一种抗腐蚀的EVA封装胶膜的制作方法

本发明涉及光伏组件用封装材料，具体为一种抗腐蚀的eva封装胶膜。

背景技术：

1、光伏组件在高温、高湿及光照的条件下使用时，湿气或水逐渐深入组件内部，在光和热的作用下，eva发生norrish typeⅱ脱乙酰反应，产生醋酸。在醋酸存在的环境下，锡铜焊带的两种金属之间形成电势电位差，电势电位低的金属将被腐蚀。而且eva 胶膜的醋酸与会与残留的过氧化形成氢过氧化物，会造成晶体硅电池表面的银栅线被氧化而变黑。

2、现有常见的解决方式是添加抗腐蚀的金属氧化物和氢氧化物，但是添加量较大，加工成本高，而且虽可以减少腐蚀，但又会影响到胶膜的透过率，无法满足高透胶膜的需求。

技术实现思路

1、为了解决现有eva封装胶膜抗腐蚀和高透效果无法兼容的问题，本发明提供了一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其能够提高抗腐蚀性，同时对透过率无影响，能保证胶膜的高透效果。

2、其技术方案是这样的：一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，其包括上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜，中间层胶膜的各个原料质量比为：eva树脂占94%～98%、助交联剂占0.5%～2%、偶联剂占0.5%～2%、引发剂占0.1%～1%、抗氧化剂占0.01%～0.5%、光稳定剂占0.1%～1%，其中，eva树脂内va含量为28%；

3、上层胶膜和下层胶膜的各个原料质量比均为：eva树脂一占75%～93%、eva树脂二占1%～20%、助交联剂占0.5%～2%、偶联剂占0.5%～2%、引发剂占0.1%～1%、抗氧化剂占0.01%～0.5%、光稳定剂占0.1%～1%，抗腐蚀助剂占0.1%～1%，其中，eva树脂一内va含量为28%，eva树脂二内va含量为15-25%，抗腐蚀助剂包括但不限于二环己基碳二亚胺、n,n'-二异丙基碳二亚胺、聚碳化二亚胺等碳化二亚胺和聚合型碳化二亚胺类化合物中的一种或多种按任意配比混合组成。

4、其进一步特征在于，上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜的厚度比例为1：（1~8）：1；

5、偶联剂为硅烷偶联剂，包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、γ-（甲基丙烯酰氧基）丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、正十二烷基三甲氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、环己基三甲氧基硅烷、1,3,5-三（三甲氧基硅丙基）异氰酸酯中的一种或多种按任意配比混合组成；

6、引发剂为过氧化物引发剂，包括但不限于过氧化二碳酸二异丙酯、叔丁基过氧化-2-乙基己碳酸酯、1 ,3-双(叔丁基过氧异丙基)苯、过氧化2-乙基己基碳酸叔戊酯、异丙苯过氧化氢中的一种或多种按任意配比混合组成；

7、助交联剂包括但不限于三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三烯丙基异三聚氰酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、丙氧化季戊四醇四丙烯酸酯，乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、丙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、二环戊烯基丙烯酸、聚乙二醇（200）二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯中的一种或多种按任意配比混合组成；

8、光稳定剂包括但不限于双(1 ,2 ,2 ,6 ,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、双(2 ,2,6 ,6-四甲基哌啶基)癸二酸酯、3 ,5-二叔丁基-4-羟基-苯甲酸十六烷基酯、聚丁二酸(4-羟基-2 ,2 ,6 ,6-四甲基-1-哌啶乙醇)酯中的一种或几种；

9、抗氧化剂为受阻酚类抗氧剂，包括但不限于四[β-（3,5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸]季戊四醇酯、β-（3,5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸正十八碳醇酯中的一种或几种。

10、采用本发明后，只在上层和下层添加抗腐蚀助剂，eva胶膜的整体抗腐蚀助剂添加比例降低，能够抑制eva胶膜水解过程，且可以与羧酸反应，促使酰胺和酯的生成，防止对电池片产生腐蚀，提高抗腐蚀性，同时碳化二亚胺和聚合型碳化二亚胺类化合物为有机物，可以直接熔融到材料中，对透过率无影响，保证胶膜了的高透效果。

技术特征：

1.一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，其包括上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜，中间层胶膜的各个原料质量比为：eva树脂占94%～98%、助交联剂占0.5%～2%、偶联剂占0.5%～2%、引发剂占0.1%～1%、抗氧化剂占0.01%～0.5%、光稳定剂占0.1%～1%，其中，eva树脂内va含量为28%；

2.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜的厚度比例为1：（1~8）：1。

3.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，偶联剂为硅烷偶联剂，包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、γ-（甲基丙烯酰氧基）丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、正十二烷基三甲氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、环己基三甲氧基硅烷、1,3,5-三（三甲氧基硅丙基）异氰酸酯中的一种或多种按任意配比混合组成。

4.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，引发剂为过氧化物引发剂，包括但不限于过氧化二碳酸二异丙酯、叔丁基过氧化-2-乙基己碳酸酯、1 ,3-双(叔丁基过氧异丙基)苯、过氧化2-乙基己基碳酸叔戊酯、异丙苯过氧化氢中的一种或多种按任意配比混合组成。

5.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，助交联剂包括但不限于三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三烯丙基异三聚氰酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、丙氧化季戊四醇四丙烯酸酯，乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、丙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、二环戊烯基丙烯酸、聚乙二醇（200）二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯中的一种或多种按任意配比混合组成。

6.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，光稳定剂包括但不限于双(1 ,2 ,2 ,6 ,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、双(2 ,2 ,6 ,6-四甲基哌啶基)癸二酸酯、3 ,5-二叔丁基-4-羟基-苯甲酸十六烷基酯、聚丁二酸(4-羟基-2 ,2 ,6 ,6-四甲基-1-哌啶乙醇)酯中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的一种抗腐蚀的eva封装胶膜，其特征在于，抗氧化剂为受阻酚类抗氧剂，包括但不限于四[β-（3,5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸]季戊四醇酯、β-（3,5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸正十八碳醇酯中的一种或几种。

技术总结本发明涉及光伏组件用封装材料技术领域，具体为一种抗腐蚀的EVA封装胶膜，其能够提高抗腐蚀性，同时对透过率无影响，能保证胶膜的高透效果，其包括上层胶膜、中间层胶膜和下层胶膜，中间层胶膜的各个原料质量比为：EVA树脂占94%～98%、助交联剂占0.5%～2%、偶联剂占0.5%～2%、引发剂占0.1%～1%、抗氧化剂占0.01%～0.5%、光稳定剂占0.1%～1%，其中，EVA树脂内VA含量为28%；上层胶膜和下层胶膜的各个原料质量比均为：EVA树脂一占75%～93%、EVA树脂二占1%～20%、助交联剂占0.5%～2%、偶联剂占0.5%～2%、引发剂占0.1%～1%、抗氧化剂占0.01%～0.5%、光稳定剂占0.1%～1%，抗腐蚀助剂占0.1%～1%，其中，EVA树脂一内VA含量为28%，EVA树脂二内VA含量为15‑25%。技术研发人员：蒋焘旭受保护的技术使用者：无锡联能材料科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/2