一种单晶热场提升装置及其碳化硅PVT法生长炉

本技术属于晶体生长炉装置，尤其涉及一种单晶热场提升装置及其碳化硅pvt法生长炉。

背景技术：

1、碳化硅pvt法生长炉是一种晶体生产设备，把高纯度的多晶硅原料放入生长器主体内，混合原料蒸发到生长器盖体下方结晶，进行晶体生长。

2、其中，现有的碳化硅pvt法生长炉随着不断的优化改进囊括了许多组件，其中较为核心的组件之一有单晶热场，单晶热场就是所谓提供热场的部分，其囊括了压环、保温盖、上中下保温罩、石墨坩埚、坩埚托杆、坩埚托盘、电极、加热器、导流筒、石墨螺栓，未来防止漏硅，金属电极等诸多部件，对比文件202220757529.8公开了一种新型碳化硅生长炉，其主要解决了“炉盖不便于拆卸，且炉膛同样不便于提升”的问题，但是该生长炉在长期使用的过程中衍生出一个新的问题：“在日常使用过程中，为了保证后续的晶体产生环境，需要对单晶热场进行定期清理，但是清理后的单晶热场，其具体安装位置可能有所变动，但是现有生长炉无法进一步调节”，为了优化碳化硅pvt法生长炉，从业者设计了一种单晶热场提升装置及其碳化硅pvt法生长炉。

技术实现思路

1、本实用新型的目的就在于为了解决现有碳化硅pvt法生长炉在单晶热场清理后无法进一步调整其安装位置，难以保证后续热场最佳位置的问题而提供一种单晶热场提升装置及其碳化硅pvt法生长炉。

2、本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：一种单晶热场提升装置，包括用于改变单晶热场高度的提升基座，所述提升基座上方设置有用于单晶热场承托的放置台；

3、所述提升基座包括呈十字交错的支撑底板，所述支撑底板上方设置有收纳台，所述收纳台内设置有外延柱，所述收纳台与所述外延柱之间通过第一锁紧螺栓相配合，其中，所述支撑底板与所述外延柱之间转动设置有起到加强支撑的随动组件；

4、所述放置台包括固定设置于所述外延柱顶部的外延件，所述外延件角部转动设置有四组外延臂，所述外延臂内滑动设置有调节臂，所述外延臂与所述调节臂上表面均开设有若干销孔，所述外延臂与所述调节臂之间通过销轴相配合，其中，所述调节臂端部设置有卡件。

5、进一步的，相邻两组所述支撑底板之间均设置有加强板。

6、进一步的，所述随动组件包括转动设置于所述支撑底板上的随动底筒，所述随动底筒内套设有伸缩杆，所述伸缩杆另一端转动设置于所述外延柱上，所述随动底筒与所述伸缩杆之间通过第二锁紧螺栓相配合。

7、进一步的，所述销轴上方设置有圆形铁片。

8、进一步的，所述卡件为截面呈“l”形的一体件。

9、进一步的，所述卡件包括固定设置于所述调节臂上的卡件底筒，所述卡件底筒内套设有外延卡爪，所述卡件底筒与所述外延卡爪之间通过拉力弹簧相配合。

10、一种碳化硅pvt法生长炉，包括生长炉主体以及任一所述的单晶热场提升装置，所述提升基座设置于所述生长炉主体腔体内，所述放置台固定设置于所述提升基座上方，单晶热场放置于所述提升基座上方。

11、有益效果：本实用新型设计合理，结构简单稳定，实用性强，具有以下有益效果：

12、1、提升装置的设置，可以根据实际需求通过调节第一锁紧螺栓的锁紧位置，从而改变装置整体高度，使单晶热场高度随之改变；

13、2、随动组件的设置，可以通过调节第二锁紧螺栓的锁紧位置，从而保证其起到二次加强支撑的作用，避免提升装置高度回退；

14、3、放置台的设置，可以调节展开面积，使其可以随着单晶热场的管径进一步调节有效使用面积；

15、4、卡件的设置，可以使其卡住单晶热场外边缘，保证单晶热场防止的稳定性。

技术特征：

1.一种单晶热场提升装置，其特征在于：包括用于改变单晶热场高度的提升基座(1)，所述提升基座(1)上方设置有用于单晶热场承托的放置台(2)；

2.根据权利要求1所述的一种单晶热场提升装置，其特征在于：相邻两组所述支撑底板(101)之间均设置有加强板(106)。

3.根据权利要求2所述的一种单晶热场提升装置，其特征在于：所述随动组件(105)包括转动设置于所述支撑底板(101)上的随动底筒(1051)，所述随动底筒(1051)内套设有伸缩杆(1052)，所述伸缩杆(1052)另一端转动设置于所述外延柱(103)上，所述随动底筒(1051)与所述伸缩杆(1052)之间通过第二锁紧螺栓(1053)相配合。

4.根据权利要求3所述的一种单晶热场提升装置，其特征在于：所述销轴(205)上方设置有圆形铁片。

5.根据权利要求4所述的一种单晶热场提升装置，其特征在于：所述卡件(206)为截面呈“l”形的一体件。

6.根据权利要求4所述的一种单晶热场提升装置，其特征在于：所述卡件(206)包括固定设置于所述调节臂(203)上的卡件底筒(2061)，所述卡件底筒(2061)内套设有外延卡爪(2062)，所述卡件底筒(2061)与所述外延卡爪(2062)之间通过拉力弹簧(2063)相配合。

7.一种碳化硅pvt法生长炉，其特征在于：包括生长炉主体(3)以及如权利要求1-6任一所述的单晶热场提升装置，所述提升基座(1)设置于所述生长炉主体(3)腔体内，所述放置台(2)固定设置于所述提升基座(1)上方，单晶热场放置于所述提升基座(1)上方。

技术总结本技术公开了一种单晶热场提升装置及其碳化硅PVT法生长炉，包括用于改变单晶热场高度的提升基座，提升基座上方设置有用于单晶热场承托的放置台，提升基座包括支撑底板，支撑底板上方设置有收纳台，收纳台内设置有外延柱，支撑底板与外延柱之间转动设置有随动组件，放置台包括固定设置于外延柱顶部的外延件，外延件角部转动设置有四组外延臂，外延臂内滑动设置有调节臂，外延臂与调节臂上表面均开设有若干销孔，外延臂与调节臂之间通过销轴相配合，其中，调节臂端部设置有卡件，本技术的优点是通过提升装置的调节可以有效改变单晶热场的位置，从而保证炉腔内部热场的最佳位置，给予后续晶体稳定的生长环境。技术研发人员：刘兴,戴紫怡,朱乐瑶,冯书蕾,刘汝轩,许红伍受保护的技术使用者：苏州健雄职业技术学院技术研发日：20231023技术公布日：2024/6/11