一种真空焊接炉及引线框架焊接方法与流程

本发明属于引线框架焊接设备，尤其涉及一种真空焊接炉及引线框架焊接方法。

背景技术：

1、在半导体器件的生产过程中，芯片焊接是重点控制工序，此工艺是将芯片通过熔化的合金焊料锡膏黏结在引线框架上，使芯片的集电极与引线框架的散热片形成良好的连接。传统的焊接方式是将粘接有芯片的引线框架装填到石墨制成的焊接盘中，将焊接盘放入焊接炉，焊接炉内部通过加热部件对引线框架与芯片之间的锡膏进行加热，锡膏熔融后重新凝结，形成对引线框架和芯片的焊接。

2、现有的焊接炉整体体积较大，气体消耗量大，且在焊接过程中容易产生气孔，焊接质量较差，容易造成产品批次性差异。

技术实现思路

1、为解决现有技术不足，本发明提供一种真空焊接炉及引线框架焊接方法，整体结构更加紧凑，可有效提高焊接效率，避免焊接部位形成气孔及杂质。

2、为了实现本发明的目的，拟采用以下方案：

3、一种真空焊接炉，包括：炉体，其至少一端设有炉门，炉体内部设置有水平状态的轨道，其用于承载引线框架，炉体内部对应轨道的上方及下方均设有加热部件；炉体连通设有进气管，另一端设有第一排气管及第二排气管，第二排气管与真空泵相连，进气管与第一排气管循环流通保护气体；炉体的外部设有循环水套，其一端连通设有进水管，另一端连通设有排水管；炉体内部设有多处温度传感器。

4、一种引线框架焊接方法，利用上述的真空焊接炉实现，包括以下步骤：

5、s1：抽真空，通过真空泵抽出炉体内部空气；

6、s2：充气，关闭真空泵，利用进气管向炉体注入保护气体；

7、s3：预热，利用加热部件将炉体预热至150℃-180℃，预热时间为200秒—400秒，预热过程中通过温度传感器检测炉体内部上下方的温度，并通过加热部件使炉体内部各处的温度达到均衡；

8、s4：升温，利用加热部件将炉体内温度升高至370℃-400℃，升温时长为550秒—650秒，利用进气管与第二排气管使保护气体在炉体内循环流动；

9、s5：保温，时长240秒—360秒，温度与升温达到的温度一致，保温过程中，利用真空泵使炉体形成真空状态；

10、s6：冷却，通过循环水套对炉体进行降温。

11、本发明的有益效果在于：本方案的焊接炉整体尺寸更加紧凑，因此气体消耗量更小，焊接质量更好，且更加稳定，能有效避免焊接部位产生气孔及杂质。

技术特征：

1.一种真空焊接炉，其特征在于，包括：炉体（1），其至少一端设有炉门（11），炉体（1）内部设置有水平状态的轨道（12），其用于承载引线框架，炉体（1）内部对应轨道（12）的上方及下方均设有加热部件（2）；

2.根据权利要求1所述的一种真空焊接炉，其特征在于，进气管（13）设于炉体（1）的底部，第一排气管（14）设于炉体（1）的顶部。

3.根据权利要求1所述的一种真空焊接炉，其特征在于，进水管（41）设于炉体（1）的底部，排水管（42）设于炉体（1）的顶部。

4.根据权利要求1所述的一种真空焊接炉，其特征在于，加热部件（2）为电加热结构，且位于轨道（12）上方及下方的加热部件（2）为单独控温。

5.根据权利要求1所述的一种真空焊接炉，其特征在于，保护气体为氮气、氢气或氮气与氢气的混合气体。

6.根据权利要求1所述的一种真空焊接炉，其特征在于，炉体（1）内部对应轨道（12）的上方及下方均设有多个温度传感器（5）。

7.一种引线框架焊接方法，其特征在于，利用权利要求1至6中任一项所述的真空焊接炉实现，包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的一种引线框架焊接方法，其特征在于，在步骤s3之前，且步骤s2之后，还包括步骤s21：二次抽真空及步骤、s22：二次充气。

9.根据权利要求7所述的一种引线框架焊接方法，其特征在于，在步骤s5抽真空之后还设有步骤s51：采用保护气体向炉体（1）内部加压。

技术总结本申请提供一种真空焊接炉及引线框架焊接方法，属于焊接设备技术领域。真空焊接炉，包括：炉体，其至少一端设有炉门，炉体内部设置有水平状态的轨道，其用于承载引线框架，炉体内部对应轨道的上方及下方均设有加热部件；炉体连通设有进气管，另一端设有第一排气管及第二排气管，第二排气管与真空泵相连，进气管与第一排气管循环流通保护气体；炉体的外部设有循环水套，其一端连通设有进水管，另一端连通设有排水管；炉体内部设有多处温度传感器。引线框架焊接方法，包括步骤：S1：抽真空，S2：充气，S3：预热，S4：升温，S5：保温及S6：冷却。通过本方案可有效提高焊接效率，避免焊接部位形成气孔及杂质。技术研发人员：邹佩纯,赵雪,温正萍受保护的技术使用者：四川旭茂微科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/13