量子点、量子点的制备方法及包含量子点的发光元件与流程

本发明涉及一种量子点、量子点的制备方法及包含量子点的发光元件，更具体地，涉及一种发光效率及颜色再现性得到改善的量子点、量子点的制备方法及包含量子点的发光元件。

背景技术：

1、已经开发了用于诸如电视、移动电话、平板计算机、导航系统、游戏机等多媒体装置的各种显示装置。在这样的显示装置中，使用通过使包含有机化合物的发光材料发光来实现显示的所谓的自发光型的显示元件。

2、此外，为了改善显示装置的颜色再现性，正在进行对使用量子点作为发光材料的发光元件的开发，并且需要改善利用量子点的发光元件的寿命及发光效率。

技术实现思路

1、本发明的目的在于，提供一种通过包括包含银、铟、镓及硫的核、第一壳体以及第二壳体而呈现出高量子产率和优异的化学稳定性的量子点。

2、本发明的目的在于，提供一种发光效率及颜色再现性得到改善的发光元件。

3、根据本发明的一实施例的量子点的制备方法，包括如下步骤：提供第一混合物，所述第一混合物包括包含银前体、铟前体以及第一镓前体的第一前体物质和包含油胺、三辛基氧化膦以及三辛胺的第一溶剂；将第一硫前体添加到所述第一混合物以形成包含银元素、铟元素、镓元素以及硫元素的核；通过使所述核与包括第二硫前体和第二镓前体的第二前体物质反应来形成包围所述核的第一壳体；以及将第一元素前体和第二元素前体添加到包括包含所述核和所述第一壳体的第一颗粒以及第二溶剂的第二混合物，以形成包围所述第一壳体的第二壳体，所述第一元素前体和所述第二元素前体分别独立地包括ii族元素、iii族元素、v族元素、vi族元素以及vii族元素中的至少一种。

4、所述第一混合物可以包括0.1mmol以上且1mmol以下的所述银前体；0.1mmol以上且0.5mmol以下的所述铟前体；0.3mmol以上且1mmol以下的所述第一镓前体；0.1mmol以上且1mmol以下的所述三辛基氧化膦；10mmol以上且50mmol以下的所述油胺；以及1mmol以上且20mmol以下的所述三辛胺。

5、所述第二前体物质可以包括1mmol以上且2mmol以下的所述第二硫前体；以及1mmol以上且5mmol以下的所述第二镓前体。

6、所述第二混合物可以包括0.1mmol以上且100mmol以下的所述第一颗粒；以及10mmol以上且100mmol以下的所述第二溶剂。

7、所述第二溶剂可以包括油胺和三辛胺中的至少一种。

8、在形成所述第二壳体的步骤中，所述第一元素前体可以添加至1mmol以上且10mmol以下；所述第二元素前体可以添加至1mmol以上且10mmol以下。

9、向所述第一混合物添加所述第一硫前体的步骤在第一温度条件下执行，其中，所述第一温度可以是300℃以上。

10、在形成所述第二壳体的步骤之前，还包括如下步骤：在第二温度条件下对所述第二混合物进行脱气。

11、所述第二混合物还包括第三溶剂，所述第三溶剂的沸点可以为所述第二温度以下。

12、根据本发明的一实施例的量子点，包括：核，包含银、铟、镓以及硫；第一壳体，包围所述核且包含gas；以及第二壳体，包围所述第一壳体且包含第一元素，其中，所述第一元素包括ii族元素、iii族元素、v族元素、vi族元素以及vii族元素中的至少一种。

13、所述第二壳体可以包括znse、zns、znte、zno、znmg、znmgse、znmgs、znmgal、gase、gate、gap、gaas、gasb、inas、insb、alp、alas、alsb、mns、mnse、mgs以及mgse中的至少一种。

14、所述第一壳体的厚度可以为0.5nm以上且3nm以下，所述第二壳体的厚度可以为0.5nm以上且4nm以下。

15、所述第二壳体的厚度可以大于所述第一壳体的厚度。

16、所述核的直径可以为3nm以上且7nm以下。

17、所述核可以包括10at％以上且20at％以下的所述银、5at％以上且30at％以下的所述铟、0.2at％以上且15at％以下的所述镓以及50at％以上且60at％以下的所述硫。

