带铜层的薄膜的制作方法

本发明涉及带铜层的薄膜。

背景技术：

1、表面具有铜层的薄膜(带铜层的薄膜)例如在电波发送/接收用的天线薄膜、介电泳处理用的带电极图案的薄膜、及电磁波屏蔽薄膜的制造中使用。带铜层的薄膜例如具备基材薄膜和该基材薄膜上的铜层。通过对带铜层的薄膜的铜层进行图案化而形成天线线圈，可以制造天线薄膜。通过对带铜层的薄膜的铜层进行图案化而形成电极图案，可以制造带电极图案的薄膜。对于这种带铜层的薄膜的相关技术，例如记载于下述的专利文献1中。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2018-176565号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、专利文献1中记载了带铜层的薄膜的间歇式的制造方法。在其制造方法中，使用间歇式真空蒸镀装置。具体而言，在间歇式真空蒸镀装置内设置基材薄膜后，通过真空蒸镀法在基材薄膜上成膜铜层。

3、与这样的间歇式的制造方法相比，卷对卷方式的制造方法能够效率良好地制造带铜层的薄膜。通过以往的卷对卷方式制造带铜层的薄膜的情况下，考虑在真空下一边输送基材薄膜一边在该基材薄膜上成膜铜层，卷取带铜层的基材薄膜。利用这样的制造方法，得到卷状的带铜层的薄膜(带铜层的薄膜卷)。

4、带铜层的薄膜卷在其使用之前在大气下输送·保管。但是，对于带铜层的薄膜卷，在带铜层的薄膜的卷宽度方向的两端缘及其附近，在大气下的输送·保管中，铜层表面会发生变色。关于该变色发生的理由，推测如下。

5、上述的卷对卷方式的制造方法中，在真空下卷取带铜层的薄膜而形成带铜层的薄膜卷的时刻，在卷径向上相邻的带铜层的薄膜间在整个卷宽度方向上处于真空状态。这种带铜层的薄膜卷被置于大气下的情况下，在卷径向上相邻的带铜层的薄膜间，大气流入卷宽度方向的各端缘和其附近。由此，带铜层的薄膜间分为随着大气的流入而氧浓度上升的端部区域和比其更靠内部的内部区域(氧浓度低)。而且，在端部区域的铜层表面与内部区域的铜层表面之间产生电位差(氧浓淡电池的形成)。由于该电位差，在端部区域的铜层表面进行氧化反应，该表面发生变色(氧化反应与没有电位差的情况下相比进行更快)。

6、本发明提供效率良好地制造带铜层的薄膜并且适于抑制其铜层表面的变色的带铜层的薄膜的制造方法。

7、用于解决问题的方案

8、本发明[1]包含一种带铜层的薄膜的制造方法，其是一边通过卷对卷方式输送工件薄膜一边制造带铜层的薄膜的方法，该制造方法包括：成膜工序，在工件薄膜上成膜铜层；加热工序，通过加热温度50℃以上的加热处理将前述铜层的表面氧化；和卷取工序，在前述加热工序后卷取前述工件薄膜，在前述成膜工序、前述加热工序及前述卷取工序中，在真空下输送前述工件薄膜。

9、本发明[2]包含上述[1]所述的带铜层的薄膜的制造方法，其中，前述加热温度比前述成膜工序中的成膜温度高。

10、本发明[3]包含上述[1]或[2]所述的带铜层的薄膜的制造方法，其中，在前述成膜工序中，通过溅射法成膜前述铜层。

11、本发明[4]包含上述[1]～[3]中任一项所述的带铜层的薄膜的制造方法，其中，前述成膜工序中的成膜温度为-20℃以上且80℃以下。

12、发明的效果

13、本发明的带铜层的薄膜的制造方法如上所述，为卷对卷方式的制造方法。该制造方法适于效率良好地制造带铜层的薄膜。另外，本发明的带铜层的薄膜的制造方法如上所述依次包括：边在真空下输送工件薄膜边进行的、成膜工序、加热工序和卷取工序。在成膜工序中形成的铜层的表面通过加热工序中的50℃以上的加热处理而被氧化，在其后的卷取工序卷取工件薄膜(带铜层的薄膜)。由此，得到带铜层的薄膜卷。对于在真空下卷取带铜层的薄膜前铜层的表面通过50℃以上的加热处理而被氧化而言，适于抑制带铜层的薄膜卷被置于大气下后的铜层表面的上述电位差(端部区域的铜层表面与内部区域的铜层表面之间的电位差)，因此，适于抑制铜层表面的变色。

技术特征：

1.一种带铜层的薄膜的制造方法，其是一边通过卷对卷方式输送工件薄膜一边制造带铜层的薄膜的方法，该制造方法包括：

2.根据权利要求1所述的带铜层的薄膜的制造方法，其中，所述加热温度比所述成膜工序中的成膜温度高。

3.根据权利要求1所述的带铜层的薄膜的制造方法，其中，在所述成膜工序中，通过溅射法成膜所述铜层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的带铜层的薄膜的制造方法，其中，所述成膜工序中的成膜温度为-20℃以上且80℃以下。

技术总结本发明提供带铜层的薄膜。提供效率良好地制造带铜层的薄膜并且适于抑制其铜层表面变色的带铜层的薄膜的制造方法。本发明的带铜层的薄膜的制造方法为一边通过卷对卷方式输送工件薄膜一边制造带铜层的薄膜X的方法，所述方法包括成膜工序(S2)、加热工序(S3)和卷取工序(S4)。成膜工序(S2)中，在工件薄膜上成膜铜层。在加热工序(S3)中，通过加热温度50℃以上的加热处理将铜层的表面氧化。在卷取工序(S4)中，在加热工序后卷取工件薄膜。在成膜工序(S2)、加热工序(S3)及卷取工序(S4)中，在真空下输送工件薄膜。技术研发人员：竹下翔也,竹安智宏受保护的技术使用者：日东电工株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/11