预防光刻胶残留的方法与流程

本发明涉及半导体加工制造，特别涉及一种预防光刻胶残留的方法。

背景技术：

1、随着半导体技术不断向着更为精细的节点迈进，集成电路的设计也变得更加复杂。曝光图形的尺寸也在不断缩小，因此由于实际光刻工艺的光波波长保持不变，就会产生许多光刻胶残留的缺陷图形，这会影响产品的最终良率。如图1所示，图1是在生产过程中npo(离子注入)层次发现光刻胶残留的sem照片(“good”区域为没有光刻胶残留的图形区域，“ng”区域为有光刻胶残留的图形区域，“defect”表示残留的光刻胶)。从图1中可以看到由于存在光刻胶残留导致多晶层被阻挡刻蚀。

2、目前对于此类缺陷图形的处理方法是对在生产线上已经出现的缺陷图形通过制程者优化制程进行处理。而在实际的操作过程中，此种处理方法具有扫描镜头昂贵、图形轮廓干扰项多及后续检查效率低下等问题。

3、需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种预防光刻胶残留的方法，通过在流片前查找出容易产生光刻胶残留的图形区域并采取对应的补救措施，可以有效避免光刻胶的残留，节约新产品流片的时间，同时提高新产品的良率。

2、为达到上述目的，本发明提供一种预防光刻胶残留的方法，所述方法包括：

3、收集芯片生产线上产生光刻胶残留的各类目标缺陷图形；

4、针对每一类目标缺陷图形，设定该类目标缺陷图形所对应的匹配规则；

5、针对每一类目标缺陷图形，根据该类目标缺陷图形所对应的匹配规则对待流片芯片进行版图图形匹配；

6、根据所有类目标缺陷图形与所述待流片芯片版图的图形匹配结果，查找出所述待流片芯片版图中的所有光刻胶残留热点；

7、根据所述待流片芯片版图中的光刻胶残留热点查找结果，采取对应的补救策略。

8、可选的，所述方法还包括：

9、根据所收集的各类目标缺陷图形，创建异常缺陷数据库。

10、可选的，所述针对每一类目标缺陷图形，设定该类目标缺陷图形所对应的匹配规则，包括：

11、针对每一类目标缺陷图形：

12、定义该类目标缺陷图形的图形结构；

13、根据该类目标缺陷图形的图形结构，设定该类目标缺陷图形所对应的匹配规则。

14、可选的，当所述目标缺陷图形为npo层次产生光刻胶残留的图形时，所述定义该类目标缺陷图形的图形结构，包括：

15、定义该类目标缺陷图形的图形结构包括npo区和有源区，且所述npo区对所述有源区三边包围；

16、定义所述有源区的长和宽均小于第一阈值；

17、定义所述有源区的被所述npo区所包围的三边与所述npo区的距离均小于第二阈值；

18、定义所述npo区具有第一边、第二边和第三边，所述第一边和所述第三边均与所述第二边垂直设置，且所述第一边和所述第三边相对设置，所述有源区位于所述第一边、所述第二边和所述第三边所围成的区域内，所述第二边的边长以及所述第一边与所述第三边中的边长较小一者的边长均大于第三阈值且小于第四阈值。

