墨水和量子点电致发光器件及其制备方法和电子装置与流程

本技术涉及光电器件领域，特别是涉及一种墨水及量子点电致发光器件及其制备方法和电子装置。

背景技术：

1、量子点发光是一种极具潜力的显示技术，其可以通过旋涂、印刷或喷墨打印等溶液加工的方式完成大面积电致发光器件的制备，这种简单、高效的制造方式有助于显著降低器件的生产成本。但是，溶液加工技术在降低发光器件生产成本的同时也会引入一些问题，例如：发光器件是由多层功能层经逐层组装而形成，在独立加工任一功能层时，加工溶剂会对下层造成损伤，从而影响功能层的稳定性。这种破坏性的现象在量子点发光层中更为显著，这直接影响了量子点电致发光器件的发光效果和寿命。已有一些措施用于改进量子点的致密性来提高量子点发光层的抗溶剂性，例如：在量子点发光层中掺入聚合物来提高量子点的成膜性，以降低上层溶剂对该发光层的破坏，但这些额外添加的聚合物对量子点的电光转化过程无任何增益，这些聚合物作为杂质存在，势必影响器件的发光性能和稳定性。

技术实现思路

1、基于此，本技术的目的在于提供一种墨水及量子点电致发光器件及其制备方法和电子装置。所述墨水能够形成致密的量子点发光层，提高量子点发光层的抗溶剂性，包括所述量子点发光层的量子点电致发光器件具有较高的发光效率和使用寿命。

2、第一方面，本技术提供一种墨水，包含溶剂和分散在所述溶剂中的量子点及溶解在所述溶剂中的挥发性固体添加剂，其中，所述挥发性固体添加剂包括多卤代苯、二茂铁、二茂铁衍生物、稠环芳烃、取代的稠环芳烃、稠合杂环化合物和联吡啶中的至少一种。

3、可选地，所述挥发性固体添加剂的熔点不低于40℃且沸点不高于350℃。

4、可选地，所述稠环芳烃的总碳原子数为10-30，所述取代的稠环芳烃的总碳原子数为10-30；所述稠合杂环化合物中，杂原子选自o、s和n中的至少一种，稠合杂环化合物的总碳原子数为5-30；所述二茂铁衍生物为取代的二茂铁；

5、取代的稠环芳烃和取代的二茂铁中，取代基的个数各自独立地为1-5，各取代基独立地选自卤素、碳原子数为1-5的烷基或碳原子数为1-5的卤代烷基。

6、可选地，所述多卤代苯中，各卤素独立地选自cl、br、f或i；所述稠环芳烃的总碳原子数为10-20，所述取代的稠环芳烃的总碳原子数为10-20；所述稠合杂环化合物的总碳原子数为5-20；取代的稠环芳烃和取代的二茂铁中，所述取代基的个数各自独立地为1或2，各取代基独立地选自卤素、碳原子数为1-2的烷基或碳原子数为1-2的卤代烷基。

7、可选地，所述挥发性固体添加剂包括二卤代苯、三卤代苯、四卤代苯、五卤代苯、六卤代苯、二茂铁、并三噻吩、2，2′-联吡啶、3，3′-联吡啶、4，4′-联吡啶、萘、蒽及菲中的一种或多种。

8、可选地，所述挥发性固体添加剂包括1，4-二碘四氟苯、对二碘苯、二茂铁、并三噻吩、4，4′-联吡啶、萘、蒽及菲中的一种或多种。

9、可选地，所述量子点包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种；其中，所述单一结构量子点的材料包括ii-vi族化合物、iv-vi族化合物和iii-v族化合物中的至少一种；所述ii-vi族化合物包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、cdzns、cdznse、cdznte、cdznses、cdznsete和cdznste中的至少一种；所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete和snpbste中的至少一种；所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、a1n、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、a1np、a1nas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas和inalpsb中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核材料包括上述单一结构量子点的材料中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料包括cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种。

10、可选地，所述溶剂包括正己烷、正辛烷、环己烷、甲苯、氯苯、己醇、辛醇和正癸醚中的一种或多种。

11、可选地，在所述墨水中，在所述墨水中，所述量子点的浓度为1mg/ml-200mg/ml，所述挥发性固体添加剂与所述量子点的质量比为(1-50)：100。

12、第二方面，本技术提供一种量子点电致发光器件，包括相对设置的阳极、阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，其中，所述量子点发光层由本技术提供的墨水形成。

13、可选地，所述量子点电致发光器件还包括：位于所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层。

14、进一步地，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层，且相对于所述空穴传输层，所述空穴注入层更靠近所述阳极。

15、可选地，所述量子点电致发光器件还包括：位于所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层。

16、可选地，所述阳极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌和铟镓锌氧化物中的一种或多种。

17、可选地，所述空穴注入层的材料包括pedot∶pss和/或pedot∶pss∶pfi。

18、可选地，所述空穴传输层的材料包括tfb、pvk、npb、tcta和tapc中的一种或多种。

19、可选地，所述电子传输层的材料包括zno、tio2和sno2中的一种或多种。

20、第三方面，本技术提供一种制备量子点电致发光器件的方法，包括：依次层叠形成阳极、量子点发光层和阴极；或者，依次层叠形成阴极、量子点发光层和阳极，其中，所述量子点发光层是利用所述墨水并通过溶液法制备获得。

21、可选地，所述方法还包括：在所述阳极和所述量子点发光层之间形成空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层。

22、进一步地，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层，且相对于所述空穴传输层，所述空穴注入层更靠近所述阳极。

23、可选地，所述方法还包括：在所述阴极和所述量子点发光层之间形成电子传输层。

24、可选地，制备所述量子点发光层的方法包括：

25、在所述空穴传输层上旋涂所述墨水，制备干膜；

26、将所述干膜在60℃-200℃热处理10min-60min，得到所述量子点发光层。

27、第四方面，本技术提供一种电子装置，包括本技术第二方面所述的量子点电致发光器件，或者包括由本技术第三方面所述方法制备得到的量子点电致发光器件。

28、本技术的墨水为含有挥发性固体添加剂和量子点的混合溶液，其中的挥发性固体添加剂(有机化合物或有机过渡金属化合物)可调节量子点成膜形貌，且在热处理后，可从膜层中挥发，得以去除。在溶液加工成膜及膜干燥过程的前期，混合溶液中均匀分布的固体添加剂能有效阻止量子点的快速团聚，避免因堆积导致的量子点团簇或针孔的形成，使量子点均匀分布在整张膜层表面并在后续形成致密发光层；在溶剂挥发干燥的后期，有机材料/量子点混合相为寻求界面表面能的最小化，内驱力将使两相发生相分离，有机相从量子点间隙析出使均匀分布的量子点膜层进一步致密化。膜层完全干燥后，分离形成具有挥发性的有机层和量子点层，而在随后的加热过程中，有机层彻底挥发，只留下具有平坦表面且致密的量子点发光层，改善的薄膜致密性有助于提高其抗溶剂能力，且优质的膜层形态可提高所制备的量子点电致发光器件的发光效率并延长其寿命。

29、本技术的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。