18、所述镓的原子数与所述铟的原子数之比可以是0.01以上且2以下，所述第一元素的原子数与所述铟的原子数之比可以是0.5以上且1以下。

19、所述量子点可以具有510nm以上且540nm以下的发光中心波长。

20、所述量子点的由下述数学式1表示的量子收率维持率可以为90％以上。

21、[数学式1]

22、量子收率维持率＝x1/x0

23、在所述数学式1中，x1为利用乙醇经过三次提纯过程后测得的量子点的量子收率，x0为所述提纯步骤前的量子点的量子收率。

24、根据本发明的一实施例的发光元件，包括：第一电极；空穴传输区域，布置于所述第一电极上；发光层，布置于所述空穴传输区域上且包括量子点；电子传输区域，布置于所述发光层上；以及第二电极，布置于所述电子传输区域上，其中，所述量子点包括：核，包含银、铟、镓以及硫；第一壳体，包围所述核且包含gas；以及第二壳体，包围所述第一壳体且包含第一元素，其中，所述第一元素包括ii族元素、iii族元素、v族元素、vi族元素以及vii族元素中的至少一种。

25、所述第二壳体可以包括znse、zns、znte、zno、znmg、znmgse、znmgs、znmgal、gase、gate、gap、gaas、gasb、inas、insb、alp、alas、alsb、mns、mnse、mgs以及mgse中的至少一种。

26、根据本发明的一实施例的量子点，包括包含ag、in、ga以及s的核、包围核且包含gas的第一壳体以及包围第一壳体的第二壳体，从而在维持高带边发射的同时，可以呈现出高量子收率以及高量子收率维持率。

27、此外，根据本发明的一实施例的量子点的制备方法，通过调节前体组成及反应温度等来确保量子点的化学稳定性，在反应过程中形成稳定的琢面(facet)，从而可以呈现减少缺陷发射(trap emission)的效果。

28、此外，将利用本发明的一实施例的量子点的制备方法来制备的量子点应用于发光元件，可以确保发光元件的优异的发光效率及可靠性。

技术特征：

1.一种量子点的制备方法，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的量子点的制备方法，其中，

3.如权利要求1所述的量子点的制备方法，其中，

4.如权利要求1所述的量子点的制备方法，其中，

5.如权利要求1所述的量子点的制备方法，其中，

6.如权利要求1所述的量子点的制备方法，其中，

7.如权利要求1所述的量子点的制备方法，其中，

8.如权利要求1所述的量子点的制备方法，

9.如权利要求8所述的量子点的制备方法，其中，

10.一种量子点，包括：

11.如权利要求10所述的量子点，其中，

12.如权利要求10所述的量子点，其中，

13.如权利要求10所述的量子点，其中，

14.如权利要求10所述的量子点，其中，

15.如权利要求10所述的量子点，其中，

16.如权利要求10所述的量子点，其中，

17.如权利要求10所述的量子点，其中，

18.如权利要求10所述的量子点，其中，

19.一种发光元件，包括：

20.如权利要求19所述的发光元件，其中，

技术总结公开一种量子点、量子点的制备方法及包含量子点的发光元件。量子点的制备方法包括如下步骤：提供第一混合物，第一混合物包括包含银前体、铟前体及第一镓前体的第一前体物质和包含油胺、三辛基氧化膦以及三辛胺的第一溶剂；将第一硫前体添加到第一混合物以形成包含银元素、铟元素、镓元素以及硫元素的核；通过使核与包括第二硫前体和第二镓前体的第二前体物质反应来形成包围核的第一壳体；以及将第一元素前体和第二元素前体添加到包括包含核和第一壳体的第一颗粒以及第二溶剂的第二混合物，以形成包围第一壳体的第二壳体，第一元素前体和第二元素前体分别独立地包括II族元素、III族元素、V族元素、VI族元素以及VII族元素中的至少一种。技术研发人员：郑濬赫,金成在,金泳植,朴昇元,尹必娜,李栋熙受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29