一种便于移动的防震式单晶生长炉

本发明涉及碳化硅单晶生长炉，具体为一种便于移动的防震式单晶生长炉。

背景技术：

1、半导体材料单晶生长炉是通过直拉法生产半导体单晶的制造设备，主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。通过单晶生长炉，对多晶硅进行融化，生成高精度的单晶硅，高纯度的单晶硅可生产用于电子器件，芯片制造，半导体材料等。

2、但现有的高温感应加热碳化硅单晶生长炉不便于对内部的温度进行提升和保温，导致升温效率较低；另外固定式的坩埚会影响物料的完全熔融效率。

技术实现思路

1、为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种便于移动的防震式单晶生长炉，包括防震机构，该防震机构用于对整个单晶生长炉的减震防护；

2、移动机构，该移动机构用于对整个装置的移动和固定，所述移动机构固定连接在防震机构的底部；

3、输送机构，该输送机构用于对碳化硅物料的投入以及碳化硅晶体的取出；

4、反应机构，该反应机构用于对碳化硅晶体的析出反应，所述反应机构的顶部与输送机构固定连接，所述反应机构的外侧与防震机构固定连接；

5、其中反应机构包括反应壳，所述反应壳的顶部与输送机构固定连接，所述反应壳的外侧与防震机构固定连接，所述反应壳的内壁固定连接有保温罩；

6、所述反应壳内腔的中心处放置有坩埚，其中一部分热量则会被保温罩所吸收，因此保温罩会一起与坩埚吸收热量直至保温罩内部的热量达到饱和状态后，以起到让保温罩一直保持高温恒温的状态并对坩埚进行保温的作用，所述坩埚的底部通过联轴器连接有电机，所述电机固定安装在反应壳的底部，其中电机顶部的输出端穿插在反应壳的底部并延伸其内部与坩埚相连接；

7、所述电机的下方设置有输热框，所述输热框的外侧固定连接有外连管且二者相连通，其中外连管的另一端与外界热源设备相连接，所述输热框的顶部套设在反应壳的底部且二者相连通，所述输热框的顶部固定连接有分流管，因为输热框的顶部固定连接有分流管，所以产出的热量一部分会直接与坩埚的底部相接触，以实现对其加热让混合物熔融的作用，其中分流管处于反应壳的内部。

8、优选的，所述防震机构包括减震壳，其中减震壳会初步起到对外界撞击的减震作用，而减震壳具有一定的韧性且它能够有效快速的处理较小的震动力以及撞击力，所述减震壳的内部设置有内横板，所述内横板的内侧与反应壳的外侧固定连接，所述内横板的顶部固定连接有横轨，所述横轨的内部滑动适配有滑块，所述滑块的顶部固定连接有滑压板，其中滑压板远离减震壳内壁的一侧有凸起。

9、优选的，所述滑块的外侧固定连接有弹簧，所述弹簧远离滑块的一端固定连接在横轨的内侧，所述横轨远离减震壳内侧的一端设置有稳定组件，所述稳定组件穿插在内横板的内部，所述稳定组件的外侧与反应壳固定连接。

10、优选的，所述稳定组件包括移动板，所述移动板固定连接在反应壳的外侧，所述移动板的内侧滑动适配有支撑杆，其中移动板沿着支撑杆的下滑并不是快速向下滑落的而是缓慢的，因为二者之间有摩擦关系，所述支撑杆的外侧固定连接有限位板，其中限位板处于移动板的下方。随着移动板的向下移动，使得与之相连接的反应壳就会带着内横板一起向下移动，从而使得装个装置的重心就会向下移动，变相的增大了整体的稳定性以及减震效果的作用。

11、优选的，所述支撑杆的顶部插接有斜面插杆，所述斜面插杆的外侧固定连接有二号磁体，所述斜面插杆底部的曲面侧挤压适配有斜面堵块，其中斜面堵块与斜面插杆相接触的面是斜面，同理斜面插杆与斜面堵块相接触的面是曲面，致使斜面插杆就会以此向上移动，所述斜面堵块的上下两端均固定连接有一号限片，所述斜面堵块插接在支撑杆的外侧。

12、优选的，所述斜面堵块的上方设置有堵插块，所述堵插块的上下两端均固定连接有二号限片，所述堵插块插接在支撑杆的外侧，所述堵插块处于支撑杆内部的一端固定连接有一号磁体，其中一号磁体与二号磁体之间具有吸附关系。

13、优选的，所述移动机构包括竖轨，所述竖轨固定连接在支撑杆的外侧，所述竖轨内腔的顶部固定连接有液压杆，所述液压杆的底部固定连接有固定撑框，所述固定撑框滑动适配在竖轨的内部，所述竖轨的底部固定连接有轮架板，所述轮架板的内侧通过转轴连接有转轮，启动液压杆，使得与之底部相连接的固定撑框就会沿着竖轨向下移动，直至固定撑框的底部要低于转轮底部的时候，整个装置就会处于被固定撑框撑起的状态同时转轮会悬空，从而起到让整个装置在移动和固定之间进行来回切换的作用。

14、优选的，所述输送机构包括籽晶，所述籽晶的顶部通过连接件连接有二号驱动机，所述二号驱动机的外侧固定连接有顶连板，所述顶连板的顶部螺纹连接有丝杆，所述丝杆的顶部通过连接扣件连接有一号驱动机，通过籽晶与坩埚的反方向转动，将它接触熔融碳化硅的表面后缓慢的向上拉伸也就是让一号驱动机反转，过一段时间后熔融碳化硅表面的原子将会冷却凝固在籽晶上，同时将完全复制籽晶的晶体结构，从而起到对碳化硅晶体的析出生产作用，所述一号驱动机的外侧固定连接有顶架，所述丝杆的底部转动适配在顶架内腔的底部。

