基板处理装置的制作方法

本发明涉及一种用以处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术：

1、以往，在用以处理基板的基板处理装置中，收容于环圈(hoop)等承载器(carrier)的基板被分度器机械手(indexer robot)搬出且载置于载置单元，并被中央机械手(centerrobot)从载置单元搬运至处理单元且被施予各种处理。

2、例如，在日本特许第6280837号公报(文献1)以及日本特许第5626249号公报(文献2)的基板处理系统中，在搬入搬出站的基板搬运机构与处理站的基板搬运机构之间设置有授受部。由于授受部的两侧的开口部未具有关闭机构而始终被开放，因此两个站的内部空间经由授受部而始终连通。该基板处理系统设置于无尘室(cleaning room)，并经由ffu(fan filter unit；风扇过滤器单元)对两个站的内部空间供给无尘室内的空气。

3、在文献1的基板处理系统中，将搬入搬出站的内部空间的压力设定成比处理站的内部空间的压力高，由此形成从搬入搬出站经由授受部朝向处理站的空气的流动。由此，抑制在处理单元中所产生的药品氛围等进入至搬入搬出站。此外，在授受部中，为了降低湿度对于晶片上的器件(device)的影响，在授受部的搬入搬出站侧的开口部设置有用以供给干燥气体的气体喷出部。

4、另一方面，在日本特许第4669257号公报(文献3)的基板处理装置中，负载锁定室(load lock chamber)、配置有搬运机械手的搬运室以及用以对晶片进行处理的处理室通过真空泵(vacuum pump)而被真空排气。此外，在该基板处理装置中，可对负载锁定室、搬运室以及处理室供给氮气。通过供给氮气来抑制来自真空泵的油的逆扩散等污染基板。

5、此外，日本特许第3737604号公报(文献4)的基板处理装置具备：接受室，载置有已收容有多个未处理的基板的承载器；搬运室，配置有搬运机械手；多个处理室；以及传递室，载置有已收容有多个处理完毕的基板。在该基板处理装置中，对各个室供给非活性气体，将各个室内的压力设定成传递室的压力>搬运室的压力>多个处理室的压力。

6、然而，在文献1的装置中，虽然形成有从搬入搬出站朝向处理站的空气的流动，但是会有在处理单元中所产生的化学氛围因扩散而经由处理站进入至搬入搬出站的疑虑。此外，由于载置于授受部等的晶片在较长的时间中与空气接触，因此会有晶片表面氧化的疑虑。

7、此外，在文献3的装置中，虽然可将负载锁定室、搬运室以及处理室设定成低氧氛围，但是由于负载锁定室、搬运室以及处理室全部皆需要具有可对应真空氛围的构造，因此从装置的复杂化以及大型化等观点而言不考虑将该装置的构造应用于不进行真空下的处理的基板处理装置。

8、在文献4的装置中，传递室的压力>搬运室的压力，由此在开放传递室与搬运室之间的挡门时形成从传递室朝向搬运室的非活性气体的流动，但是会有在处理室中所产生的化学氛围因扩散而经由搬运室进入至传递室内的疑虑。

技术实现思路

1、本发明着眼于一种用以处理基板的基板处理装置，目的在于通过将较长时间载置有基板的空间设定成低氧氛围来抑制基板的氧化。

2、本发明较佳方式之一的基板处理装置具备：处理区块，配置有用以处理基板的处理单元以及用以进行基板相对于所述处理单元的搬入以及搬出的第一搬运机械手；分度器区块，配置有用以进行基板相对于可收容多个基板的承载器的搬入以及搬出的第二搬运机械手；载置单元，设置于所述处理区块与所述分度器区块之间的连接部，用以保持从所述第二搬运机械手朝所述第一搬运机械手传递的未处理的基板以及从所述第一搬运机械手朝所述第二搬运机械手传递的处理完毕的基板；以及第一阻隔部，可阻隔氧浓度比大气低的低氧氛围的所述分度器区块以及所述载置单元与搬运路径之间的气体的移动，所述搬运路径在所述处理区块中连接所述处理单元与所述载置单元。依据该基板处理装置，能抑制基板的氧化。