19、可选的，所述第一阈值、所述第二阈值、所述第三阈值以及所述第四阈值均根据实际工艺能力进行设置。

20、可选的，所述根据所述待流片芯片版图中的光刻胶残留热点查找结果，采取对应的补救策略，包括：

21、根据所述待流片芯片版图中的光刻胶残留热点的总数目，计算光刻胶残留热点分布密度；

22、判断所述光刻胶残留热点分布密度是否大于或等于预设密度阈值；

23、若是，则优化所述待流片芯片的制程；

24、若否，则采用缺陷扫描机台对所述待流片芯片版图中的光刻胶残留热点进行验证，若验证结果为至少一所述光刻胶残留热点为真实工艺热点，则优化所述待流片芯片的制程。

25、可选的，所述采用缺陷扫描机台对所述待流片芯片版图中的光刻胶残留热点进行验证，包括：

26、对所述待流片芯片版图中的所有光刻胶残留热点进行分类；

27、针对每一光刻胶残留热点类别，从归属于该类别的所有光刻胶残留热点中，挑选出一光刻胶残留热点作为光刻胶残留特征点；

28、采用缺陷扫描机台对各个所述光刻胶残留特征点进行验证。

29、可选的，所述采用缺陷扫描机台对各个所述光刻胶残留特征点进行验证，包括：

30、将各个所述光刻胶残留特征点所对应的区域位置信息输入至所述缺陷扫描机台；

31、根据各个所述光刻胶残留特征点所对应的区域位置信息，采用所述缺陷扫描机台对根据所述待流片芯片版图进行光刻工艺的实际芯片中的对应区域进行扫描拍照；

32、根据所述实际芯片的扫描拍照结果，判断各个所述光刻胶残留特征点是否为真实工艺热点。

33、可选的，所述预设密度阈值的范围为150个/10000μm2～400个/10000μm2。

34、可选的，所述优化所述待流片芯片的制程，包括：

35、增大工艺窗口和/或加长光刻胶去胶时间。

36、与现有技术相比，本发明提供的预防光刻胶残留的方法具有以下有益效果：

37、本发明提供的预防光刻胶残留的方法通过先收集芯片生产线上产生光刻胶残留的各类目标缺陷图形；再针对每一类目标缺陷图形，设定该类目标缺陷图形所对应的匹配规则；然后针对每一类目标缺陷图形，根据该类目标缺陷图形所对应的匹配规则对待流片芯片进行版图图形匹配；再根据所有类目标缺陷图形与所述待流片芯片版图的图形匹配结果，查找出所述待流片芯片版图中的所有光刻胶残留热点；最后根据所述待流片芯片版图中的光刻胶残留热点查找结果，采取对应的补救策略。由此，本发明提供的预防光刻胶残留的方法通过在流片前查找出容易产生光刻胶残留的图形区域并采取对应的补救措施，可以有效避免光刻胶的残留，节约新产品流片的时间，同时提高新产品的良率。

技术特征：

1.一种预防光刻胶残留的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的预防光刻胶残留的方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的预防光刻胶残留的方法，其特征在于，所述针对每一类目标缺陷图形，设定该类目标缺陷图形所对应的匹配规则，包括：

4.根据权利要求3所述的预防光刻胶残留的方法，其特征在于，当所述目标缺陷图形为npo层次产生光刻胶残留的图形时，所述定义该类目标缺陷图形的图形结构，包括：

5.根据权利要求4所述的预防光刻胶残留的方法，其特征在于，所述第一阈值、所述第二阈值、所述第三阈值以及所述第四阈值均根据实际工艺能力进行设置。

6.根据权利要求1所述的预防光刻胶残留的方法，其特征在于，所述根据所述待流片芯片版图中的光刻胶残留热点查找结果，采取对应的补救策略，包括：

7.根据权利要求6所述的预防光刻胶残留的方法，其特征在于，所述采用缺陷扫描机台对所述待流片芯片版图中的光刻胶残留热点进行验证，包括：

8.根据权利要求7所述的预防光刻胶残留的方法，其特征在于，所述采用缺陷扫描机台对各个所述光刻胶残留特征点进行验证，包括：

9.根据权利要求6所述的预防光刻胶残留的方法，其特征在于，所述预设密度阈值的范围为150个/10000μm2～400个/10000μm2。

10.根据权利要求6所述的预防光刻胶残留的方法，其特征在于，所述优化所述待流片芯片的制程，包括：

技术总结本发明提供了一种预防光刻胶残留的方法，该方法包括：收集芯片生产线上产生光刻胶残留的各类目标缺陷图形；针对每一类目标缺陷图形，设定该类目标缺陷图形所对应的匹配规则；针对每一类目标缺陷图形，根据该类目标缺陷图形所对应的匹配规则对待流片芯片进行版图图形匹配；根据所有类目标缺陷图形与所述待流片芯片版图的图形匹配结果，查找出所述待流片芯片版图中的所有光刻胶残留热点；根据所述待流片芯片版图中的光刻胶残留热点查找结果，采取对应的补救策略。本发明可以有效避免光刻胶的残留，节约新产品流片的时间，同时提高新产品的良率。技术研发人员：戴莉,朱忠华,魏芳受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/13