圆筒形二次电池的制作方法

本公开涉及圆筒形二次电池。

背景技术：

1、近年来，作为高输出、高容量的二次电池，具备正极、负极和非水电解质，在正极与负极之间使li离子等移动而进行充放电的非水电解质二次电池被广泛利用。在专利文献1中公开了一种圆筒形二次电池，其通过在多个极耳突出的电极体的上下配置集电构件来实现电池的输出特性的改善，并且抑制了集电构件的成本。另外，专利文献2中公开了在钛酸锂的表面附着有磺酸锂盐化合物的正极活性物质，记载了该正极活性物质的高温保存特性优异。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利第5747082号公报

5、专利文献2：日本特开2018-6164号公报

技术实现思路

1、然而，近年来，以改善每单位体积的电池容量为目的，正在研究电池的大型化。本发明人等进行了深入研究，结果发现，即使组合专利文献1和专利文献2中记载的技术，在大型的电池中，也无法改善每单位体积的电池容量并且改善输出特性。专利文献1和专利文献2中记载的技术没有对电池的大型化进行研究，仍有改善的余地。

2、本公开的目的在于，提供一种每单位体积的电池容量改善并且输出特性改善的圆筒形二次电池。

3、作为本公开的一个方式的圆筒形二次电池，其特征在于，其具备：带状的正极和带状的负极隔着分隔件卷绕而成的电极体；容纳电极体并与负极连接的、外径为25mm以上且有底圆筒形状的外装体；和将外装体的上端的开口封口并与正极连接的封口体，正极具有正极集电体和形成于正极集电体的表面的正极合剂层，正极合剂层含有正极活性物质，正极活性物质包含具有层状岩盐结构的含锂复合氧化物和存在于含锂复合氧化物的表面的磺酸化合物，磺酸化合物以下述通式(i)表示，正极合剂层的单位面积重量为250g/m2以上，在电极体中，导出有3根以上的正极引线。

4、

5、(式中，a为1族元素或2族元素，r为烃基，n为1或2。)

6、作为本公开的另一个方式的圆筒形二次电池，其特征在于，其具备：带状的正极和带状的负极隔着分隔件卷绕而成的电极体；容纳电极体并与负极连接的、外径为25mm以上且有底圆筒形状的外装体；和将外装体的上端的开口封口并与正极连接的封口体，正极具有正极集电体和形成于正极集电体的表面的正极合剂层，正极合剂层含有正极活性物质，正极活性物质包含具有层状岩盐结构的含锂复合氧化物和存在于含锂复合氧化物的表面的磺酸化合物，磺酸化合物以下述通式(i)表示，正极合剂层的单位面积重量为250g/m2以上，在电极体中比负极和分隔件更向上方突出的正极与正极集电构件连接，正极集电构件与封口体通过正极引线连接。

7、

8、(式中，a为1族元素或2族元素，r为烃基，n为1或2。)

9、根据作为本公开的一个方式的圆筒形二次电池，能够兼顾每单位体积的高容量化和输出特性的改善。

技术特征：

1.一种圆筒形二次电池，其具备：

2.根据权利要求1所述的圆筒形二次电池，其中，所述正极引线在所述电极体的上表面在径向配置成大致一列。

3.根据权利要求1所述的圆筒形二次电池，其中，所述正极引线在所述电极体的上表面以大致均等的角度配置。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的圆筒形二次电池，其中，所述正极沿着长度方向在上端部具有所述正极集电体露出的多个正极集电体露出部，

5.一种圆筒形二次电池，其具备：

6.根据权利要求1～5中任一项所述的圆筒形二次电池，其中，所述a为1族元素。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的圆筒形二次电池，其中，所述a为li。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的圆筒形二次电池，其中，所述r为烷基。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的圆筒形二次电池，其中，所述r为甲基。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的圆筒形二次电池，其中，所述正极活性物质是体积基准的中值粒径为10μm以上的颗粒与体积基准的中值粒径为6μm以下的颗粒的混合物。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的圆筒形二次电池，其中，存在于所述含锂复合氧化物的表面的所述磺酸化合物的量相对于所述含锂复合氧化物的质量为0.1质量％～1质量％。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的圆筒形二次电池，其中，在红外吸收光谱中，在1238cm-1、1175cm-1、1065cm-1、785cm-1附近的至少一处以上具有吸收峰。

技术总结该圆筒形二次电池具备：带状的正极和带状的负极隔着分隔件卷绕而成的电极体；容纳电极体并与负极连接的、外径为25mm以上且有底圆筒形状的外装体；和将外装体的上端的开口封口并与正极连接的封口体，正极具有正极集电体和形成于正极集电体的表面的正极合剂层，正极合剂层含有正极活性物质和下述通式(I)所示的磺酸化合物，正极活性物质包含具有层状岩盐结构的含锂复合氧化物，正极合剂层的单位面积重量为250g/m<supgt;2</supgt;以上，在电极体中，导出有3根以上的正极引线。(式中，A为1族元素或2族元素，R为烃基，n为1或2。)技术研发人员：河北晃宏,井之上胜哉,小笠原毅受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社技术研发日：技术公布日：2024/11/4