一种抗串扰硅基OLED显示面板及其制备方法与流程

本发明属于微显示，更具体地说，涉及一种抗串扰硅基oled显示面板及其制备方法。

背景技术：

1、在硅基oled微显示中，随着分辨率需求的提升，像素尺寸越来越小，子像素尺寸甚至缩小至3um以内，像素间的电学、光学串扰越来越严重，当显示单色画面时，发光子像素中产生的载流子会横向扩散至相邻子像素中，导致邻近的子像素发光，产生电学串扰；另外，采用不同r、g、b微腔腔长实现彩色化的硅基oled显示面板，当发光子像素发出的光入射到相邻子像素，经过微腔共振后发出不同颜色的光，产生光学串扰。这种串扰会严重影响硅基oled屏体的显色性能，影响产品品质。采用不同微腔腔长实现彩色化的技术可行性高，无需cf也不需要借助fmm，出光效率高。所以电学、光学串扰的改善措施对于该彩色化方案的最终普及具有重要意义。

2、公开号cn214477464u，名称一种抗串扰oled显示面板结构，该专利通过倒梯形阳极设计形成部分断线隔离区，隔断部分相邻子像素之间的oled膜层，改善电学串扰，但其实施结构无法做到全部相邻子像素间电学隔断，也无法降低相邻子像素间的光学串扰。

技术实现思路

1、本发明的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，可较好的消除串扰问题，显著提升屏体出光效率的同时还可以提高色纯度，提升屏体正视角发光亮度的抗串扰硅基oled显示面板及其制备方法。

2、为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：所提供的这种抗串扰硅基oled显示面板，包括基板，在基板上设有阳极层以及像素限定层，阳极层通过钨通孔连接至基板，所述阳极层以及像素限定层上设有oled膜层，所述oled膜层上设有第一无机封装层，其特征在于：所述像素限定层上方的第一无机封装层和oled膜层隔断设置，在所述第一无机封装层和外露的像素限定层上设有第二无机封装层；在像素限定层对应的第二无机封装层上方设有辅助阴极，所述辅助阴极两端与断开的oled阴极边缘相连。

3、为使上述技术方案更加详尽和具体，本发明还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：

4、所述第一无机封装层和第二无机封装层侧壁设有辅助阴极。

5、在所述辅助阴极及最上方的第二无机封装层上设有第三无机封装层。

6、一种抗串扰硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

7、步骤1：制备基础oled显示面板结构；步骤2：去除像素限定层上方的第一无机封装层tfe1和oled膜层；步骤3：在经步骤2形成的结构上沉积第二无机封装层；步骤4：将oled阴极对应像素限定层上方的第一无机封装层和第二无机封装层去除，露出像素限定层边缘的oled阴极；步骤5：在步骤4之后的结构上形成整面辅助阴极；步骤6：去除第一无机封装层上方对应的辅助阴极。

8、步骤1中，在已经形成有cmos晶体管、且具有完整驱动ic的基板上，通过光刻、刻蚀工艺形成阳极层以及像素限定层的图形，阳极层通过钨通孔连接ic基板顶层金属tm；通过蒸镀形成整面oled膜层，覆盖在阳极及像素限定层上方；通过cvd沉积第一无机封装层。

9、步骤2中，在步骤1形成的基础oled显示面板结构上涂覆光刻胶，采用光罩掩模版进行曝光显影，将部分像素限定层上方光刻胶去除，其后，进行刻蚀工艺，通过刻蚀工艺在与像素限定层对应的区域刻蚀出过孔，去除像素限定层上方的第一无机封装层和oled膜层。

10、步骤4中，在经步骤3形成的结构上涂覆光刻胶，采用光罩掩模版进行曝光显影，将oled阴极对应像素限定层上方的光刻胶去除，其后，进行刻蚀工艺，通过刻蚀工艺将光刻胶显影部分对应的第一无机封装层和第二无机封装层去除，露出对应像素限定层边缘的部分的oled阴极。

11、步骤5：通过蒸镀或pvd沉积方式形成整面辅助阴极，在像素限定层上方与相邻子像素间断开的阴极相连。

12、步骤6中在经步骤5形成的结构上涂覆光刻胶，采用光罩掩模版进行曝光显影，将对应第一无机封装层上方的光刻胶去除，其后，进行刻蚀工艺，通过刻蚀工艺将光刻胶显影部分对应辅助阴极去除，保留像素限定层上方过孔区域的辅助阴极。

