一种闭合切割双电极装置的制作方法
- 国知局
- 2024-11-25 15:02:13
本技术涉及医疗器械领域,医疗电外科手术器械,尤其是涉及一种闭合切割双电极装置。
背景技术:
1、现有技术中,双电极手术器械用于开放性手术,需要对血管、组织束和淋巴管进行结扎(密封)和分割,也可用于血管(动脉,静脉,肺动脉,肺静脉),长度达7mm,适用于普通外科,泌尿外科,血管外科,胸外科和妇科等外科专科,手术包括,但不限于尼森底复盖术,结肠切除术,胆囊切除术,粘连松解术,子宫切除术,卵巢切除术,输卵管切除术等。其工作原理是:主机输出精确的电能量,电能量通过电缆导线传输到该装置刀口,在电刀口电能量产生热能,热能量再使刀口两电极间靶向目标组织细胞脱水、变性,凝固,再通过刀口物理加压使胶原蛋白和纤维蛋白融合粘接在一起,使血管结扎(密封)闭合,血管被密封闭合后,可激发刀片切断闭合带,大大缩短手术时间,减少出血,使手术风险降至最低,因其相对于传统线结扎术的安全性和可靠性而被广泛应用于外科手术。
2、目前为了防止双电极手术器械的刀口的上下电极,在刀口闭合工作时发生短路。有以下几种结构:第一种结构是直接在一电极片上喷涂或粘结一定数量的陶瓷柱体,陶瓷柱体在刀口闭合时起到隔离上下电极接触,起到绝缘防止短路作用,这些陶瓷柱体既绝缘又耐高温满足了使用要求,但由于喷涂工艺难度大,比较难控制,陶瓷柱体与电极片接触截面积很小,由于是陶瓷材料与金属材料间连接结合,属于异种材料连接,附着结合力可靠性工艺难以控制,实际使用中存在陶瓷柱体脱落现象,故使用中存在一定风险。
3、第二种结构是先做出小陶瓷柱体,将电极片冲出孔,再将小陶瓷柱体穿过电极片孔通过镶嵌注塑工艺将陶瓷柱、电极片和塑料绝缘体结合成一体,这样解决了陶瓷柱体和电极片之间附着力的问题,但由于这个复合体是三种不同物理属性材料之间的结合:陶瓷、金属和高分子树脂材料,含嵌件注塑件冷却过程中不同材料应力、收缩率不同,导致刀口翘曲变形严重,且后续工序无法修复刀口平面度,无法保证刀口间隙一致,故实际应用也受到限制。
4、第三种结构是将小陶瓷柱子和绝缘体一体成型,故绝缘体也需选用陶瓷材料,将电极片冲出孔,再将电极片装配在陶瓷绝缘体上通过一定方法连接起来,这样陶瓷小柱体与绝缘体是一体结构,解决了小陶瓷柱体附着力问题,但又产生了新问题,当绝缘体使用耐高温,生物相容性好,又绝缘的陶瓷材料时,由于陶瓷烧结过程中不可避免出现变形,由于绝缘体陶瓷件结构特征表面小陶瓷柱子的存在,且陶瓷材料硬度大,受冲击力易碎;使绝缘体陶瓷件平面度很难加工甚至无法修复,即使能加工,加工成本昂贵;绝缘体陶瓷件平面度差,刀口闭合间隙要求很小,故也会导致装置工作时短路的风险。
5、故有待提出一种新的双电极手术器械的刀口装置,以解决现有技术中双电极手术器械的刀口装置在工作时存在短路风险的技术问题。
技术实现思路
1、本实用新型提供了一种闭合切割双电极刀口装置,以至少解决现有技术中的双电极手术器械的刀口装置在工作时存在短路风险的技术问题。
2、本实用新型提供了一种闭合切割双电极刀口装置,上述闭合切割双电极刀口装置包括上刀口支架、上刀口绝缘体、上刀口电极、陶瓷柱体、衬套、下刀口电极、下刀口绝缘体及下刀口支架,上述上刀口绝缘体与上述上刀口电极装配连接,将装配连接后的上述上刀口绝缘体与上述上刀口电极装入上述上刀口支架中,上述下刀口绝缘体与上述下刀口电极装配连接,将装配连接后的上述下刀口绝缘体与上述下刀口电极装入上述下刀口支架中,上述陶瓷柱体和上述衬套设于上述下刀口绝缘体中。
