技术新讯 > 喷涂装置,染料,涂料,抛光剂,天然树脂,黏合剂装置的制造及其制作,应用技术 > 层叠体、光学构件及光学装置的制作方法  >  正文

层叠体、光学构件及光学装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-02 17:31:33

本发明涉及层叠体、光学构件及光学装置。

背景技术:

1、在光学器件中,例如,作为全反射层而利用了低折射率的空气层。具体而言,例如,液晶器件中的各光学膜构件(例如导光板和反射板)夹隔着空气层而层叠。然而,如果各构件间被空气层隔开,则特别是在构件为大型的情况下等,有可能会引起构件的挠曲等问题。另外,由于器件薄型化的趋势,期望各构件的一体化。因此,进行了利用粘合粘接剂将各构件一体化而不在其间夹隔空气层(例如专利文献1)。然而,如果没有发挥全反射作用的空气层,则存在导致漏光等光学特性降低的隐患。

2、为此,已提出了使用低折射率层来代替空气层的方案。例如,在专利文献2中记载了在导光板与反射板之间插入折射率比导光板低的层的结构。作为低折射率层,例如,为了使折射率为尽可能接近空气的低折射率,可使用具有空隙的空隙层。

3、进一步,为了将空隙层导入器件中,还提出了与粘合粘接层的一体构成(专利文献3)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:日本特开2012-156082号公报

7、专利文献2:日本特开平10-62626号公报

8、专利文献3:日本特开2014-46518号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、对于空隙层,例如使其经由粘合粘接层与其它层层叠而使用。然而,如果将空隙层与粘合粘接层层叠,则存在构成上述粘合粘接层的粘合剂或粘接剂浸透到上述空隙层的空隙内部而填埋上述空隙,由此导致空隙层的空隙率降低、折射率上升的隐患。其中,上述空隙层的空隙率越高,上述粘合剂或粘接剂越容易浸透。另外,在高温的环境中,会由于上述粘合剂或粘接剂的分子运动(弹性模量降低)而导致上述粘合剂或粘接剂变得容易浸透到上述空隙。在高湿度的环境中,会由于上述粘合剂或粘接剂的吸水而导致上述粘合剂或粘接剂容易浸透到上述空隙。

3、为了抑制或防止上述粘合剂或粘接剂向上述空隙的浸透,作为上述粘合剂或粘接剂而尽可能使用弹性模量高(硬)的材料即可。然而,如果上述粘合剂或粘接剂的弹性模量高(硬),则存在导致粘合力或粘接力降低的隐患。相反地,如果上述粘合剂或粘接剂的弹性模量低(柔软),虽然容易得到高的粘合力或粘接力,但存在导致上述粘合剂或粘接剂变得容易浸透到上述空隙的隐患。

4、为此,本发明的目的在于提供兼顾了粘合力或粘接力、和粘合剂或粘接剂向空隙的浸透困难性的层叠体、光学构件及光学装置。

5、解决问题的方法

6、为了实现上述目的,本发明的层叠体包含空隙层和粘合粘接层,

7、上述粘合粘接层直接层叠于上述空隙层的一面或两面,

8、上述粘合粘接层包含(甲基)丙烯酸类聚合物,

9、使用纳米压痕仪对上述粘合粘接层压入压头2000nm而测定的纳米压痕硬度为0.1mpa以上且1.0mpa以下。

10、本发明的光学构件包含上述本发明的层叠体。

11、本发明的光学装置包含上述本发明的光学构件。

12、发明的效果

13、根据本发明,可以提供兼顾了粘合力或粘接力、和粘合剂或粘接剂向空隙的浸透困难性的层叠体、光学构件及光学装置。

技术特征:

1.一种层叠体,其包含空隙层和粘合粘接层,

2.根据权利要求1所述的层叠体,其中,

3.根据权利要求1或2所述的层叠体,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的层叠体,其中,

5.根据权利要求1~4中任一项所述的层叠体,其中,

6.根据权利要求1~5中任一项所述的层叠体,其中,

7.根据权利要求1~6中任一项所述的层叠体,其中,

8.根据权利要求1~7中任一项所述的层叠体,其中,

9.根据权利要求2、3或8中任一项所述的层叠体,其中,

10.根据权利要求1~9中任一项所述的层叠体,其中,

11.根据权利要求1~10中任一项所述的层叠体,其中,

12.根据权利要求11所述的层叠体,其中,

13.根据权利要求1~12中任一项所述的层叠体,其中,

14.根据权利要求1~13中任一项所述的层叠体,其中,

15.一种光学构件,其包含权利要求1~14中任一项所述的层叠体。

16.一种光学装置,其包含权利要求15所述的光学构件。

技术总结本发明的目的在于提供兼顾了粘合力或粘接力、和粘合剂或粘接剂向空隙的浸透困难性的空隙层与粘合粘接层的层叠体。为了实现上述目的,本发明的层叠体(10)或(10a)包含空隙层(11)和粘合粘接层(12),粘合粘接层(12)直接层叠于空隙层(11)的一面或两面,粘合粘接层(12)包含(甲基)丙烯酸类聚合物,粘合粘接层(12)的纳米压痕硬度为0.1MPa以上且1.0MPa以下。技术研发人员:杉野晶子,高桥智一,服部大辅,滨田千绘,吉见俊哉受保护的技术使用者:日东电工株式会社技术研发日:技术公布日:2024/6/11

本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240718/256035.html

版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 YYfuon@163.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。