MEMS封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装，具体而言，涉及一种mems封装结构。

背景技术：

1、随着半导体行业的快速发展，麦克风在消费领域已经广泛应用于各种电子产品中，其中硅麦克风由于尺寸较小，稳定性强等特点，已经广泛应用在移动终端中。硅麦克风包括mems(微机电系统，micro electro mechanical system)芯片，且mems芯片包括硅振膜和硅背极板。其中，mems芯片的工作原理是利用声音变化产生的压力梯度使硅振膜受声压干扰而产生形变，进而改变硅振膜和硅背极板之间的电容值，从而将声压信号转化为电压信号。

2、现有mems硅麦产品设计声音从单孔/单个方向，进入mems芯片和容纳盖内部，由于mems芯片的音腔体积有限，当声音信号非常弱时，声压信号就越弱，从而导致mems硅麦产品，灵敏度和信噪比下降。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种mems封装结构，其能够大幅提升灵敏度和信噪比。

2、本实用新型的实施例是这样实现的：

3、第一方面，本实用新型提供一种mems封装结构，包括：

4、基板，所述基板上设置有凸台；

5、asic芯片，所述asic芯片贴设在所述基板上，并与所述凸台间隔设置；

6、mems芯片，所述mems芯片贴设在所述凸台上，并与所述基板相间隔，且所述mems芯片底侧形成有音腔；

7、容纳盖，所述容纳盖设置在所述基板上，并在内部形成有容纳腔，所述mems芯片和所述asic芯片容纳在所述容纳腔中，所述容纳盖上设置有进音孔，所述进音孔与所述容纳腔连通。

8、在可选的实施方式中，所述mems芯片跨接在所述asic芯片和所述凸台之间，并堆叠在所述asic芯片和所述凸台上。

9、在可选的实施方式中，所述asic芯片相对于所述基板的高度与所述凸台的高度相同。

10、在可选的实施方式中，所述mems芯片上设置有第一连接线和第二连接线，所述第一连接线与所述asic芯片连接，以使所述asic芯片与所述mems芯片电连接，所述第二连接线与所述基板连接，以使所述mems芯片与所述基板电连接。

11、在可选的实施方式中，所述asic芯片上设置有第三连接线，所述第三连接线连接至所述基板，以使所述asic芯片与所述基板电连接。

12、在可选的实施方式中，所述mems芯片在所述基板上的投影与凸台重叠，并与所述asic芯片相间隔，所述mems芯片部分悬置在所述基板上，所述音腔与所述容纳腔连通。

13、在可选的实施方式中，所述mems芯片伸出所述凸台的部分与所述基板之间形成有进音通道，所述进音通道的宽度小于或等于所述凸台的高度。

14、在可选的实施方式中，所述mems芯片上设置有第一连接线和第二连接线，所述第一连接线与所述asic芯片或所述基板连接，以使所述asic芯片与所述mems芯片或所述基板电连接，所述第二连接线与所述基板连接，以使所述mems芯片与所述基板电连接。

15、在可选的实施方式中，所述容纳盖包括一体的围栏部和顶板部，所述围栏部设置在所述基板上，并围设在所述asic芯片和所述mems芯片周围，所述顶板部设置在所述围栏部远离所述基板的一端，所述进音孔开设在所述顶板部上。

16、在可选的实施方式中，所述进音孔在所述基板上的投影与所述asic芯片和所述mems芯片均间隔。

17、本实用新型实施例的有益效果包括：

18、本实用新型实施例提供的mems封装结构，在基板上设置有凸台，将asic芯片贴设在基板上，并与凸台间隔设置，同时将mems芯片贴设在凸台上，并与基板相间隔，从而抬升mems芯片的底部的音腔的容积，最后将容纳盖设置在基板上，并在内部形成容纳腔，其mems芯片和asic芯片容纳在容纳腔中，容纳盖上设置有进音孔，进音孔与容纳腔连通。相较于现有技术，本实用新型由于在基板上设置有凸台，以凸台作为mems芯片的贴装点位，能够抬升mems芯片的底部的音腔的容积，从而将mems芯片形成悬空结构，进而提升其底部声压空间，以提升mems芯片灵敏度和信噪比。

技术特征：

1.一种mems封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的mems封装结构，其特征在于，所述mems芯片跨接在所述asic芯片和所述凸台之间，并堆叠在所述asic芯片和所述凸台上。

3.根据权利要求2所述的mems封装结构，其特征在于，所述asic芯片相对于所述基板的高度与所述凸台的高度相同。

4.根据权利要求2所述的mems封装结构，其特征在于，所述mems芯片上设置有第一连接线和第二连接线，所述第一连接线与所述asic芯片连接，以使所述asic芯片与所述mems芯片电连接，所述第二连接线与所述基板连接，以使所述mems芯片与所述基板电连接。

5.根据权利要求2所述的mems封装结构，其特征在于，所述asic芯片上设置有第三连接线，所述第三连接线连接至所述基板，以使所述asic芯片与所述基板电连接。

6.根据权利要求1所述的mems封装结构，其特征在于，所述mems芯片在所述基板上的投影与凸台重叠，并与所述asic芯片相间隔，所述mems芯片部分悬置在所述基板上，所述音腔与所述容纳腔连通。

7.根据权利要求6所述的mems封装结构，其特征在于，所述mems芯片伸出所述凸台的部分与所述基板之间形成有进音通道，所述进音通道的宽度小于或等于所述凸台的高度。

8.根据权利要求6所述的mems封装结构，其特征在于，所述mems芯片上设置有第一连接线和第二连接线，所述第一连接线与所述asic芯片或所述基板连接，以使所述asic芯片与所述mems芯片或所述基板电连接，所述第二连接线与所述基板连接，以使所述mems芯片与所述基板电连接。

9.根据权利要求1所述的mems封装结构，其特征在于，所述容纳盖包括一体的围栏部和顶板部，所述围栏部设置在所述基板上，并围设在所述asic芯片和所述mems芯片周围，所述顶板部设置在所述围栏部远离所述基板的一端，所述进音孔开设在所述顶板部上。

10.根据权利要求9所述的mems封装结构，其特征在于，所述进音孔在所述基板上的投影与所述asic芯片和所述mems芯片均间隔。

技术总结本技术提供的MEMS封装结构，涉及半导体封装技术领域，该MEMS封装结构包括基板、ASIC芯片、MEMS芯片和容纳盖，其中基板上设置有凸台，ASIC芯片贴设在基板上，并与凸台间隔设置；MEMS芯片贴设在凸台上，并与基板相间隔，且MEMS芯片底侧形成有音腔；容纳盖设置在基板上，并在内部形成有容纳腔，MEMS芯片和ASIC芯片容纳在容纳腔中，容纳盖上设置有进音孔，进音孔与容纳腔连通。相较于现有技术，本技术由于在基板上设置有凸台，以凸台作为MEMS芯片的贴装点位，能够抬升MEMS芯片的底部的音腔的容积，进而提升其底部声压空间，以提升MEMS芯片灵敏度和信噪比。技术研发人员：何正鸿,汪明进,魏宇晖,陈泽受保护的技术使用者：甬矽电子（宁波）股份有限公司技术研发日：20231205技术公布日：2024/7/9