量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置与流程

本申请涉及显示，具体涉及一种量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置。

背景技术：

1、量子点(qds)由于具有荧光量子产率高、半峰宽窄、荧光光谱随尺寸连续可调、稳定性高等优点引起了产学研界的广泛关注。特别是以量子点构筑的量子点发光二级管(quantum dot light emitt ing diodes，qled)由于继承了量子点优异的光学性能，在低成本、高亮度、广色域、优异的可溶液加工等方面表现出极具竞争潜力。随着量子点合成技术的日益成熟和器件结构的优化改进，qled器件的性能取得了飞速发展。

2、目前，核壳型量子点通常是基于溶液法制备，该种方法难以做到不同量子点的粒径完全均一，表现为粒径分布的标准差较大。当核壳型量子点的粒径分布标准差偏大时，会造成不同批次的发光器件的发光层中量子点层数不同，又由于量子点层数会显著影响空穴的遂穿势垒，使得不同批次的发光器件的空穴注入水平存在差异，造成不同批次的发光器件的发光性能存在差异。

技术实现思路

1、本申请提供一种量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置，可解决量子点粒径均一性差的问题。

2、为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种量子点的制备方法，所述制备方法包括：

3、提供量子点核溶液；

4、向所述量子点核溶液中加入量子点壳层前驱体进行壳层生长，得到量子点溶液，其中，在加入所述量子点壳层前驱体之前，对所述量子点核溶液进行真空处理；

5、从所述量子点溶液中提取得到量子点。

6、在本申请实施例提供的一量子点的制备方法中，向所述量子点核溶液中加入量子点壳层前驱体进行壳层生长的步骤包括：向所述量子点核溶液中分批加入相应的量子点壳层前驱体进行壳层生长，得到含有n层壳层的量子点溶液，其中，n≥2，且在每次加入相应的所述量子点壳层前驱体之前，均对前一次壳层生长后得到待反应溶液进行真空处理。

7、在本申请实施例提供的一量子点的制备方法中，所述量子点壳层前驱体在进行真空处理后加入至所述量子点核溶液中；

8、和/或，所述真空处理的步骤包括在60℃-200℃以及0.133pa-133.3pa的条件下保持0.5h-12h。

9、第二方面，本申请提供一种量子点，由上述的量子点的制备方法制备得到。

10、第三方面，本申请提供一种材料筛选方法，所述材料筛选方法包括：

11、提供待筛选材料，所述待筛选材料选自阳极层材料、阴极层材料、空穴传输层材料、空穴注入层材料、空穴阻隔层材料、电子传输层材料、电子注入层材料、电子阻隔层材料或者界面修饰层材料；

12、提供量子点材料，所述量子点材料为前述的量子点的制备方法制备而得的量子点或前述的量子点；

13、以所述待筛选材料作为相应的结构层材料，并以所述量子点材料作为发光层材料，制备发光器件；

14、获取所述发光器件的性能参数和/或目标参数；

15、根据所述发光器件的性能参数和/或目标参数从所述待筛选材料中筛选得到目标材料。

16、在本申请实施例提供的一材料筛选方法中，提供待筛选材料的步骤包括：提供待筛选的电子传输层材料；

17、以所述待筛选材料作为相应的结构层材料，并以所述量子点材料作为发光层材料，制备发光器件的步骤包括：以所述待筛选的电子传输层材料作为电子传输层材料，并以所述量子点材料作为发光层材料，制备单电子发光器件。

18、在本申请实施例提供的一材料筛选方法中，以所述待筛选的电子传输层材料作为电子传输层材料，并以所述量子点材料作为发光层材料，制备单电子发光器件的步骤包括：以所述待筛选的电子传输层材料作为电子传输层材料，并以所述量子点材料作为发光层材料，重复制备得到多个所述单电子发光器件；

