一种石英坩埚的制作方法

本技术涉及单晶制造领域，具体为一种石英坩埚。

背景技术：

1、在单晶体的生产过程中，半透明石英坩埚是拉制大直径单晶硅必不可少的基础材料，半透明的石英坩埚具有高纯度、耐温性强、尺寸大、精度高、保温性好、节约能源、质量稳定等优点，然而随着石英坩埚尺寸增加，使得石英坩埚受到的热源辐射不均匀以及气泡密度影响了单晶氧含量，同时造成单晶生长的成功率低及硅棒品质差，因此，急需一种能够解决大尺寸坩埚拉晶环节氧含量控制的石英坩埚。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种石英坩埚，以解决现有大尺寸石英坩埚因受到的热源辐射不均匀以及气泡密度影响了单晶氧含量问题，以及造成单晶生长的成功率低和晶棒品质差的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：

3、一种石英坩埚，包括：锅体；

4、锅体包括内层和外层；

5、内层设有预设高度的气泡空乏层，外层设有气泡复合层；

6、气泡空乏层的上部厚度大于气泡空乏层的下部厚度。

7、优选的，气泡空乏层的截面为倒三角形结构。

8、优选的，气泡空乏层的内壁与气泡空乏层的外壁夹角范围为1度至3度。

9、优选的，气泡空乏层的上部内直径小于气泡空乏层的下部内直径。

10、优选的，内层的内壁涂有致密层。

11、优选的，致密层为氢氧化钡。

12、优选的，致密层位于气泡空乏层下方。

13、优选的，气泡复合层的高度与气泡空乏层的高度相同。

14、优选的，气泡复合层与气泡空乏层所处的高度相同。

15、本实用新型提供了一种石英坩埚，石英坩埚的锅体包括内层和外层，并在内层设置预设高度的气泡空乏层，外层设置气泡复合层，并使气泡空乏层的上部厚度大于气泡空乏层的下部厚度，通过上述公开的石英坩埚，能够有效减缓石英坩埚内部硅液涡流，能够使硅液上部温度大于硅液下部的温度，进而形成的热对流会使硅液底部的氧含量减少，而硅液上部的氧能够快速挥发，进而有效避免硅液的氧跟随对流进入硅棒，且还能有效减少因硅熔体对石英坩埚的冲刷而引入的氧杂质，因此，通过本申请的石英坩埚，能够有效降低单晶硅棒氧含量，有效提升单晶硅棒品质。

技术特征：

1.一种石英坩埚，其特征在于，包括：锅体；

2.根据权利要求1所述的石英坩埚，其特征在于，所述气泡空乏层的内壁与所述气泡空乏层的外壁夹角范围为1度至3度。

3.根据权利要求1所述的石英坩埚，其特征在于，所述气泡空乏层的上部内直径小于所述气泡空乏层的下部内直径。

4.根据权利要求1所述的石英坩埚，其特征在于，所述内层的内壁涂有致密层。

5.根据权利要求4所述的石英坩埚，其特征在于，所述致密层为氢氧化钡。

6.根据权利要求4所述的石英坩埚，其特征在于，所述致密层位于所述气泡空乏层下方。

7.根据权利要求1所述的石英坩埚，其特征在于，所述气泡复合层的高度与所述气泡空乏层的高度相同。

8.根据权利要求1所述的石英坩埚，其特征在于，所述气泡复合层与所述气泡空乏层所处的高度相同。

技术总结本技术提供了一种石英坩埚。石英坩埚的锅体包括内层和外层，并在内层设置预设高度的气泡空乏层，外层设置气泡复合层，并使气泡空乏层的上部厚度大于气泡空乏层的下部厚度，通过上述公开的石英坩埚，能够有效减缓石英坩埚内部硅液涡流，能够使硅液上部温度大于硅液下部的温度，进而形成的热对流会使硅液底部的氧含量减少，而硅液上部的氧能够快速挥发，进而有效避免硅液的氧跟随对流进入硅棒，且还能有效减少因硅熔体对石英坩埚的冲刷而引入的氧杂质，因此，通过本申请的石英坩埚，能够有效降低单晶硅棒氧含量，有效提升单晶硅棒品质。技术研发人员：周涛,秦现东,王新强,刘利国受保护的技术使用者：双良硅材料(包头)有限公司技术研发日：20220913技术公布日：2024/7/9