3、可选的,上述下刀口绝缘体的上表面设有盲孔凹槽。
4、可选的,上述衬套置于上述盲孔凹槽中。
5、可选的,上述衬套为圆筒形状,上述衬套的侧壁设有缺口,上述缺口使上述衬套有利于装入上述下刀口绝缘体上表面的上述盲孔凹槽中。
6、可选的,上述下刀口电极上分布孔,上述下刀口电极与上述下刀口绝缘体装配连接在一起,上述下刀口电极上的上述孔与上述下刀口绝缘体上表面的上述盲孔凹槽对齐。
7、可选的,将上述陶瓷柱体穿过上述下刀口电极的上述孔后置于上述衬套中。
8、可选的,上述陶瓷柱体的形状为圆柱,上述陶瓷柱体设有轴肩结构,上述轴肩结构使上述陶瓷柱体有利于装入上述衬套中时卡紧锁定上述下刀口电极,上述轴肩结构填充上述下刀口电极的上述孔的孔边缘与上述下刀口绝缘体的上述盲孔凹槽之间径向间隙。
9、可选的,上述下刀口电极还设有上表面,上述陶瓷柱体的上述轴肩结构的上表面与上述下刀口电极的上述上表面平齐,上述陶瓷柱体与上述衬套为过盈配合。
10、可选的,上述陶瓷柱体的圆柱体下侧设有锥度,锥度有利于陶瓷柱体装入衬套时导入定位作用。
11、可选的,上述陶瓷柱体位于上述上刀口电极及上述下刀口电极之间。
12、本实用新型提供的技术方案解决了上述现有技术之不足,提供了一种刀口装置及其应用在固定陶瓷柱体上的方法,解决了陶瓷柱体与电极附着力不够的技术问题,避免了脱落风险,克服了可含镶嵌件注塑工艺难控制的问题,刀口不易变形,陶瓷柱体一体成型结构,绝缘体陶瓷件烧结过程不变形,刀口平面度好,修复容易,可以正常使用。
13、1)与现有技术相比,现有技术采取喷涂陶瓷到电极上,陶瓷柱体有脱落风险,而本实用新型采用机械压力将陶瓷柱体压入下刀口绝缘体的盲孔中,通过过盈配合结合,使陶瓷柱体相对电极结合更牢固、更可靠,从而保证手术过程更安全。
14、2)与现有技术相比,现有技术通过含嵌件注塑工艺将陶瓷柱体与下刀口绝缘体结合,由于含嵌件注塑件冷却过程会翘曲变形,导致刀口平面度不良,器械刀口闭合短路风险;而本实用新型在常温下采用机械压力装配,不会引起刀口变形,能够保证器械刀口平面度要求,刀口闭合工作时不会产生短路,使手术过程更安全。
15、3)与现有技术相比,现有技术绝缘体采用陶瓷材料时,陶瓷柱体与绝缘体采用一体成型,陶瓷烧结过程中不可避免会产生变形,由于结构特征,使得刀口平面度很难修复甚至无法修复,即使能修复,修复加工成本很高,且效率低;采用本实用新型柱体与绝缘体分离式结构,当绝缘体采用陶瓷材料时,修复平面度方法简单易行,修复成本低,加工效率高,同现有技术相比能取得明显经济效益。
16、4)与现有技术相比,现有陶瓷柱体与电极孔是间隙配合,在手术过程中,人体组织易进入陶瓷柱体与电极孔之间的缝隙,电刀刀口不易清理干净,易造成焦痂,影响手术过程效率;本实用新型方案陶瓷柱体轴肩法兰与电极孔可过盈配合,人体组织不会进入陶瓷柱体与电极之间的缝隙,同现有技术相比手术过程更安全高效。
技术特征:1.一种闭合切割双电极装置,其特征在于,所述闭合切割双电极装置包括上刀口支架(1)、上刀口绝缘体(2)、上刀口电极(3)、陶瓷柱体(4)、衬套(5)、下刀口电极(6)、下刀口绝缘体(7)及下刀口支架(8),所述上刀口绝缘体(2)与所述上刀口电极(3)装配连接,将装配连接后的所述上刀口绝缘体(2)与所述上刀口电极(3)装入所述上刀口支架(1)中,所述下刀口绝缘体(7)与所述下刀口电极(6)装配连接,将装配连接后的所述下刀口绝缘体(7)与所述下刀口电极(6)装入所述下刀口支架(8)中,所述陶瓷柱体(4)和所述衬套(5)设于所述下刀口绝缘体(7)中。
