一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法与流程

本发明涉及半导体清洗，具体为一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法。

背景技术：

1、oled蒸镀过程中，会将mask制作成一定形状，形状一般为方形，材质为因瓦合金，中间掩膜区域非常薄，mask的作用为了让材料蒸镀在制作的图形区域内，其他不蒸镀材料的区域用做封装胶封装基片及邦定驱动芯片，因此在使用一段时间后，mask表面会沉积一层蒸镀材料，会严重影响产品的良品率，必须进行更换或清洗；

2、传统的清洗方法是根据膜质来使用单一对应药剂浸泡清洗，并不能完全去除各种膜层，且容易造成二次污染，使mask本体particle超标；

3、鉴于此，针对上述问题，深入研究，遂提出一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，以解决上述背景技术中提出现有的清洗方式容易使mask本体particle超标的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，包括以下步骤：

3、步骤一、一次药液浸泡：采用有机溶剂对产品进行浸泡；

4、步骤二、一次纯水浸泡：将步骤一中浸泡后的产品捞出后，放入纯水槽中溢流浸泡；

5、步骤三、二次药液浸泡：将步骤二中浸泡后的产品捞出后，放入有机溶剂中浸泡；

6、步骤四、二次纯水浸泡：将步骤三中浸泡后的产品捞出后，放入纯水槽中溢流浸泡；

7、步骤五、一次吹干：采用cda气体吹干步骤四中浸泡后的产品表面水分；

8、步骤六、一次超声波清洗：将步骤五中的产品捞出后，放入装有超声波发生器的有机溶剂中超声清洗；

9、步骤七、三次纯水浸泡：将步骤六中清洗后的产品捞出后，放入纯水槽中溢流浸泡；

10、步骤八、二次吹干：采用cda气体吹干步骤七中浸泡后的产品表面水分；

11、步骤九、一次uv灯检测：使用uv灯检测产品表面状态，若有有机残膜则返回步骤六；

12、步骤十、二次超声波清洗：将步骤九检测完成的产品，放入装有超声波发生器的无机溶剂中超声清洗；

13、步骤十一、四次纯水浸泡：将步骤十中清洗后的产品捞出后，放入纯水槽中溢流浸泡；

14、步骤十二、二次吹干：采用cda气体吹干步骤十一中浸泡后的产品表面水分；

15、步骤十三、二次uv灯检测：使用uv灯检测产品表面状态，若有其他残膜则返回步骤十；

16、步骤十四、三次超声波清洗：将步骤十三中处理后的产品，放入超声波清洗槽内震荡清洗；

17、步骤十五、无尘室干燥：在无尘室内将步骤十四中清洗后的产品置于高温烘箱中进行干燥；

18、步骤十六、无尘室冷却：将步骤十五中干燥后的产品自然冷却至室温；

19、步骤十七、最终检查：对步骤十六中冷却后的产品进行外观检查、uv灯检查和形变量测量；

20、步骤十八、真空包装：将产品进行真空包装并贴上标识。

21、作为本发明的优选技术方案，所述步骤一中有机溶剂为丙酮、酒精、nmp、tx-10的一种或几种混合，药液可以为使用多次的老药液，浸泡温度为30～70℃，时间为2～5h。

22、作为本发明的优选技术方案，所述步骤二、步骤四、步骤七和步骤十一中涉及用水均为电阻率＞15mω.cm的超纯水。

23、作为本发明的优选技术方案，所述步骤三中机溶剂为丙酮、酒精、nmp、tx-10的一种或几种混合，药液为新配药液，浸泡温度为30～70℃，时间为2～5h。

24、作为本发明的优选技术方案，所述步骤六中有机溶剂为丙酮、酒精、nmp、tx-10的一种或几种混合，药液为新配药液，浸泡温度为30～70℃，时间为2～5h，超声波清洗机的输出电压为380v，输出电流为2～5a。

25、作为本发明的优选技术方案，所述步骤九、步骤十三和步骤十七中uv灯为紫外手电筒，均在暗室检测产品表面状态。

26、作为本发明的优选技术方案，所述步骤十中无机溶剂为硝酸、硫酸、醋酸、柠檬酸、双氧水的一种或几种混合，药液为新配药液，浸泡温度为常温，时间为2～5h，超声波清洗机的输出电压为380v，输出电流为2～5a。

27、作为本发明的优选技术方案，所述步骤十五中无尘室为半导体行业使用的100级无尘室，高温烘箱的电源参数为ac380v/60hz，温控为60～500℃，额定功率为28kw，工作尺寸为4m*1.5m*1.5m。

28、作为本发明的优选技术方案，所述步骤十八中所用包装袋的材质为pe，包装方式为双层抽真空包装。

29、与现有技术相比，本发明的有益效果是：该降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法流程工艺简单，交替通过药液浸泡、纯水浸泡及超声清洗的方式，保证清洗效果，并进行有效检测，保障清洗品质，保障完全去除各种膜层，避免造成二次污染，避免particle超标，从而保障清洗后的产品particle满足需求。

技术特征：

1.一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，其特征在于，所述步骤一中有机溶剂为丙酮、酒精、nmp、tx-10的一种或几种混合，药液可以为使用多次的老药液，浸泡温度为30～70℃，时间为2～5h。

3.根据权利要求1所述的一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，其特征在于，所述步骤二、步骤四、步骤七和步骤十一中涉及用水均为电阻率＞15mω.cm的超纯水。

4.根据权利要求1所述的一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，其特征在于，所述步骤三中机溶剂为丙酮、酒精、nmp、tx-10的一种或几种混合，药液为新配药液，浸泡温度为30～70℃，时间为2～5h。

5.根据权利要求1所述的一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，其特征在于，所述步骤六中有机溶剂为丙酮、酒精、nmp、tx-10的一种或几种混合，药液为新配药液，浸泡温度为30～70℃，时间为2～5h，超声波清洗机的输出电压为380v，输出电流为2～5a。

6.根据权利要求1所述的一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，其特征在于，所述步骤九、步骤十三和步骤十七中uv灯为紫外手电筒，均在暗室检测产品表面状态。

7.根据权利要求1所述的一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，其特征在于，所述步骤十中无机溶剂为硝酸、硫酸、醋酸、柠檬酸、双氧水的一种或几种混合，药液为新配药液，浸泡温度为常温，时间为2～5h，超声波清洗机的输出电压为380v，输出电流为2～5a。

8.根据权利要求1所述的一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，其特征在于，所述步骤十五中无尘室为半导体行业使用的100级无尘室，高温烘箱的电源参数为ac380v/60hz，温控为60～500℃，额定功率为28kw，工作尺寸为4m*1.5m*1.5m。

9.根据权利要求1所述的一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，其特征在于，所述步骤十八中所用包装袋的材质为pe，包装方式为双层抽真空包装。

技术总结本发明公开了一种降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法，包括一次药液浸泡；一次纯水浸泡；二次药液浸泡；二次纯水浸泡；一次吹干；一次超声波清洗；三次纯水浸泡；二次吹干；一次UV灯检测；二次超声波清洗；四次纯水浸泡；二次吹干；二次UV灯检测；三次超声波清洗；无尘室干燥；无尘室冷却；最终检查；真空包装。该降低半导体用小尺寸mask本体particle的清洗方法流程工艺简单，交替通过药液浸泡、纯水浸泡及超声清洗的方式，保证清洗效果，并进行有效检测，保障清洗品质，保障完全去除各种膜层，避免造成二次污染，避免particle超标，从而保障清洗后的产品particle满足需求。技术研发人员：何桥受保护的技术使用者：安徽傲博半导体科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5