不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法及系统与流程

本发明涉及芯片测试，具体涉及不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法及系统。

背景技术：

1、现有的芯片在加工完成后均需要进行引脚的通断检测，以保证芯片的成品率。现有对不完全pop封装芯片常用的非接触式检测方法包括红外线热像检测、激光扫描和x射线检测等，现有的检测方式较为繁琐，应用在量产的芯片检测上导致效率较低，成本高。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法及系统。

2、为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法，将待测试的芯片放置在检测板上，芯片的各个底层锡球与检测板上的测试座电性连接，在检测板上放置转接板，所述转接板从上方连接芯片的各个顶层锡球，使芯片的顶层锡球以两个为一组分别短接，短接后以组为单位分别进行通电测试，判断芯片的管脚的通断状态。

4、在本发明中，优选的，所述转接板上设置有若干连接引脚，两个连接引脚为一组串接在一起组成桥接电路，将与两个所述连接引脚连接的待测试芯片的两个顶层锡球短接。

5、在本发明中，优选的，在进行通电测试时，检测板上的两个测试座中一个测试座发送激励信号，另一个测试座接收测试信号。

6、在本发明中，优选的，在通电测试时，激励信号经检测板的第一测试座流入待检测板的第一底层锡球中，通过待测试芯片的内部电路到达第一顶层锡球，通过第一顶层锡球进入与其连接的桥接电路后流回待检测板的第二顶层锡球中，通过第二顶层锡球连接的内部电路回到第二底层锡球中，最后通过与第二底层锡球连接的检测板上的第二测试座返回测试信号。

7、在本发明中，优选的，所述检测板连接有控制器，所述控制器与测试座电性连接，所述控制器向所述测试座发送激励信号，并接收测试座返回的测试信号，通过测试信号判断对应的待测试芯片的锡球的通断状态。

8、在本发明中，优选的，所述转接板上连接引脚之间的桥接电路针对不同的待测试芯片连接方式不同。

9、不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试系统，包括检测板、转接板和控制器，所述控制器与所述检测板电性连接，所述转接板通过铜柱放置在所述检测板上方，待测试芯片可拆卸设置在所述检测板上。

10、在本发明中，优选的，所述转接板包括连接引脚和连接引脚之间的桥接电路，所述桥接电路将两个所述连接引脚短接，桥接电路设置有多种。

11、在本发明中，优选的，所述转接板连接有转接控制器，所述连接引脚之间互相连接有开关电路，所述开关电路与所述转接控制器电性连接，通过转接控制器控制开关电路的关断从而实现连接引脚之间不同的桥接电路。

12、在本发明中，优选的，连接引脚可采用pin针或锡球。

13、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

14、本发明的方法利用转接板将顶层锡球短接，快速进行通断测试，简化了测试过程，操作简单，适用于量产的不完全pop封装芯片，在保持测试的有效性和准确性的同时，提高了检测效率和便利性。

技术特征：

1.不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法，其特征在于，将待测试的芯片放置在检测板上，芯片的各个底层锡球与检测板上的测试座电性连接，在检测板上放置转接板，所述转接板从上方连接芯片的各个顶层锡球，使芯片的顶层锡球以两个为一组分别短接，短接后以组为单位分别进行通电测试，判断芯片的管脚的通断状态。

2.根据权利要求1所述的不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法，其特征在于，所述转接板上设置有若干连接引脚，两个连接引脚为一组串接在一起组成桥接电路，将与两个所述连接引脚连接的待测试芯片的两个顶层锡球短接。

3.根据权利要求2所述的不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法，其特征在于，在进行通电测试时，检测板上的两个测试座中一个测试座发送激励信号，另一个测试座接收测试信号。

4.根据权利要求3所述的不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法，其特征在于，在通电测试时，激励信号经检测板的第一测试座流入待检测板的第一底层锡球中，通过待测试芯片的内部电路到达第一顶层锡球，通过第一顶层锡球进入与其连接的桥接电路后流回待检测板的第二顶层锡球中，通过第二顶层锡球连接的内部电路回到第二底层锡球中，最后通过与第二底层锡球连接的检测板上的第二测试座返回测试信号。

5.根据权利要求4所述的不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法，其特征在于，所述检测板连接有控制器，所述控制器与测试座电性连接，所述控制器向所述测试座发送激励信号，并接收测试座返回的测试信号，通过测试信号判断对应的待测试芯片的锡球的通断状态。

6.根据权利要求1所述的不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法，其特征在于，所述转接板上连接引脚之间的桥接电路针对不同的待测试芯片连接方式不同。

7.用于实现权利要求1-6任意一项所述的不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法的系统，其特征在于，包括检测板、转接板和控制器，所述控制器与所述检测板电性连接，所述转接板通过铜柱放置在所述检测板上方，待测试芯片可拆卸设置在所述检测板上。

8.根据权利要求7所述的不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法的系统，其特征在于，所述转接板包括连接引脚和连接引脚之间的桥接电路，所述桥接电路将两个所述连接引脚短接，桥接电路设置有多种。

9.根据权利要求8所述的不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法的系统，其特征在于，所述连接引脚采用pin针。

10.根据权利要求8所述的不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法的系统，其特征在于，所述转接板连接有转接控制器，所述连接引脚之间互相连接有开关电路，所述开关电路与所述转接控制器电性连接，通过转接控制器控制开关电路的关断从而实现连接引脚之间不同的桥接电路。

技术总结本发明涉及芯片测试技术领域，公开了不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法及系统，将待测试的芯片放置在检测板上，芯片的各个底层锡球与检测板上的测试座电性连接，在检测板上放置转接板，所述转接板从上方连接芯片的各个顶层锡球，使芯片的顶层锡球以两个为一组分别短接，短接后以组为单位分别进行通电测试，判断芯片的管脚的通断状态；本方法利用转接板将顶层锡球短接，快速进行通断测试，简化了测试过程，操作简单，适用于量产的不完全pop封装芯片，在保持测试的有效性和准确性的同时，提高了检测效率和便利性。技术研发人员：张大伟,屈粮富,姚文达,马慧娟受保护的技术使用者：天津普智芯网络测控技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/18