太阳能电池、光伏组件和光伏系统的制作方法

本申请涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池、光伏组件和光伏系统。

背景技术：

1、在太阳能电池中，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的叠层结构在作为背面钝化接触结构应用时，掺杂多晶硅层对光具有严重的寄生吸收，因此，掺杂多晶硅层生长过厚，不利于太阳能电池对光的吸收，进而降低电池短路电流；而掺杂多晶硅层生长过薄，高温浆料烧结扩散进入隧穿氧化层中，容易造成不必要的非辐射复合。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种太阳能电池、光伏组件和光伏系统。以在减小掺杂多晶硅层的寄生吸收的同时，降低高温浆料烧结扩散入隧穿氧化层中的潜在风险，减少非辐射复合。

2、第一方面，提供一种太阳能电池，包括：

3、硅基底层，所述硅基底层包括相对设置的第一表面和第二表面；

4、隧穿氧化层，设置于所述硅基底层的第一表面；

5、掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层设置于隧穿氧化层远离硅基底层的一侧；且所述掺杂多晶硅层包括：沿逐渐远离所述硅基底层的方向依次层叠的第一子层和第二子层；以及

6、栅线电极图案；

7、其中，所述第一子层中还掺杂有碳元素，所述栅线电极图案和所述第二子层之间形成欧姆接触。

8、可选地，所述第一子层和所述第二子层中均掺杂有n型掺杂元素；

9、其中，所述第一子层中n型掺杂元素的掺杂浓度小于所述第二子层中n型掺杂元素的掺杂浓度。

10、可选地，所述掺杂多晶硅层的厚度为60nm～80nm。

11、可选地，所述第一子层的厚度为10nm～20nm，所述第二子层的厚度为50nm～60nm。

12、可选地，所述第一子层中掺杂有乙炔和/或乙烯，以在所述第一子层中掺杂碳元素。

13、可选地，所述太阳能电池还包括：掺杂元素扩散阻挡层，所述掺杂元素扩散阻挡层用于阻挡所述第二子层中的掺杂元素扩散入所述第一子层和所述隧穿氧化层中；

14、所述掺杂元素扩散阻挡层设置于所述第一子层和所述第二子层之间。

15、可选地，所述掺杂元素扩散阻挡层为氧化硅层。

16、可选地，所述浆料烧结扩散阻挡层的厚度为1nm～2nm。

17、第二方面，提供一种光伏组件，包括：多个串联和/或并联连接的太阳能电池；

18、至少一个所述太阳能电池为如第一方面所述的太阳能电池。

19、第三方面，提供一种光伏系统，包括如第二方面所述的光伏组件。

20、上述的太阳能电池、光伏组件和光伏系统的有益效果如下：

21、由于该掺杂多晶硅层包括：沿逐渐远离硅基底层的方向依次层叠的第一子层和第二子层，因此，该第一子层和第二子层均为掺杂有n型或p型掺杂元素的多晶硅层。由此，由于第一子层中还掺杂有碳元素，因此，与相关技术中掺杂多晶硅层中仅掺杂有n型或p型掺杂元素相比，在该掺杂多晶硅层的厚度不变的情况下，第一子层的带隙增大，可以减少该掺杂多晶硅层的寄生吸收，对电流的提升有积极作用；同时，第一子层中的碳元素可以形成致密的结构，因此，一方面，可以防止第二子层中掺杂元素(如n型或p型掺杂元素)在高温下扩散对隧穿氧化层造成冲击，并减少由于n型或p型掺杂元素在硅基底层中掺杂浓度过高而造成俄歇复合；另一方面，可以阻挡后续浆料在烧结过程中扩穿该掺杂多晶硅层而扩散入隧穿氧化层中，从而可以降低在后续烧结过程中隧穿氧化层被被扩穿的潜在风险，进而进一步减少载流子复合。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

5.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，

6.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：掺杂元素扩散阻挡层；所述掺杂元素扩散阻挡层用于阻挡所述第二子层中的掺杂元素扩散入所述第一子层和所述隧穿氧化层中；

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂元素扩散阻挡层为氧化硅层。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂元素扩散阻挡层的厚度为1nm～2nm。

9.一种光伏组件，其特征在于，包括：多个串联和/或并联连接的太阳能电池；

10.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求9所述的光伏组件。

技术总结本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池、光伏组件和光伏系统。以在减小掺杂多晶硅层的寄生吸收的同时，降低高温浆料烧结扩散入隧穿氧化层中的潜在风险，减少非辐射复合。一种太阳能电池，包括：硅基底层，所述硅基底层包括相对设置的第一表面和第二表面；隧穿氧化层，设置于所述硅基底层的第一表面；掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层设置于隧穿氧化层远离硅基底层的一侧；且所述掺杂多晶硅层包括：沿逐渐远离所述硅基底层的方向依次层叠的第一子层和第二子层；以及栅线电极图案；其中，所述第一子层中还掺杂有碳元素，所述栅线电极图案和所述第二子层之间形成欧姆接触。技术研发人员：陈文军,邹杨,陈红,丁留伟,苏晓峰,汪宏迪,王天成,王榕受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司技术研发日：20240118技术公布日：2024/12/12