一种基于总线技术多路IGBT模块温度测量电路的制作方法

本技术涉及温度测量电路，具体涉及一种基于总线技术多路igbt模块温度测量电路。

背景技术：

1、igbt作为功率半导体器件，在电力电子设备中(如变频器和逆变器等)承担着关键的能量转换与控制任务。随着功率的增加，额定电流增大，igbt无论是受限于单模块电流能力不足，还是并联方案更具成本优势，或是系统扩展性、系列化需求，越来越多的设计需要igbt模块并联使用。

2、igbt在工作过程中会产生损耗功率，这部分能量转化成热能，导致器件温度升高，温度过高影响使用寿命。当温度得不到控制超过igbt结温其最大允许工作温度时，有可能损坏igbt元件。控制igbt的工作温度对于延长其使用寿命、保证电力电子系统的稳定性和可靠性至关重要。

3、因此，需要提供一种igbt模块温度测量电路。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于，针对上述现有技术的不足，提供一种基于总线技术多路igbt模块温度测量电路，以解决igbt模块温度测量问题。

2、为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

3、本实用新型提供了一种基于总线技术多路igbt模块温度测量电路，该测量电路包括控制单元、并联设置的多个igbt模块以及与所述多个igbt模块一一对应设置的多个温度传感器芯片，每个温度传感器芯片用于感测对应igbt模块的工作温度，所述多个温度传感器芯片使用单总线协议，总线通讯通过一根控制信号线实现温度读取；

4、控制单元用于通过总线通讯方式读取每个温度传感器芯片的测量温度，以监测igbt的工作温度；

5、所述多个温度传感器芯片布置在所述多个igbt模块的风冷方向的出风一侧；

6、每个温度传感器芯片与对应igbt模块之间的距离为预设距离，预设距离的范围为大于5mm并且小于20mm。

7、可选地，控制单元为单片机或者数字信号处理器。

8、可选地，在测量电路中，每个温度传感器芯片具有唯一的编码，用于控制单元在总线上识别不同芯片所对应igbt模块温度。

9、可选地，在预设距离条件下，每个温度传感器芯片的感测温度与对应igbt模块的实际温度的温差不高于30℃。

10、本实用新型的有益效果包括：

11、本实用新型提供的基于总线技术多路igbt模块温度测量电路包括控制单元、并联设置的多个igbt模块以及与所述多个igbt模块一一对应设置的多个温度传感器芯片，每个温度传感器芯片用于感测对应igbt模块的工作温度，所述多个温度传感器芯片使用单总线协议，总线通讯通过一根控制信号线实现温度读取；控制单元用于通过总线通讯方式读取每个温度传感器芯片的测量温度，以监测igbt的工作温度；所述多个温度传感器芯片布置在所述多个igbt模块的风冷方向的出风一侧；每个温度传感器芯片与对应igbt模块之间的距离为预设距离，预设距离的范围为大于5mm并且小于20mm。本电路实现并联igbt多点温度测量，能快速反应并联igbt模块中每个模块的真实温度。采用总线方式读取温度传感芯片测量到的温度，因为温度传感芯片有唯一的编码，理论上挂在总线上并可以被寻址的温度传感器芯片数量是无限多。这种总线通讯测量igbt模块温度方法极大地简化了布线，降低了硬件复杂性和成本。

技术特征：

1.一种基于总线技术多路igbt模块温度测量电路，其特征在于，所述测量电路包括控制单元、并联设置的多个igbt模块以及与所述多个igbt模块一一对应设置的多个温度传感器芯片，每个温度传感器芯片用于感测对应igbt模块的工作温度，所述多个温度传感器芯片使用单总线协议，总线通讯通过一根控制信号线实现温度读取；

2.根据权利要求1所述的基于总线技术多路igbt模块温度测量电路，其特征在于，所述控制单元为单片机或者数字信号处理器。

3.根据权利要求2所述的基于总线技术多路igbt模块温度测量电路，其特征在于，在所述测量电路中，每个温度传感器芯片具有唯一的编码，用于控制单元在总线上识别不同芯片所对应igbt模块温度。

4.根据权利要求1所述的基于总线技术多路igbt模块温度测量电路，其特征在于，在所述预设距离条件下，每个温度传感器芯片的感测温度与对应igbt模块的实际温度的温差不高于30℃。

技术总结本技术提供一种基于总线技术多路IGBT模块温度测量电路，涉及温度测量电路技术领域。该测量电路包括控制单元、并联设置的多个IGBT模块以及多个温度传感器芯片，温度传感器芯片用于感测对应IGBT模块的工作温度，温度传感器芯片使用单总线协议；控制单元用于通过总线通讯方式读取每个温度传感器芯片的测量温度；温度传感器芯片布置在IGBT模块的风冷方向的出风一侧。本测量电路实现并联IGBT多点温度测量，能快速反应并联IGBT模块中每个模块的真实温度。采用总线方式读取温度传感芯片测量到的温度，这种测量方法极大地简化了布线，降低了硬件复杂性和成本。技术研发人员：吴海峰,幸升云,阮德发受保护的技术使用者：上海格立特电力电子有限公司技术研发日：20240515技术公布日：2024/12/23