光刻设备、衬底台、和制造方法与流程

本公开涉及衬底台、纹理化台表面、和在用于例如光刻系统和过程中的衬底台表面上实现突节和纳米结构的方法。

背景技术：

1、光刻设备是将期望的图案涂覆至衬底上(通常涂覆至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成在ic的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包括连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中，通过将整个图案一次性曝光至目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描器，其中，通过在给定方向(“扫描”方向)上经由辐射束来扫描模式同时平行或反向平行于这种扫描方向而同步地扫描目标部分来照射每个目标部分。也可能通过将图案压印至衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。

2、另一光刻系统为干涉光刻系统，其中，不存在图案形成装置，而是拆分成两个束的光束，并且经由使用反射系统使得所述两个束在衬底的目标部分处发生干涉。所述干涉使得在衬底的目标部分处形成线。

3、在光刻操作期间，不同处理步骤可能要求不同层连续地形成在衬底上。因此，可以有必要以高准确度相对于形成在衬底上的先前图案来定位所述衬底。通常，将对准标记放置在待对准的衬底上且参考第二目标来定位对准标记。光刻设备可以使用对准设备来检测对准标记的位置且使用对准标记来对准衬底以确保从掩模的准确暴露。两个不同层处的对准标记之间的未对准被测量为重叠误差。

4、为了监测光刻过程，测量经图案化的衬底的参数。例如，参数可以包括形成在经图案化的衬底中或上的连续层之间的重叠误差，和经显影的光敏抗蚀剂的临界线宽。可以在产品衬底上和/或专用量测目标上执行这种测量。存在用于对在光刻过程中形成的微观结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。专用检查工具的快速且非侵入性形式是散射仪，其中，将辐射束引导至衬底的表面上的目标上，并且测量散射或反射束的性质。通过将束在其已由衬底反射或散射之前与之后的性质进行比较，可以确定衬底的性质。例如，可以通过将反射束与储存在与已知衬底性质相关联的已知测量库中的数据进行比较来进行这种确定。光谱散射仪将宽带辐射束引导至衬底上且测量散射至特定窄角度范围内的辐射的频谱(作为波长的函数的强度)。相比之下，角分辨散射仪使用单色辐射束且测量作为角度的函数的散射辐射的强度。

5、这些光学散射仪可以用于测量参数，诸如形成在经图案化的衬底中或上的两个层之间的所产生的光敏抗蚀剂或重叠误差(ov)的临界尺寸。可以通过将照射束在所述束由衬底反射或散射之前与之后的性质进行比较来确定衬底的性质。

6、期望指示和维护衬底台的表面上的摩擦性能(例如，摩擦、硬度、磨损)。衬底台具有可能难以满足的表面水平公差，这是因为光刻和量测过程的精确度需求。与其表面区域的宽度(例如，＞100mm)相比为相对较薄的(例如，＜1mm厚)的晶片(例如，半导体衬底)对衬底台的不均匀性特别敏感。另外，接触的超光滑的表面可能变为“黏”在一起，这可能当衬底必须从衬底台脱离接合时出现问题。

技术实现思路

1、因此，期望针对衬底台开发允许增强耐磨性和摩擦性能的结构和方法。

2、在一些实施例中，一种方法包括使用辐射或热来处理物体的突节表面。所述方法还包括设置所述辐射或热的参数以使所述突节表面实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。

3、在一些实施例中，一种支撑台包括突节表面。所述突节表面包括接触层，所述接触层被配置成经处理以使所述接触层实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。所述接触层已基于暴露于辐射束或暴露于热而被处理，使得所述接触层的参数大于参考层的相同参数，所述参考层具有与所述接触层相同的构造但未暴露于所述辐射束或热。

4、在一些实施例中，一种光刻设备包括照射系统、投影系统和支撑台。所述支撑台包括突节表面。所述突节表面包括接触层，所述接触层被配置成经处理以使所述接触层实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。所述接触层已基于暴露于辐射束或暴露于热而被处理，使得所述接触层的参数大于参考层的相同参数，所述参考层具有与所述接触层相同的构造但未暴露于所述辐射束或热。所述照射系统被配置成照射图案形成装置的图案。所述投影系统被配置成将所述图案的图像投影至衬底上。

5、下文参考随附附图详细地描述本公开的另外的特征以及各个实施例的结构和操作。应注意，本公开不限于本文中所描述的特定实施例。本文中仅出于说明性目的呈现这些实施例。基于本文中所含的教导，额外的实施例将对于相关领域技术人员显而易见。

技术特征：

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述处理包括使所述辐射透射穿过所述透明限制层以照射所述牺牲层，并且所述方法还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辐射或热的设置参数包括曝光时间、脉冲、脉冲长度、幅值、量值、重复率、波长、焦斑尺寸、焦斑形状、脉冲能量、脉冲峰值功率、平均功率、脉冲间时间、扫描速度、扫描间距和/或扫描模式。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括使用静电夹具或支撑台作为所述物体、或使用所述静电夹具和所述支撑台作为所述物体，其中，所述处理包括使用激光来处理所述突节表面。

7.一种支撑台，包括：

8.根据权利要求7所述的支撑台，还包括静电夹具，所述静电夹具包括所述突节表面，其中：

9.根据权利要求7所述的支撑台，其中：

10.根据权利要求9所述的支撑台，其中，所述接触层已基于以下操作而被处理：使辐射透射穿过所述透明限制层以照射所述牺牲层，基于对所述牺牲层的所述照射而使所述牺牲分解以产生冲击波，以及使用所述透明限制层限制所述牺牲层的分解材料，以朝向所述突节表面引导所述冲击波。

11.一种光刻设备，包括：

12.根据权利要求11所述的光刻设备，还包括静电夹具，所述静电夹具包括所述突节表面，其中：

13.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述支撑台被配置成支撑所述衬底，或所述支撑台被配置成支撑所述图案形成装置。

14.根据权利要求11所述的光刻设备，其中：

15.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述接触层已基于以下操作而被处理：使辐射透射穿过所述透明限制层以照射所述牺牲层，基于对所述牺牲层的所述照射而使所述牺牲分解以产生冲击波，和使用所述透明限制层限制所述牺牲层的分解材料，以朝向所述突节表面引导所述冲击波。

技术总结一种方法包括：使用辐射或热来处理物体的突节表面；和设置所述辐射或热的参数以使所述突节表面实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。技术研发人员：王晧智,S·费施祖史特,S·莉琳吉斯,K·M·列维受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27