13、步骤7：在经步骤6形成的结构上沉积第三无机封装层。

14、本发明与现有技术相比，具有以下优点：本发明抗串扰硅基oled显示面板及其制备方法，结构简单，可较好的消除使用不同微腔腔长实现彩色化的硅基oled显示面板串扰问题，显著提升屏体出光效率的同时还可以提高色纯度，提升屏体正视角发光亮度，具有较强的实用性和较好的应用前景。

技术特征：

1.一种抗串扰硅基oled显示面板，包括基板，在基板上设有阳极层以及像素限定层，阳极层通过钨通孔连接至基板，所述阳极层以及像素限定层上设有oled膜层，所述oled膜层上设有第一无机封装层，其特征在于：所述像素限定层上方的第一无机封装层和oled膜层隔断设置，在所述第一无机封装层和外露的像素限定层上设有第二无机封装层；在像素限定层对应的第二无机封装层上方设有辅助阴极，所述辅助阴极两端与断开的oled阴极边缘相连。

2.按照权利要求1所述的抗串扰硅基oled显示面板，其特征在于：所述第一无机封装层和第二无机封装层侧壁设有辅助阴极。

3.按照权利要求1所述的抗串扰硅基oled显示面板，其特征在于：在所述辅助阴极及最上方的第二无机封装层上设有第三无机封装层。

4.一种如权利要求1至3任一项所述的抗串扰硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

5.按照权利要求4所述的抗串扰硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于：步骤1中，在已经形成有cmos晶体管、且具有完整驱动ic的基板上，通过光刻、刻蚀工艺形成阳极层以及像素限定层的图形，阳极层通过钨通孔连接ic基板顶层金属tm；通过蒸镀形成整面oled膜层，覆盖在阳极及像素限定层上方；通过cvd沉积第一无机封装层。

6.按照权利要求4所述的抗串扰硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于：步骤2中，在步骤1形成的基础oled显示面板结构上涂覆光刻胶，采用光罩掩模版进行曝光显影，将部分像素限定层上方光刻胶去除，其后，进行刻蚀工艺，通过刻蚀工艺在与像素限定层对应的区域刻蚀出过孔，去除像素限定层上方的第一无机封装层和oled膜层。

7.按照权利要求4所述的抗串扰硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于：步骤4中，在经步骤3形成的结构上涂覆光刻胶，采用光罩掩模版进行曝光显影，将oled阴极对应像素限定层上方的光刻胶去除，其后，进行刻蚀工艺，通过刻蚀工艺将光刻胶显影部分对应的第一无机封装层和第二无机封装层去除，露出对应像素限定层边缘的部分的oled阴极。

8.按照权利要求4所述的抗串扰硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于：步骤5：通过蒸镀或pvd沉积方式形成整面辅助阴极，在像素限定层上方与相邻子像素间断开的阴极相连。

9.按照权利要求4所述的抗串扰硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于：步骤6中在经步骤5形成的结构上涂覆光刻胶，采用光罩掩模版进行曝光显影，将对应第一无机封装层上方的光刻胶去除，其后，进行刻蚀工艺，通过刻蚀工艺将光刻胶显影部分对应辅助阴极去除，保留像素限定层上方过孔区域的辅助阴极。

10.按照权利要求4所述的抗串扰硅基oled显示面板的制备方法，其特征在于：步骤7：在经步骤6形成的结构上沉积第三无机封装层。

技术总结本发明公开了一种抗串扰硅基OLED显示面板及其制备方法，包括基板，在基板上设有阳极层以及像素限定层，阳极层通过钨通孔连接至基板，所述阳极层以及像素限定层上设有OLED膜层，所述OLED膜层上设有第一无机封装层，其特征在于：所述像素限定层上方的第一无机封装层和OLED膜层隔断设置，在所述第一无机封装层和外露的像素限定层上设有第二无机封装层；在像素限定层对应的第二无机封装层上方设有辅助阴极，所述辅助阴极两端与断开的OLED阴极边缘相连。本发明显示面板结构简单，可较好的消除使用不同微腔腔长实现彩色化的硅基OLED显示面板串扰问题，显著提升屏体出光效率的同时还可以提高色纯度，提升屏体正视角发光亮度，具有较强的实用性和较好的应用前景。技术研发人员：张义波,魏晓婷受保护的技术使用者：安徽熙泰智能科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/17