19、获取所述发光器件的性能参数和/或目标参数的步骤包括：

20、分别对多个所述单电子发光器件进行性能测试得到相应的性能参数；

21、计算得到的多个所述性能参数的离散度作为所述目标参数。

22、在本申请实施例提供的一材料筛选方法中，所述性能参数选自发光亮度、发光效率、电流密度、启亮电压以及发光寿命中的一种或多种，和/或所述离散度选自中的一种标准差、极差、方差以及变异系数中的一种或多种。

23、第四方面，本申请提供一种发光器件，所述发光器件包括相对设置的阳极层与阴极层，以及设置于所述阳极层与所述阴极层之间的发光层，所述发光层的材料为前述的量子点的制备方法制备而得的量子点或前述的量子点。

24、第五方面，本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括前述的发光器件。

25、有益效果：本申请实施例提供了一种量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置，所述制备方法包括：提供量子点核溶液；向所述量子点核溶液中加入量子点壳层前驱体进行壳层生长，得到量子点溶液，其中，在加入所述量子点壳层前驱体之前，对所述量子点核溶液进行真空处理；从所述量子点溶液中提取得到量子点；通过在加入所述量子点壳层前驱体进行壳层生长之前，对所述量子点核溶液进行真空处理的操作，得以有效去除量子点核溶液中所存在的短链有机溶剂，从而减少短链有机溶剂对量子点核表面的晶面活性的影响，提升了壳层生长均一性，进而提升了所形成的量子点的粒径均一性。

技术特征：

1.一种量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，向所述量子点核溶液中加入量子点壳层前驱体进行壳层生长的步骤包括：向所述量子点核溶液中分批加入相应的量子点壳层前驱体进行壳层生长，得到含有n层壳层的量子点溶液，其中，n≥2，且在每次加入相应的所述量子点壳层前驱体之前，均对前一次壳层生长后得到待反应溶液进行真空处理。

3.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述量子点壳层前驱体在进行真空处理后加入至所述量子点核溶液中；

4.一种量子点，其特征在于，由权利要求1-3任意一项所述的量子点的制备方法制备得到。

5.一种材料筛选方法，其特征在于，所述材料筛选方法包括：

6.根据权利要求5所述的材料筛选方法，其特征在于，提供待筛选材料的步骤包括：提供待筛选的电子传输层材料；

7.根据权利要求6所述的材料筛选方法，其特征在于，以所述待筛选的电子传输层材料作为电子传输层材料，并以所述量子点材料作为发光层材料，制备单电子发光器件的步骤包括：以所述待筛选的电子传输层材料作为电子传输层材料，并以所述量子点材料作为发光层材料，重复制备得到多个所述单电子发光器件；

8.根据权利要求7所述的材料筛选方法，其特征在于，所述性能参数选自发光亮度、发光效率、电流密度、启亮电压以及发光寿命中的一种或多种，和/或所述离散度选自中的一种标准差、极差、方差以及变异系数中的一种或多种。

9.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括相对设置的阳极层与阴极层，以及设置于所述阳极层与所述阴极层之间的发光层，所述发光层的材料为由权利要求1-3任意一项所述的量子点的制备方法制备而得的量子点或权利要求4所述的量子点。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的发光器件。

技术总结本申请公开了一种量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置，所述制备方法包括：提供量子点核溶液；向所述量子点核溶液中加入量子点壳层前驱体进行壳层生长，得到量子点溶液，其中，在加入所述量子点壳层前驱体之前，对所述量子点核溶液进行真空处理；从所述量子点溶液中提取得到量子点；通过在加入所述量子点壳层前驱体进行壳层生长之前，对所述量子点核溶液进行真空处理的操作，得以有效去除量子点核溶液中所存在的短链有机溶剂，从而减少短链有机溶剂对量子点核表面的晶面活性的影响，提升了壳层生长均一性，进而提升了所形成的量子点的粒径均一性。技术研发人员：聂志文受保护的技术使用者：广东聚华新型显示研究院技术研发日：技术公布日：2024/6/2