一种利用晶粒生长层作电子注入的OLED器件的制备方法与流程

本发明属于oled器件，尤其涉及一种利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法。

背景技术：

1、在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

2、目前oled器件及产品主要是使用金属yb来作为电子注入材料，一方面这会导致阴极和有机层界面结合力较弱，容易分层，分层后oled电压会升高，寿命会越来越差；另一方面，oled产品在蒸镀阴极后容易发生断裂，导致oled产品无法点亮。

3、cn109232864a-聚合物、电子注入层、oled器件及显示装置，公开了一种聚合物、电子注入层、oled器件及显示装置。聚合物，包括a单元和b单元，其中a单元为芳香基团；电子注入层包括聚合物。oled器件，包括层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、的电子注入层、以及阴极。也无法解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是提供一种利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，不但有电子注入的功能，一方面让有机层和阴极结合更牢固；另一方面有了晶粒生长层可以让阴极成膜效果更好，改善了oled产品阴极断裂问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，包括如下步骤：

3、1)在基板上沉积一层透明导电氧化物薄膜；

4、2)在透明导电氧化物薄膜上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层；

5、3)蒸镀晶粒生长层；

6、4)二次处理晶粒生长层。

7、上述第1)步中，透明导电氧化物薄膜厚度为10-2000nm。

8、上述第1)步中，透明导电氧化物薄膜为ito，ito的粗糙度要求≤1nm。

9、上述第2)步中，每层材料在进行蒸镀前进行梯度式升温和保温，保温时间不低于30min，速率稳定性在3％以内。

10、上述第2)步中，每层镀膜间隔时间在5分钟以内，每层材料镀膜偏差率和均一性控制在2％以内；真空度在0.0001以下；材料纯度要求99.95％以上。

11、上述第3)步中，晶粒生长层采用lif和yb共蒸镀的方式，速率膜层总厚度2nm。

12、上述第3)步中，lif和yb的纯度在99.99％以上；yb在氮气保护下进行添加；lif也在氮气氛围保护下添加到腔体内；真空度在0.0001pa以下后开始进行升温加热，在0.00002pa以下进行升温，lif和yb在升至准备温度前，采用梯度式升温，然后保温30分钟后继续升温。

13、上述第4)步中，制得的晶粒生长层上再采用mg和ag共蒸镀的方式蒸镀膜层，蒸镀膜层的厚度在10nm-25nm。

14、上述第4)步中，mg和ag的纯度要求99.99％以上；mg在氮气保护下进行添加；真空度在0.0001pa以下后开始进行升温加热，mg和ag在升至准备温度前，用梯度式升温，然后保温30分钟后继续升温，到达准备温度后，1小时内升温至速率

15、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，利用晶粒生长层(lif:yb共蒸镀，膜厚2nm左右)代替电子注入层(yb等)。晶粒生长层(lif:yb共蒸镀，膜厚2nm左右)不但有电子注入的功能，一方面让有机层和阴极结合更牢固；另一方面有了晶粒生长层可以让阴极成膜效果更好，改善了oled产品阴极断裂问题。oled器件和产品性能会更稳定，寿命会更好。

技术特征：

1.一种利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第1)步中，透明导电氧化物薄膜厚度为10-2000nm。

3.如权利要求2所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第1)步中，透明导电氧化物薄膜为ito，ito的粗糙度要求≤1nm。

4.如权利要求3所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第2)步中，每层材料在进行蒸镀前进行梯度式升温和保温，保温时间不低于30min，速率稳定性在3％以内。

5.如权利要求4所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第2)步中，每层镀膜间隔时间在5分钟以内，每层材料镀膜偏差率和均一性控制在2％以内；真空度在0.0001pa以下；材料纯度要求99.95％以上。

6.如权利要求5所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第3)步中，晶粒生长层采用lif和yb共蒸镀的方式，速率膜层总厚度2nm。

7.如权利要求6所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第3)步中，lif和yb的纯度在99.99％以上；yb在氮气保护下进行添加；lif也在氮气氛围保护下添加到腔体内；真空度在0.0001pa以下后开始进行升温加热，在0.00002pa以下进行升温，lif和yb在升至准备温度前，采用梯度式升温，然后保温30分钟后继续升温。

8.如权利要求7所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第4)步中，制得的晶粒生长层上再采用mg和ag共蒸镀的方式蒸镀膜层，蒸镀膜层的厚度在10nm-25nm。

9.如权利要求8所述的利用晶粒生长层作电子注入的oled器件的制备方法，其特征在于，上述第4)步中，mg和ag的纯度要求99.99％以上；mg在氮气保护下进行添加；真空度在0.0001pa以下后开始进行升温加热，mg和ag在升至准备温度前，用梯度式升温，然后保温30分钟后继续升温，到达准备温度后，1小时内升温至速率

技术总结本发明公开了一种利用晶粒生长层作电子注入的OLED器件的制备方法，包括如下步骤：1)在基板上沉积一层透明导电氧化物薄膜；2)在透明导电氧化物薄膜上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层；3)蒸镀晶粒生长层；4)二次处理晶粒生长层，不但有电子注入的功能，一方面让有机层和阴极结合更牢固；另一方面有了晶粒生长层可以让阴极成膜效果更好，改善了OLED产品阴极断裂问题。技术研发人员：张浩杰,李维维,卞建业受保护的技术使用者：安徽熙泰智能科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/12/2