3、较佳为，所述第一阻隔部具备：门体，用以将连接所述搬运路径的内部空间与所述载置单元的内部空间的开口予以开闭。

4、较佳为，所述基板处理装置还具备：第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围。

5、较佳为，所述基板处理装置还具备：第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动。

6、较佳为，所述第二阻隔部具备：门体，用以将连接所述分度器区块的内部空间与所述载置单元的内部空间的开口予以开闭。

7、较佳为，所述基板处理装置还具备：第二气体供给部，对所述分度器区块供给非活性气体，由此将所述分度器区块设定成低氧氛围。

8、较佳为，所述基板处理装置还具备：第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动；第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围；第二气体供给部，对所述分度器区块供给非活性气体，由此将所述分度器区块设定成低氧氛围；以及控制部，分别单独地控制从所述第一气体供给部供给非活性气体以及从所述第二气体供给部供给非活性气体。

9、较佳为，所述搬运路径的氧浓度比所述分度器区块的氧浓度以及所述载置单元的氧浓度高。

10、较佳为，所述搬运路径为大气氛围。

11、较佳为，所述基板处理装置还具备：第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围；第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动；以及控制部，控制所述第一搬运机械手、所述第二搬运机械手、所述第一阻隔部、所述第一气体供给部以及所述第二阻隔部。所述第一阻隔部具备：第一门体，用以将连接所述搬运路径的内部空间与所述载置单元的内部空间的第一开口予以开闭。所述第二阻隔部具备：第二门体，用以将连接所述分度器区块的内部空间与所述载置单元的内部空间的第二开口予以开闭。通过所述控制部的控制，在通过所述第一门体以及所述第二门体关闭所述第一开口以及所述第二开口的状态下将所述载置单元设定成低氧氛围后，开放所述第二开口，通过所述第二搬运机械手将未处理的基板经由所述第二开口搬入至所述载置单元，通过所述第二门体关闭所述第二开口后，开放所述第一开口，通过所述第一搬运机械手将所述未处理的基板经由所述第一开口从所述载置单元搬出。

12、较佳为，所述基板处理装置还具备：第一气体供给部，对所述载置单元供给非活性气体，由此将所述载置单元设定成低氧氛围；第二阻隔部，可阻隔所述分度器区块与所述载置单元之间的气体的移动；以及控制部，控制所述第一搬运机械手、所述第二搬运机械手、所述第一阻隔部、所述第一气体供给部以及所述第二阻隔部。所述第一阻隔部具备：第一门体，用以将连接所述搬运路径的内部空间与所述载置单元的内部空间的第一开口予以开闭。所述第二阻隔部具备：第二门体，用以将连接所述分度器区块的内部空间与所述载置单元的内部空间的第二开口予以开闭。通过所述控制部的控制，在通过所述第二门体关闭所述第二开口且开放所述第一开口的状态下，通过所述第一搬运机械手将处理完毕的基板经由所述第一开口搬入至所述载置单元后，通过所述第一门体关闭所述第一开口，在通过所述第一门体以及所述第二门体关闭所述第一开口以及所述第二开口的状态下将所述载置单元设定成低氧氛围后，开放所述第二开口，通过所述第二搬运机械手将所述处理完毕的基板经由所述第二开口从所述载置单元搬出。

13、本发明亦着眼于一种用以通过基板处理装置处理基板的基板处理方法。所述基板处理装置具备：处理区块，配置有用以处理基板的处理单元以及用以进行基板相对于所述处理单元的搬入以及搬出的第一搬运机械手；分度器区块，配置有用以进行基板相对于可收容多个基板的承载器的搬入以及搬出的第二搬运机械手；以及载置单元，设置于所述处理区块与所述分度器区块之间的连接部，用以保持从所述第二搬运机械手朝所述第一搬运机械手传递的未处理的基板以及从所述第一搬运机械手朝所述第二搬运机械手传递的处理完毕的基板。本发明较佳方式之一基板处理方法具备：工序(a)，通过所述第二搬运机械手将基板从所述分度器区块搬入至所述载置单元；工序(b)，通过所述第一搬运机械手从所述载置单元搬出所述基板并搬入至所述处理单元；工序(c)，在所述处理单元中对所述基板进行处理；工序(d)，通过所述第一搬运机械手从所述处理单元搬出所述基板并搬入至所述载置单元；以及工序(e)，通过所述第二搬运机械手将所述基板从所述载置单元搬出至所述分度器区块。可阻隔氧浓度比大气还低的低氧氛围的所述分度器区块以及所述载置单元与搬运路径之间的气体的移动，所述搬运路径在所述处理区块中连接所述处理单元与所述载置单元。由此，依据该基板处理方法，能抑制基板的氧化。

14、本发明的上面所说明的目的以及其他目的、特征、方式以及优点参照附图并通过以下所进行的本发明的详细的说明而明了。