一种传感器封装结构的制作方法

本技术涉及芯片封装领域，特别涉及一种传感器封装结构。

背景技术：

1、混合微电路中引线键合是实现电路互联的最主要方式，90％以上的微电路均采用这种互联方式。常用的键合方式包括球焊键合和楔焊键合，球焊键合因其效率高和弧形可控，多用于数字微电路中，而楔焊键合因其焊点小、可实现小跨度和低弧度而广泛应用于微波电路互联中。随着微波电路应用频率越来越高，键合引线的长度对电路性能影响显著，因此要求引线两端点距离尽可能短，同时，两端点的高度一般都不相同。生产中发现，电路中出现键合失效的位置大多出现在键合线两点落差比较大的位置。当两端键合点的高度落差非常大时，在键合第二点时，弧线最高点到第二点之间的引线与基板之间的夹角接近90°，容易与劈刀接触，键合时超声能量不能完全传递到键合点，同时由于引线震动，键合引线与基板之间没有形成足够的原子间结合力，导致键合拉力急剧下降，并且断裂模式表现为焊点与界面脱离。

2、针对芯片封装结构中不同芯片之间键合点落差较大的问题，需要新的工艺进行适配，以提高芯片之间导线连接的稳定性，降低产品的不良率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种传感器封装结构，使得芯片之间安装后的键合平面高度落差缩小，提高芯片之间导线连接的稳定性。

2、为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种技术方案，如下：

3、一种传感器封装结构，包括具有腔体的预塑封框架，所述预塑封框架腔体的底壁上固定设置有mems芯片以及asic芯片，所述底壁上一体成型设置有支撑台，所述asic芯片贴合设置在所述支撑台上，使得所述asic芯片与所述mems芯片键合平面高度差在1mm以内。

4、进一步，所述支撑台上设有散热孔。

5、进一步，所述支撑台与asic芯片的贴合面设有凹凸表面。

6、进一步，所述底壁与mems芯片的贴合面设有凹凸表面。

7、进一步，所述预塑封框架腔体的侧壁为斜面，所述腔体整体呈喇叭口状。

8、进一步，所述斜面设有凹凸表面。

9、进一步，所述mems芯片以及asic芯片键合平面通过导线键合连接。

10、进一步，所述asic芯片与所述支撑台通过胶膜粘合固定，所述mems芯片与所述底壁通过胶膜粘合固定。

11、进一步，所述腔体内设有密封件，所述密封件采用灌胶方式注入腔体制成。

12、进一步，在所述预塑封框架上方设置有封盖，所述封盖密封设置在所述腔体开口处。

13、本实用新型实施方式所提供的传感器封装结构，相对于现有技术而言，通过与预塑封框架一体成型的支撑台设计，使得安装后的asic芯片与mems芯片的键合平面高度落差保持在1mm以内，有效缩小了asic芯片与mems芯片键合平面之间的原有高度落差。

技术特征：

1.一种传感器封装结构，包括具有腔体的预塑封框架(1)，所述预塑封框架(1)腔体的底壁(11)上固定设置有mems芯片(3)以及asic芯片(2)，其特征在于，所述底壁(11)上一体成型设置有支撑台(13)，所述asic芯片(2)贴合设置在所述支撑台(13)上，使得所述asic芯片(2)与所述mems芯片(3)键合平面高度差在1mm以内。

2.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑台(13)上设有散热孔(132)。

3.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑台(13)与asic芯片(2)的贴合面设有凹凸表面。

4.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述底壁(11)与mems芯片(3)的贴合面上设有凹凸表面。

5.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述预塑封框架(1)腔体的侧壁(12)为斜面(121)，所述腔体整体呈喇叭口状。

6.根据权利要求5所述的传感器封装结构，其特征在于，所述斜面(121)设有凹凸表面。

7.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述mems芯片(3)以及asic芯片(2)键合平面通过导线键合连接。

8.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述asic芯片(2)与所述支撑台(13)通过胶膜粘合固定，所述mems芯片(3)与所述底壁(11)通过胶膜粘合固定。

9.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述腔体内设有密封件(6)，所述密封件(6)采用灌胶方式注入腔体制成。

10.根据权利要求1-9任一项所述的传感器封装结构，其特征在于，在所述预塑封框架(1)上方设置有封盖(4)，所述封盖(4)密封设置在所述腔体开口处。

技术总结本技术涉及芯片封装领域，公开了一种传感器封装结构，包括具有腔体的预塑封框架，所述预塑封框架腔体的底壁上固定设置有MEMS芯片以及ASIC芯片，所述底壁上一体成型设置有支撑台，所述ASIC芯片贴合设置在所述支撑台上，使得所述ASIC芯片与所述MEMS芯片键合平面高度差在1MM以内，有效降低了ASIC芯片与MEMS芯片键合平面之间的原有高度落差，使得ASIC芯片与MEMS芯片之间的导线键合更加稳定可靠，有利于降低传感器封装产品的不良率。技术研发人员：夏友力,刘彬受保护的技术使用者：上海共进微电子技术有限公司技术研发日：20240329技术公布日：2024/11/21