一种MPCVD设备用样品升降结构的制作方法

本技术涉及微波设备，特别是涉及一种mpcvd设备用样品升降结构。

背景技术：

1、微波等离子体化学气相沉积技术,是在低气压状态下，微波能量激发气体形成等离子体态的工作环境，激活被沉积物的表面化学键和沉积气体分子形成的离子，交换结合形成沉积。它是目前世界上生长金刚石材料的最先进技术之一，微波等离子体化学气相沉积技术能提供大面积的沉积工作区域，并且没有电极污染。微波谐振的真空腔是这项技术的关键部件，是沉积生长金刚石和类金刚石材料的工作环境，和沉积生长的每一步骤息息相关，包括开始的烘烤，初期的刻蚀，工艺调节，籽晶的放入和取出，以及后期的清洁等步骤。现有的微波反应腔内样品台的升降模式一般为单体整体升降。单升降模式中，调整钼台高度的灵活性和精细度都不够高，影响材料的长期稳定生长，因此需要改进。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种mpcvd设备用样品升降结构。

2、一种mpcvd设备用样品升降结构，包括支架，所述支架上方设置有中空的反应腔体，所述支架内设置有第一升降机构，所述第一升降机构输出端与大基板台连接，带动大基板台在支架与反应腔体之间上下位移，所述大基板台的下端与第二升降机构连接，所述第二升降机构输出端与小基板台连接，所述小基板台活动贯穿大基板台，所述小基板台在大基板台与反应腔体之间上下位移，所述小基板台的下端与第三升降机构连接，第三升降机构输出端与样品台连接，所述样品台活动贯穿小基板台，所述样品台在小基板台与反应腔体之间上下位移。

3、优选的，所述支架内设置有下腔体，所述下腔体呈圆筒状，且向下开口，所述下腔体的端口呈阶梯状，用于与大基板台的下端活动卡接。

4、优选的，所述大基板台与小基板台下端之间设置有第一真空波纹管，所述小基板台与样品台下端之间设置有第二真空波纹管。

5、优选的，所述样品台的顶部安装有钼台。

6、优选的，所述反应腔体的顶部设置有石英玻璃，所述石英玻璃与反应腔体连接处有密封圈。

7、本实用新型的有益之处在于：采用三升降模式，大基板台，小基板台与样品台升降互不干扰，实现样品台的精细化升降，便于在生长过程中进行微调，大基板台升降幅度最大，方便取拿样品；小基板台升降幅度适中，用于调整等离子球形状；样品台升降最为精细，用于样品生长过程中的高度微调。

技术特征：

1.一种mpcvd设备用样品升降结构，其特征在于：包括支架，所述支架上方设置有中空的反应腔体，所述支架内设置有第一升降机构，所述第一升降机构输出端与大基板台连接，带动大基板台在支架与反应腔体之间上下位移，所述大基板台的下端与第二升降机构连接，所述第二升降机构输出端与小基板台连接，所述小基板台活动贯穿大基板台，所述小基板台在大基板台与反应腔体之间上下位移，所述小基板台的下端与第三升降机构连接，第三升降机构输出端与样品台连接，所述样品台活动贯穿小基板台，所述样品台在小基板台与反应腔体之间上下位移。

2.如权利要求1所述的一种mpcvd设备用样品升降结构，其特征在于：所述支架内设置有下腔体，所述下腔体呈圆筒状，且向下开口，所述下腔体的端口呈阶梯状，用于与大基板台的下端活动卡接。

3.如权利要求1所述的一种mpcvd设备用样品升降结构，其特征在于：所述大基板台与小基板台下端之间设置有第一真空波纹管，所述小基板台与样品台下端之间设置有第二真空波纹管。

4.如权利要求1所述的一种mpcvd设备用样品升降结构，其特征在于：所述样品台的顶部安装有钼台。

5.如权利要求1所述的一种mpcvd设备用样品升降结构，其特征在于：所述反应腔体的顶部设置有石英玻璃，所述石英玻璃与反应腔体连接处有密封圈。

技术总结本技术涉及一种MPCVD设备用样品升降结构，包括支架，支架上方设置有中空的反应腔体，支架内设置有第一升降机构，第一升降机构输出端与大基板台连接，带动大基板台在支架与反应腔体之间上下位移，大基板台的下端与第二升降机构连接，第二升降机构输出端与小基板台连接，小基板台活动贯穿大基板台，小基板台在大基板台与反应腔体之间上下位移，小基板台的下端与第三升降机构连接，第三升降机构输出端与样品台连接，样品台活动贯穿小基板台，样品台在小基板台与反应腔体之间上下位移。采用三升降模式，大基板台，小基板台与样品台升降互不干扰，实现样品台升降精细化升降作业，便于在生长过程中进行微调。技术研发人员：张光,刘引,罗文波,刘欣受保护的技术使用者：成都腾六光电有限公司技术研发日：20231031技术公布日：2024/6/5