沟槽；沿着通过主沟槽暴露的衬底的表面形成绝缘衬垫层；在其中形成有绝缘衬垫层的主沟槽中形成阱；在阱中形成阻挡层；在阱上形成与阻挡层相邻的栅极图案；在阱中形成与栅极图案的两端接触的第一和第二结区域；以及在阱的侧表面和阻挡层之间形成第三结区域。

5、根据本公开的实施例是一种制造存储器设备的方法。该方法可以包括：在衬底中形成主沟槽，在主沟槽中限定在水平方向上彼此相邻的第一和第二区域；在第一区域和第二区域之间形成突出图案，在突出图案中衬底的部分突出；沿着包括突出图案的主沟槽的表面形成绝缘衬垫层；在其中形成有绝缘衬垫层的主沟槽的第一区域中形成第一阱，并且在第二区域中形成第二阱；在第一和第二区域的阱中形成第一阻挡层；在第一阱和第二阱之间形成第二阻挡层，第二阻挡层接触突出图案并且将第一阱和第二阱彼此分开；在第一和第二阱中的每个阱上形成栅极图案；在第一和第二阱中的每个阱中形成与栅极图案的两端接触的第一和第二结区域；以及在第一阻挡层和第二阻挡层之间形成第三结区域。

6、根据本公开的实施例是一种制造存储器设备的方法。该方法可以包括：在衬底中形成主沟槽；沿着通过主沟槽暴露的衬底的表面形成绝缘衬垫层；通过蚀刻绝缘衬垫层的部分暴露衬底的部分；在其中形成有绝缘衬垫层的主沟槽中形成阱；在其中蚀刻绝缘衬垫层的区域中，在衬底中形成接触阱的阻挡图案；在阱中形成阻挡层；在阱上形成与阻挡层相邻的栅极图案；在阱中形成与栅极图案的两端接触的第一和第二结区域；以及在阱的侧表面和阻挡层之间形成第三结区域。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述阱由包括n型杂质的多晶硅层形成。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述衬底的上表面和所述阱的上表面在共同平面中延伸。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述绝缘衬垫层由氧化物层和氮化物层中的至少一者形成。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一结区域和所述第二结区域是在其中p型杂质被注入到所述阱中的区域。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第三结区域是在其中n型杂质被注入到所述阱中的区域。

7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中注入到所述第三结区域中的所述n型杂质的浓度高于包括在所述阱中的n型杂质的浓度。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述栅极图案包括：

9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述栅极绝缘层由氧化物层形成。

10.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述栅极导电层由钨、钼、钴、镍、硅和多晶硅中的至少一者形成。

11.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一结区域的部分和所述第二结区域的部分与所述栅极图案的部分重叠。

12.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述阻挡层由氧化物层形成。

13.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述阻挡层的下表面与所述绝缘衬垫层间隔开。

14.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一结区域、所述第二结区域和所述第三结区域具有比所述阻挡层的深度小的深度。

15.根据权利要求1所述的存储器设备，进一步包括：

16.根据权利要求1所述的存储器设备，进一步包括：

17.根据权利要求16所述的存储器设备，其中所述阻挡图案由氧化物层形成。

18.一种存储器设备，包括：

19.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述突出图案是所述衬底的部分。

20.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述突出图案设置在包括在所述第一阱中的所述第三结区域和包括在所述第二阱中的所述第一结区域之间。

21.根据权利要求18所述的存储器设备，其中包括在所述第一阱和所述第二阱中的每个阱中的所述第二结区域和所述第三结区域接触包括在所述第一阱和所述第二阱中的每个阱中的所述第一阻挡层。

22.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述第一阱和所述第二阱包括n型杂质。

23.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述绝缘衬垫层沿着所述第一阱的下表面、所述突出图案的上表面和所述第二阱的下表面延伸。

24.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述绝缘衬垫层由氧化物层和氮化物层中的至少一者形成。

25.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述第一结区域和所述第二结区域是在其中p型杂质被注入到所述第一阱和所述第二阱中的每个阱中的区域。

26.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述第三结区域是在其中n型杂质被注入到所述第一阱和所述第二阱中的每个阱中的区域。

27.根据权利要求18所述的存储器设备，其中注入到所述第一阱和所述第二阱中的每个阱中的所述第三结区域中的n型杂质的浓度高于包括在所述第一阱和所述第二阱中的n型杂质的浓度。

28.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述栅极图案包括：

29.一种制造存储器设备的方法，包括：

30.根据权利要求29所述的方法，其中所述绝缘衬垫层由氧化物层和氮化物层中的至少一者形成。

31.根据权利要求29所述的方法，其中形成所述阱包括：

32.根据权利要求29所述的方法，其中形成所述阱包括：

33.根据权利要求29所述的方法，其中形成所述阻挡层包括：

34.根据权利要求29所述的方法，其中形成所述栅极图案包括：

35.根据权利要求29所述的方法，其中通过将p型杂质注入到所述阱中形成所述第一结区域和所述第二结区域。

36.根据权利要求29所述的方法，其中通过将n型杂质注入到所述阱中形成所述第三结区域。

37.根据权利要求29所述的方法，其中所述第三结区域被形成为具有比包括在所述阱中的杂质浓度高的杂质浓度。

38.根据权利要求29所述的方法，进一步包括：

39.一种制造存储器设备的方法，包括：

40.根据权利要求39所述的方法，其中形成所述突出图案包括：

41.一种制造存储器设备的方法，包括：

42.根据权利要求41所述的方法，其中通过蚀刻所述绝缘衬垫层的所述部分暴露所述衬底的所述部分包括：

43.根据权利要求41所述的方法，其中形成所述阻挡图案包括：

技术总结本公开涉及存储器设备和制造该存储器设备的方法。该存储器设备包括在衬底中形成的阱。该存储器设备还包括在阱和衬底之间形成的绝缘衬垫层，绝缘衬垫层包围阱。该存储器设备进一步包括第一、第二和第三结区域，第一、第二和第三结区域包括在由绝缘衬垫层包围的阱中，第一、第二和第三结区域彼此间隔开。此外，该存储器设备包括在第一结区域和第二结区域之间设置在阱上的栅极图案，以及包括在阱中的阻挡层，阻挡层设置在第二结区域和第三结区域之间。技术研发人员：金起德受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/17