2.根据权利要求1所述的闭合切割双电极装置,其特征在于,所述下刀口绝缘体(7)的上表面设有盲孔凹槽(71)。
3.根据权利要求2所述的闭合切割双电极装置,其特征在于,所述衬套(5)置于所述盲孔凹槽(71)中。
4.根据权利要求3所述的闭合切割双电极装置,其特征在于,所述衬套(5)为圆筒形状,所述衬套(5)的侧壁设有缺口(51),所述缺口(51)使所述衬套(5)有利于装入所述下刀口绝缘体(7)上表面的所述盲孔凹槽(71)中。
5.根据权利要求3所述的闭合切割双电极装置,其特征在于,所述下刀口电极(6)上分布孔(61),所述下刀口电极(6)与所述下刀口绝缘体(7)装配连接在一起,所述下刀口电极(6)上的所述孔(61)与所述下刀口绝缘体(7)上表面的所述盲孔凹槽(71)对齐。
6.根据权利要求5所述的闭合切割双电极装置,其特征在于,将所述陶瓷柱体(4)穿过所述下刀口电极(6)的所述孔(61)后置于所述衬套(5)中。
7.根据权利要求6所述的闭合切割双电极装置,其特征在于,所述陶瓷柱体(4)的形状为圆柱,所述陶瓷柱体(4)设有轴肩结构(41),所述轴肩结构(41)使所述陶瓷柱体(4)有利于装入所述衬套(5)中时卡紧锁定所述下刀口电极(6),所述轴肩结构(41)填充所述下刀口电极(6)的所述孔(61)的孔边缘与所述下刀口绝缘体(7)的所述盲孔凹槽(71)之间径向间隙。
8.根据权利要求7所述的闭合切割双电极装置,其特征在于,所述下刀口电极(6)还设有上表面(62),所述陶瓷柱体(4)的所述轴肩结构(41)的上表面与所述下刀口电极(6)的所述上表面(62)平齐,所述陶瓷柱体(4)与所述衬套(5)为过盈配合。
9.根据权利要求7所述的闭合切割双电极装置,其特征在于,所述陶瓷柱体(4)的圆柱体下侧设有锥度结构(42),锥度结构(42)有利于陶瓷柱体(4)装入衬套(5)时导入定位作用。
10.根据权利要求1所述的闭合切割双电极装置,其特征在于,所述陶瓷柱体(4)位于所述上刀口电极(3)及所述下刀口电极(6)之间。
技术总结本技术提供了一种闭合切割双电极装置,上述闭合切割双电极装置包括上刀口支架、上刀口绝缘体、上刀口电极、陶瓷柱体、衬套、下刀口电极、下刀口绝缘体及下刀口支架,上述上刀口绝缘体与上述上刀口电极装配连接,将装配连接后的上述上刀口绝缘体与上述上刀口电极装入上述上刀口支架中,上述下刀口绝缘体与上述下刀口电极装配连接,将装配连接后的上述下刀口绝缘体与上述下刀口电极装入上述下刀口支架中,上述陶瓷柱体和上述衬套设于上述下刀口绝缘体中。解决了陶瓷柱体与电极附着力不够的技术问题,避免了脱落风险。技术研发人员:张钧,张志远,钱景鸿,王春红受保护的技术使用者:阿尔法迈士医疗科技(上海)有限公司技术研发日:20231227技术公布日:2024/11/21本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20241125/335818.html
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