无机金属氧化物及其制备方法和包含其的发光装置与流程

本公开内容的实施方案涉及无机金属氧化物、制备所述无机金属氧化物的方法和包含所述无机金属氧化物的发光装置。

背景技术：

1、发光装置是一种自发射装置，具有广视角和优异的对比度、快速响应时间、优异的亮度、驱动电压和响应速度特性，以及多色性。

2、量子点用作发光装置的发射层。量子点(qd)是半导体纳米颗粒。当处于不稳定状态(例如，激发态)的电子从导带下降到价带时，具有纳米直径的量子点发射光，并且当量子点的颗粒变得更小时，产生具有较短波长的光，并且当颗粒更大时，产生具有较长波长的光。这是不同于现有半导体材料的特殊或甚至独特的电和光学特性。因此，可以通过调节量子点的尺寸来表示具有合适或期望波长的可见光，并且可以同时或基本上同时使用不同尺寸的量子点和不同的量子点成分来实现各种合适的颜色。

3、在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本公开内容的背景技术的理解，并且因此，其可以包含不形成本国家中本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开内容的实施方案致力于提供具有随时间的改进的稳定性的无机金属氧化物、制备所述无机金属氧化物的方法和包含所述无机金属氧化物的具有改进的发射效率的发光装置。

2、本公开内容的实施方案提供了无机金属氧化物，其包含结晶核和位于所述结晶核的表面上的配体，其中所述结晶核包括结晶zno，并且所述配体是以下由化学式1表示的化合物(例如，位于所述结晶核的表面上的所述配体是以下所述由化学式1表示的化合物与所述结晶核的反应产物)。

3、化学式1

4、

5、在化学式1中，n可以是1或3，并且x可以是选自sh、胺、甲氧基硅烷、羧酸和羰基酸中的一种。

6、所述结晶核可以具有10nm至200μm的直径。

7、在化学式1中，n可以是1，并且x可以是sh。

8、所述无机金属氧化物的初始粒径和2周后的粒径之间的差可以在20倍以内(例如，可以在倍数20以内)。

9、本公开内容的实施方案提供了制备无机金属氧化物的方法，所述方法包括：在50℃至100℃的温度下合成结晶zno，以及在50℃至100℃的温度下将配体取代(例如，反应)在所述结晶zno的表面上，所述配体是以下由化学式1表示的化合物。

10、化学式1

11、

12、在化学式1中，n可以表示1或3，并且x可以表示选自sh、胺、甲氧基硅烷、羧酸和羰基酸中的一种。

13、所述结晶核可以具有10nm至200μm的直径。

14、在化学式1中，n可以是1，并且x可以是sh。

15、所述无机金属氧化物的初始粒径和2周后的粒径之间的差可以在20倍以内(例如，可以在倍数20以内)。

16、本公开内容的实施方案提供发光装置，包括：第一电极；在所述第一电极上的电子传输层；在所述电子传输层上的发射层；在所述发射层上的空穴传输层；以及在所述空穴传输层上的第二电极；并且其中所述电子传输层包含无机金属氧化物，所述无机金属氧化物包含结晶核和位于所述结晶核的表面上的配体，所述结晶核包括结晶zno，并且所述配体是由化学式1表示的化合物(例如，位于所述结晶核的表面上的所述配体是衍生自所述由化学式1表示的化合物，例如，是以下所述由化学式1表示的化合物与所述结晶核的反应产物)。例如，所述无机金属氧化物可以包含：包括结晶zno的结晶核与所述由化学式1表示的化合物的反应产物。

17、化学式1

18、

19、在化学式1中，n可以表示1或3，并且x可以表示选自sh、胺、甲氧基硅烷、羧酸和羰基酸中的一种。

20、所述第一电极可以是反射电极，并且所述第二电极可以是半透反射电极。

21、所述结晶核可以具有10nm至200μm的直径。

22、在化学式1中，n可以是1，并且x可以是sh。

23、所述电子传输层的厚度可以是至

24、所述发光装置可以进一步包括在所述电子传输层与所述第一电极之间的电子注入层。

25、所述电子注入层的厚度可以是至

26、所述电子注入层可以包含选自zno、tio2、wo3和sno2中的一种或多于一种的材料。

27、所述电子注入层可以包含掺杂有选自mg、y、li、ga和al中的一种的选自zno、tio2、wo3和sno2中的一种或多于一种的材料。

28、本公开内容的实施方案提供发光装置，包括：第一电极，所述第一电极是反射电极；在所述第一电极上的空穴传输层；在所述空穴传输层上的发射层；在所述发射层上的电子传输层；以及位于所述电子传输层上的第二电极，所述第二电极是半透反射电极，其中所述电子传输层包含无机金属氧化物，所述无机金属氧化物包含结晶核和位于所述结晶核的表面上的配体，所述结晶核包括结晶zno，并且所述配体是由化学式1表示的化合物(例如，位于所述结晶核的表面上的所述配体是以下所述由式1表示的化合物与所述结晶核的反应产物)。

29、化学式1

30、

31、在化学式1中，n可以表示1或3，并且x可以表示选自sh、胺、甲氧基硅烷、羧酸和羰基酸中的一种。

32、所述结晶核可以具有10nm至200μm的直径。

33、在化学式1中，n可以是1，并且x可以是sh。

34、根据实施方案，可以提供具有随时间的改进的稳定性的无机金属氧化物、制备所述无机金属氧化物的方法和包含所述无机金属氧化物的具有改进的发射效率的发光装置。

技术特征：

1.无机金属氧化物，包含：

2.如权利要求1所述的无机金属氧化物，其中：

3.如权利要求1所述的无机金属氧化物，其中：

4.如权利要求1所述的无机金属氧化物，其中：

5.制备无机金属氧化物的方法，所述方法包括：

6.如权利要求5所述的方法，其中：

7.如权利要求5所述的方法，其中：

8.如权利要求5所述的方法，其中：

9.发光装置，包括：

10.如权利要求9所述的发光装置，其中：

11.如权利要求9所述的发光装置，其中：

12.如权利要求9所述的发光装置，其中：

13.如权利要求9所述的发光装置，其中：

14.如权利要求9所述的发光装置，进一步包括：

15.如权利要求14所述的发光装置，其中：

16.如权利要求14所述的发光装置，其中：

17.如权利要求14所述的发光装置，其中：

18.发光装置，包括：

19.如权利要求18所述的发光装置，其中：

20.如权利要求18所述的发光装置，其中：

技术总结本申请涉及无机金属氧化物和包含所述无机金属氧化物的发光装置，所述无机金属氧化物包括结晶核和位于结晶核的表面上的配体，所述结晶核包括结晶ZnO，并且所述配体是由以下化学式1表示的化合物。在化学式1中，n可以表示1或3，并且X可以表示选自SH、胺、甲氧基硅烷、羧酸和羰基酸中的一种。[化学式1]技术研发人员：朴哲淳,朴元俊,辛锺雨,郑然九受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/20