量子点复合物及其制备方法、量子点组合物及其应用与流程

本公开涉及量子点发光，具体而言，涉及一种量子点复合物及其制备方法、量子点组合物及其应用。

背景技术：

1、目前大多数采用量子点材料研发及生产的光致发光器件，其白场显示效果的实现，主要采用蓝色背光外加红绿量子点的混合。伴随量子点显示应用场景的多样化，丰富性以及市场对于产品的要求越来越加严苛，如何将红绿量子点进行分离及分布密度(浓度)控制，实现更佳的性能就变得非常有意义。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种量子点复合物及其制备方法，及含其的组合物，量子点光致发光器件及其制备方法，解决现有技术不同量子点的分离难且实际应用中，量子点之间的自吸收导致的发光效率变低的问题。

2、为了实现上述目的，根据本发明的第一和第二方面，提供了一种量子点复合物及其制备方法，该量子点复合物具有特别的磁性配体。磁性的量子点复合物置于外磁场环境下会做有序取向而产生磁矩；磁场间会产生相互作用力。相对于传统的四氧化三铁量子点磁性复合物，本申请的磁性配体选择性多，磁性强弱可根据结构控制调整，更好地适配实际应用。磁性的量子点复合物制备可以通过配体交换实现。

3、根据本发明的第三方面，提供了一种量子点组合物，该量子点组合物具有良好的不同量子点可分离性，减少自吸收现象。

4、根据本发明的第四和第五方面，提供了一种量子点光致发光器件及其制备方法。在外磁场作用下，不同的量子点复合物和磁场的相互作用力具有差异，这样强质量磁化率的量子点复合物会集中在一侧,从而实现不同量子点的分层或者量子点的密度分布，减少量子点之间的自吸收现象。在量子点光致发光器件制备时，利用磁场即可实现分离。

技术特征：

1.一种量子点复合物，其特征在于，所述量子点复合物包括量子点和所述量子点的表面配体，所述表面配体的数量大于等于1，所述表面配体具有磁性；一个所述表面配体与所述量子点的连接结构选自式1至式10的一种：

2.根据权利要求1所述的量子点复合物，其特征在于，a选自下述基团、原子或阴离子中的一种：-sh，-oh，-coo-,-nh2。

3.根据权利要求1所述的量子点复合物，其特征在于，b选自下述基团、原子或阴离子中的一种：n，o，-o-，-coo-，-n3，-cn，碳碳双键，碳碳三键。

4.根据权利要求1所述的量子点复合物，其特征在于，l为至少有一个原子含有孤对电子或者不定域电子的分子或者离子，优选地，l为f-、cl-、br-、oh-、scn-、cn--、h2o、nh3、乙二胺、烯烃、炔烃或芳香烃中的一种。

5.根据权利要求1所述的量子点复合物，其特征在于，多个所述表面配体包围一个所述量子点，所述量子点复合物为三角形、四面体或球形的结构。

6.一种如权利要求1至5任一项所述的量子点复合物的制备方法，其特征在于，准备具有第一配体的量子点，将所述具有第一配体的量子点和第二配体进行配体交换，得到所述量子点复合物；或者准备具有第一配体的量子点，将所述具有第一配体的量子点和第三配体进行配体交换得到具有第三配体的量子点，将所述具有第三配体的量子点和第四配体进行配体交换，得到所述量子点复合物；其中，所述第一配体和所述第三配体为非磁性配体，所述第二配体和所述第四配体为磁性配体。

7.根据权利要求6所述的量子点复合物的制备方法，其特征在于，所述量子点的数量与所述第二配体或者所述第四配体中的金属元素的数量之比为1：3～6：1。

8.一种量子点组合物，其特征在于，包括第一量子点复合物和第二量子点复合物，所述第一量子点复合物和所述第二量子点复合物均为权利要求1至5任一项所述的量子点复合物，所述第一量子点复合物和第二量子点复合物的峰值发射波长不同。

9.根据权利要求8所述的量子点组合物，其特征在于，所述第一量子点复合物和第二量子点复合物的峰值发射波长分别是615～635nm和525～545nm。

10.根据权利要求8所述的量子点组合物，其特征在于，所述第一量子点复合物和第二量子点复合物的质量磁化率不同，优选地，所述复合物中的m金属元素不同。

11.根据权利要求8所述的量子点组合物，其特征在于，所述第一量子点复合物的表面配体与所述量子点结合的结构式为式11：

12.根据权利要求8所述的量子点组合物，其特征在于，所述组合物还包括可聚合的聚合物前体或散射粒子或引发剂或其他功能性组分。

13.根据权利要求8所述的量子点组合物，其特征在于，所述第二量子点复合物的质量磁化率与所述第一量子点复合物的质量磁化率的比例为大于1，优选大于2。

14.一种量子点光致发光器件的制备方法，其特征在于，将如权利要求13所述的量子点组合物设置于基板上形成量子点组合物层，对所述量子点组合物层施加磁场，所述第一量子点复合物和所述第二量子点复合物在所述量子点组合物层中的移动速度不同，对所述量子点组合物层进行固化处理得到量子点层，得到第一量子点复合物和第二量子点复合物在所述量子点层中的磁场方向上分布密度不同。

15.根据权利要求14所述的量子点光致发光器件的制备方法，其特征在于，施加磁场时，量子点组合物层所处的环境温度为50-300k。

16.一种量子点光致发光器件，其特征在于，包括第一量子点复合物和第二量子点复合物，所述第一量子点复合物和所述第二量子点复合物中的至少之一为权利要求1至5任一项所述的量子点复合物。

17.根据权利要求16所述的量子点光致发光器件，其特征在于，还包括聚合物基质，所述第一量子点复合物和第二量子点复合物在所述聚合物基质中的分布密度不同。

技术总结本公开提供了一种量子点复合物及其制备方法、量子点组合物及其应用。量子点复合物包括量子点和量子点的表面配体，表面配体的数量大于等于1，表面配体具有磁性。具有磁性的量子点可更好地实现分离或不同密度分布。技术研发人员：王志纯,赵婧馨,苏昱恺受保护的技术使用者：纳晶科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5