一种芯片抛光工装的制作方法

本申请涉及抛光，尤其涉及一种芯片抛光工装。

背景技术：

1、cmp-化学机械抛光技术自1965年被首次提出以来，目前已广泛应用于集成电路(ic)和超大规模集成电路中(ulsi)对基体材料硅晶片的抛光。cmp技术它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。在一定压力及抛光浆料存在下，被抛光工件相对于抛光垫做相对运动，借助于纳米粒子的研磨作用与氧化剂的腐蚀作用之间的有机结合，在被研磨的工件表面形成光洁表面。

2、在锑化铟(insb)红外焦平面探测器的insb芯片背减薄工艺中，cmp是一道非常重要的工艺过程；抛光后的insb芯片表面应该是洁净的、无加工损伤的、平整的和镜面光滑的，这样才能有效提高器件的量子效率。现有的insb芯片抛光工艺中，通常使用蜡贴片的方式来固定insb芯片，但这种芯片固定方式下的抛光加工，insb芯片容易出现抛光后边缘塌陷的情况，另外存在抛光过程中引入蜡杂质而影响抛光质量的情况，再者抛光之后需要进行蜡清洁工序，工序上也较为繁琐。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的是提供一种芯片抛光工装，以解决现有的蜡贴片固定方式存在的抛光质量不稳定，且工序较为繁琐的技术问题。

2、为达到上述技术目的，本申请提供了一种芯片抛光工装，包括工装板；

3、所述工装板的第一侧面上设有环形限位部；

4、所述环形限位部的内环侧面与所述工装板的第一侧面之间围成容置待抛光芯片的限位腔；

5、所述工装板上设有与所述限位腔对应连通的真空吸附通道。

6、进一步地，所述真空吸附通道自所述工装板的第一侧面向对立的第二侧面方向贯穿所述工装板。

7、进一步地，所述环形限位部为多个；

8、所述真空吸附通道为多个，且与所述环形限位部一一对应。

9、进一步地，所述工装板的第二侧面上于真空吸附通道的位置还设有凹槽；

10、所述真空吸附通道的一端经所述凹槽的内底面贯穿所述工装板。

11、进一步地，所述环形限位部与所述工装板一体成型。

12、进一步地，所述环形限位部为环形限位片，固定于所述工装板的第一侧面上。

13、进一步地，所述环形限位片为石英片。

14、进一步地，所述环形限位部呈回字环形。

15、进一步地，所述工装板为石英片。

16、进一步地，所述工装板呈圆形。

17、从以上技术方案可以看出，本申请所设计芯片抛光工装，通过在工装板的第一侧面上设置环形限位部，利用环形限位部来与工装板的第一侧面之间形成容置待抛光芯片的限位腔，在环形限位部的限位作用下能够有效防止芯片加工后塌边问题，且利用环形限位部能够使得抛光厚度得以准确控制，抛光厚度一致性高。再者利用设置的真空吸附通道来连通限位腔，这样可以通过连接真空机以真空吸附的方式来固定住待抛光芯片，有效避免引入蜡杂质，以及节约了抛光后的蜡清洁工序。该设计的工装能够使得芯片的抛光质量更加稳定，同时简化工序。

技术特征：

1.一种芯片抛光工装，其特征在于，包括工装板(1)；

2.根据权利要求1所述的一种芯片抛光工装，其特征在于，所述真空吸附通道(11)自所述工装板(1)的第一侧面向对立的第二侧面方向贯穿所述工装板(1)。

3.根据权利要求1所述的一种芯片抛光工装，其特征在于，所述环形限位部(2)为多个；

4.根据权利要求2所述的一种芯片抛光工装，其特征在于，所述工装板(1)的第二侧面上于真空吸附通道(11)的位置还设有凹槽(12)；

5.根据权利要求1所述的一种芯片抛光工装，其特征在于，所述环形限位部(2)与所述工装板(1)一体成型。

6.根据权利要求1所述的一种芯片抛光工装，其特征在于，所述环形限位部(2)为环形限位片，固定于所述工装板(1)的第一侧面上。

7.根据权利要求6所述的一种芯片抛光工装，其特征在于，所述环形限位片为石英片。

8.根据权利要求1所述的一种芯片抛光工装，其特征在于，所述环形限位部(2)呈回字环形。

9.根据权利要求1所述的一种芯片抛光工装，其特征在于，所述工装板(1)为石英片。

10.根据权利要求1所述的一种芯片抛光工装，其特征在于，所述工装板(1)呈圆形。

技术总结本申请公开了一种芯片抛光工装，涉及抛光技术领域，包括工装板；工装板的第一侧面上设有环形限位部；环形限位部的内环侧面与工装板的第一侧面之间围成容置待抛光芯片的限位腔；工装板上设有与限位腔对应连通的真空吸附通道；通过在工装板的第一侧面上设置环形限位部，利用环形限位部来与工装板的第一侧面之间形成容置待抛光芯片的限位腔，在环形限位部的限位作用下能够有效防止芯片加工后塌边问题，且利用环形限位部能够使得抛光厚度得以准确控制，抛光厚度一致性高。再者利用设置的真空吸附通道来连通限位腔，这样可以通过连接真空机以真空吸附的方式来固定住待抛光芯片，有效避免引入蜡杂质，以及节约了抛光后的蜡清洁工序。技术研发人员：李晓宁,吴健,刘悦,方文德受保护的技术使用者：安徽光智科技有限公司技术研发日：20230925技术公布日：2024/6/13