15、本发明提供了一种便于移动的防震式单晶生长炉。具备以下有益效果：

16、一、该便于移动的防震式单晶生长炉，通过输热框的顶部固定连接有分流管，所以产出的热量一部分会直接与坩埚的底部相接触，以实现对其加热让混合物熔融的作用，而另一部分热量则会被保温罩所吸收，因此保温罩会一起与坩埚吸收热量直至保温罩内部的热量达到饱和状态后，以起到让保温罩一直保持高温恒温的状态并对坩埚进行保温的作用。

17、二、该便于移动的防震式单晶生长炉，通过籽晶与坩埚的反方向转动，将它接触熔融碳化硅的表面后缓慢的向上拉伸也就是让一号驱动机反转，过一段时间后熔融碳化硅表面的原子将会冷却凝固在籽晶上，同时将完全复制籽晶的晶体结构，这个过程不断持续直至将所有的熔融碳化硅变成一整根碳化硅晶棒，而杂质则会留存在坩埚内，从而起到对硅晶体的析出生产作用。

18、三、该便于移动的防震式单晶生长炉，通过随着移动板的向下移动，使得与之相连接的反应壳就会带着内横板一起向下移动，从而使得装个装置的重心就会向下移动，变相的增大了整体的稳定性以及减震效果的作用。

19、四、该便于移动的防震式单晶生长炉，通过启动液压杆，使得与之底部相连接的固定撑框就会沿着竖轨向下移动，直至固定撑框的底部要低于转轮底部的时候，整个装置就会处于被固定撑框撑起的状态同时转轮会悬空，从而起到让整个装置在移动和固定之间进行来回切换的作用。

技术特征：

1.一种便于移动的防震式单晶生长炉，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种便于移动的防震式单晶生长炉，其特征在于：所述防震机构(1)包括减震壳(11)，所述减震壳(11)的内部设置有内横板(12)，所述内横板(12)的内侧与反应壳(41)的外侧固定连接，所述内横板(12)的顶部固定连接有横轨(13)，所述横轨(13)的内部滑动适配有滑块(14)，所述滑块(14)的顶部固定连接有滑压板(16)，其中滑压板(16)远离减震壳(11)内壁的一侧有凸起。

3.根据权利要求2所述的一种便于移动的防震式单晶生长炉，其特征在于：所述滑块(14)的外侧固定连接有弹簧(15)，所述弹簧(15)远离滑块(14)的一端固定连接在横轨(13)的内侧，所述横轨(13)远离减震壳(11)内侧的一端设置有稳定组件(17)，所述稳定组件(17)穿插在内横板(12)的内部，所述稳定组件(17)的外侧与反应壳(41)固定连接。

4.根据权利要求3所述的一种便于移动的防震式单晶生长炉，其特征在于：所述稳定组件(17)包括移动板(171)，所述移动板(171)固定连接在反应壳(41)的外侧，所述移动板(171)的内侧滑动适配有支撑杆(172)，所述支撑杆(172)的外侧固定连接有限位板(173)，其中限位板(173)处于移动板(171)的下方。

5.根据权利要求4所述的一种便于移动的防震式单晶生长炉，其特征在于：所述支撑杆(172)的顶部插接有斜面插杆(174)，所述斜面插杆(174)的外侧固定连接有二号磁体(170)，所述斜面插杆(174)底部的曲面侧挤压适配有斜面堵块(175)，所述斜面堵块(175)的上下两端均固定连接有一号限片(176)，所述斜面堵块(175)插接在支撑杆(172)的外侧。

6.根据权利要求5所述的一种便于移动的防震式单晶生长炉，其特征在于：所述斜面堵块(175)的上方设置有堵插块(177)，所述堵插块(177)的上下两端均固定连接有二号限片(178)，所述堵插块(177)插接在支撑杆(172)的外侧，所述堵插块(177)处于支撑杆(172)内部的一端固定连接有一号磁体(179)，其中一号磁体(179)与二号磁体(170)之间具有吸附关系。

7.根据权利要求1所述的一种便于移动的防震式单晶生长炉，其特征在于：所述移动机构(2)包括竖轨(21)，所述竖轨(21)固定连接在支撑杆(172)的外侧，所述竖轨(21)内腔的顶部固定连接有液压杆(22)，所述液压杆(22)的底部固定连接有固定撑框(23)，所述固定撑框(23)滑动适配在竖轨(21)的内部，所述竖轨(21)的底部固定连接有轮架板(24)，所述轮架板(24)的内侧通过转轴连接有转轮(25)。

技术总结本发明公开了一种便于移动的防震式单晶生长炉，本发明涉及碳化硅单晶生长炉技术领域，包括防震机构，该防震机构用于对整个单晶生长炉的减震防护；移动机构，该移动机构用于对整个装置的移动和固定，所述移动机构固定连接在防震机构的底部；输送机构，该输送机构用于对碳化硅物料的投入以及碳化硅晶体的取出；反应机构，该反应机构用于对物料的加热和碳化硅晶体的析出反应，所述反应机构的顶部与输送机构固定连接，所述反应机构的外侧与防震机构固定连接。该便于移动的防震式单晶生长炉，通过籽晶与坩埚的反方向转动，使得熔融碳化硅将完全复制籽晶的晶体结构，这个过程不断持续直至将所有的熔融碳化硅变成一整根碳化硅晶棒。技术研发人员：郭勇文,黄晋强,权纪亮,谢鸿波,刘纪岸,张雅丽,柯观振,姚永红受保护的技术使用者：广东省科学院半导体研究所技术研发日：技术公布日：2024/6/2